SEMELAB
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ALF08N20V
供应商: RS
分类: MOSFET 晶体管
描述: Semelab ALFET 系列 Si N沟道 MOSFET ALF08N20V, 8 A, Vds=160 V, 3引脚 TO-247封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 8 A 最大漏源电压: 160 V 最大栅阈值电压: 1.5V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 晶体管配置: 单 引脚数目: 3 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 125 W 典型输入电容值@Vds: 500 pF@ 10 V 典型关断延迟时间: 50 ns 宽度: 5.31mm 每片芯片元件数目: 1 典型接通延迟时间: 100 ns 晶体管材料: Si 尺寸: 16.26 x 5.31 x 21.46mm 长度: 16.26mm 高度: 21.46mm 系列: ALFET 最高工作温度: +150 °C
供应商: RS
分类: MOSFET 晶体管
描述: Semelab ALFET 系列 Si N沟道 MOSFET ALF08N20V, 8 A, Vds=160 V, 3引脚 TO-247封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 8 A 最大漏源电压: 160 V 最大栅阈值电压: 1.5V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 晶体管配置: 单 引脚数目: 3 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 125 W 典型输入电容值@Vds: 500 pF@ 10 V 典型关断延迟时间: 50 ns 宽度: 5.31mm 每片芯片元件数目: 1 典型接通延迟时间: 100 ns 晶体管材料: Si 尺寸: 16.26 x 5.31 x 21.46mm 长度: 16.26mm 高度: 21.46mm 系列: ALFET 最高工作温度: +150 °C
ALF16N16K
供应商: RS
分类: MOSFET 晶体管
描述: Semelab ALFET 系列 Si N沟道 MOSFET ALF16N16K, 16 A, Vds=160 V, 3引脚 TO-3封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 16 A 最大漏源电压: 160 V 最大栅阈值电压: 1.5V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: TO-3 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 250 W 最高工作温度: +150 °C 长度: 39mm 尺寸: 39 x 25 x 8.7mm 晶体管材料: Si 典型输入电容值@Vds: 1400 pF @ 10 V 宽度: 25mm 系列: ALFET 高度: 8.7mm 每片芯片元件数目: 1
供应商: RS
分类: MOSFET 晶体管
描述: Semelab ALFET 系列 Si N沟道 MOSFET ALF16N16K, 16 A, Vds=160 V, 3引脚 TO-3封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 16 A 最大漏源电压: 160 V 最大栅阈值电压: 1.5V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: TO-3 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 250 W 最高工作温度: +150 °C 长度: 39mm 尺寸: 39 x 25 x 8.7mm 晶体管材料: Si 典型输入电容值@Vds: 1400 pF @ 10 V 宽度: 25mm 系列: ALFET 高度: 8.7mm 每片芯片元件数目: 1
ALF16P20W
供应商: RS
分类: MOSFET 晶体管
描述: Semelab ALFET 系列 Si P沟道 MOSFET ALF16P20W, 16 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-264封装
通道类型: P 最大连续漏极电流: -16 A 最大漏源电压: -200 V 最大栅阈值电压: 1.5V 最大栅源电压: ±20 V 封装类型: TO-264 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 250 W 高度: 26.49mm 最高工作温度: +150 °C 长度: 26.49mm 尺寸: 26.49 x 5.21 x 26.49mm 宽度: 5.21mm 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si 典型接通延迟时间: 150 ns 典型输入电容值@Vds: 1850 pF V @ -10 典型关断延迟时间: 105 ns 系列: ALFET
供应商: RS
分类: MOSFET 晶体管
描述: Semelab ALFET 系列 Si P沟道 MOSFET ALF16P20W, 16 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-264封装
通道类型: P 最大连续漏极电流: -16 A 最大漏源电压: -200 V 最大栅阈值电压: 1.5V 最大栅源电压: ±20 V 封装类型: TO-264 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 250 W 高度: 26.49mm 最高工作温度: +150 °C 长度: 26.49mm 尺寸: 26.49 x 5.21 x 26.49mm 宽度: 5.21mm 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si 典型接通延迟时间: 150 ns 典型输入电容值@Vds: 1850 pF V @ -10 典型关断延迟时间: 105 ns 系列: ALFET
1N4109D2A
供应商: RS
分类: 齐纳二极管
描述: Semelab 1N4109D2A 单路 齐纳二极管, 15V 5% 250 mW, 2引脚 DLCC2封装
额定齐纳电压: 15V 二极管配置: 单路 每片芯片元件数目: 1 安装类型: 表面贴装 最大功率耗散: 250 mW 封装类型: DLCC2 齐纳类型: 稳压器 齐纳电压容差: 5% 引脚数目: 2 测试电流: 0.25mA 最大齐纳阻抗: 100Ω 最大反向漏电流: 50nA 长度: 5mm 尺寸: 5 x 2.61 x 1.76mm 最高工作温度: +200 °C 宽度: 2.61mm 高度: 1.76mm 最低工作温度: -65 °C
供应商: RS
分类: 齐纳二极管
描述: Semelab 1N4109D2A 单路 齐纳二极管, 15V 5% 250 mW, 2引脚 DLCC2封装
额定齐纳电压: 15V 二极管配置: 单路 每片芯片元件数目: 1 安装类型: 表面贴装 最大功率耗散: 250 mW 封装类型: DLCC2 齐纳类型: 稳压器 齐纳电压容差: 5% 引脚数目: 2 测试电流: 0.25mA 最大齐纳阻抗: 100Ω 最大反向漏电流: 50nA 长度: 5mm 尺寸: 5 x 2.61 x 1.76mm 最高工作温度: +200 °C 宽度: 2.61mm 高度: 1.76mm 最低工作温度: -65 °C
D5011UK
供应商: RS
分类: MOSFET 晶体管
描述: Semelab TetraFET 系列 Si N沟道 MOSFET D5011UK, 3 A, Vds=125 V, 8引脚 SOIC封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 3 A 最大漏源电压: 125 V 最大栅阈值电压: 7V 最大栅源电压: ±20 V 封装类型: SO-8 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 类别: 射频 MOSFET 最大功率耗散: 30 W 宽度: 5.08mm 每片芯片元件数目: 1 高度: 2.18mm 系列: TetraFET 长度: 4.06mm 尺寸: 4.06 x 5.08 x 2.18mm 最高工作温度: +200 °C 晶体管材料: Si 典型输入电容值@Vds: 60 pF V @ 50
供应商: RS
分类: MOSFET 晶体管
描述: Semelab TetraFET 系列 Si N沟道 MOSFET D5011UK, 3 A, Vds=125 V, 8引脚 SOIC封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 3 A 最大漏源电压: 125 V 最大栅阈值电压: 7V 最大栅源电压: ±20 V 封装类型: SO-8 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 类别: 射频 MOSFET 最大功率耗散: 30 W 宽度: 5.08mm 每片芯片元件数目: 1 高度: 2.18mm 系列: TetraFET 长度: 4.06mm 尺寸: 4.06 x 5.08 x 2.18mm 最高工作温度: +200 °C 晶体管材料: Si 典型输入电容值@Vds: 60 pF V @ 50
ALF08P16K
供应商: RS
分类: MOSFET 晶体管
描述: Semelab ALFET 系列 Si P沟道 MOSFET ALF08P16K, 8 A, Vds=160 V, 3引脚 TO-3封装
通道类型: P 最大连续漏极电流: -8 A 最大漏源电压: -160 V 最大栅阈值电压: 1.5V 最大栅源电压: ±20 V 封装类型: TO-3 安装类型: 通孔 晶体管配置: 单 引脚数目: 3 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 125 W 典型输入电容值@Vds: 700 pF V @ -10 典型接通延迟时间: 120 ns 典型关断延迟时间: 60 ns 晶体管材料: Si 每片芯片元件数目: 1 宽度: 25mm 尺寸: 39 x 25 x 8.7mm 长度: 39mm 高度: 8.7mm 系列: ALFET 最高工作温度: +150 °C
供应商: RS
分类: MOSFET 晶体管
描述: Semelab ALFET 系列 Si P沟道 MOSFET ALF08P16K, 8 A, Vds=160 V, 3引脚 TO-3封装
通道类型: P 最大连续漏极电流: -8 A 最大漏源电压: -160 V 最大栅阈值电压: 1.5V 最大栅源电压: ±20 V 封装类型: TO-3 安装类型: 通孔 晶体管配置: 单 引脚数目: 3 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 125 W 典型输入电容值@Vds: 700 pF V @ -10 典型接通延迟时间: 120 ns 典型关断延迟时间: 60 ns 晶体管材料: Si 每片芯片元件数目: 1 宽度: 25mm 尺寸: 39 x 25 x 8.7mm 长度: 39mm 高度: 8.7mm 系列: ALFET 最高工作温度: +150 °C
MG9411
供应商: RS
分类: 双极晶体管
描述: Semelab MG9411 , PNP 晶体管, 18 A, Vce=230 V, HFE:70, 35 MHz, 3引脚 TO-3P封装
晶体管类型: PNP 最大直流集电极电流: 18 A 最大集电极-发射极电压: 230 V 封装类型: TO-3P 安装类型: 通孔 最大功率耗散: 300 W 最小直流电流增益: 70 晶体管配置: 单 最大集电极-基极电压: -230 V 最大发射极-基极电压: -5 V 最大工作频率: 35 MHz 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 1 宽度: 4.8mm 高度: 18.7mm 最高工作温度: +150 °C 长度: 15.6mm 尺寸: 15.6 x 4.8 x 18.7mm 最大集电极-发射极饱和电压: -0.5 V
供应商: RS
分类: 双极晶体管
描述: Semelab MG9411 , PNP 晶体管, 18 A, Vce=230 V, HFE:70, 35 MHz, 3引脚 TO-3P封装
晶体管类型: PNP 最大直流集电极电流: 18 A 最大集电极-发射极电压: 230 V 封装类型: TO-3P 安装类型: 通孔 最大功率耗散: 300 W 最小直流电流增益: 70 晶体管配置: 单 最大集电极-基极电压: -230 V 最大发射极-基极电压: -5 V 最大工作频率: 35 MHz 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 1 宽度: 4.8mm 高度: 18.7mm 最高工作温度: +150 °C 长度: 15.6mm 尺寸: 15.6 x 4.8 x 18.7mm 最大集电极-发射极饱和电压: -0.5 V
MG6333
供应商: RS
分类: 双极晶体管
描述: Semelab MG6333 , NPN 晶体管, 30 A, Vce=260 V, HFE:50, 3引脚 TO-264封装
晶体管类型: NPN 最大直流集电极电流: 30 A 最大集电极-发射极电压: 260 V 封装类型: TO-264 安装类型: 通孔 最大功率耗散: 400 W 最小直流电流增益: 50 晶体管配置: 单 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 1
供应商: RS
分类: 双极晶体管
描述: Semelab MG6333 , NPN 晶体管, 30 A, Vce=260 V, HFE:50, 3引脚 TO-264封装
晶体管类型: NPN 最大直流集电极电流: 30 A 最大集电极-发射极电压: 260 V 封装类型: TO-264 安装类型: 通孔 最大功率耗散: 400 W 最小直流电流增益: 50 晶体管配置: 单 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 1
ALF16P16W
供应商: RS
分类: MOSFET 晶体管
描述: Semelab ALFET 系列 Si P沟道 MOSFET ALF16P16W, 16 A, Vds=160 V, 3引脚 TO-264封装
通道类型: P 最大连续漏极电流: -16 A 最大漏源电压: -160 V 最大栅阈值电压: 1.5V 最大栅源电压: ±20 V 封装类型: TO-264 安装类型: 通孔 晶体管配置: 单 引脚数目: 3 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 250 W 长度: 26.49mm 宽度: 5.21mm 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si 典型接通延迟时间: 150 ns 典型输入电容值@Vds: 1850 pF V @ -10 典型关断延迟时间: 105 ns 高度: 26.49mm 系列: ALFET 最高工作温度: +150 °C 尺寸: 26.49 x 5.21 x 26.49mm
供应商: RS
分类: MOSFET 晶体管
描述: Semelab ALFET 系列 Si P沟道 MOSFET ALF16P16W, 16 A, Vds=160 V, 3引脚 TO-264封装
通道类型: P 最大连续漏极电流: -16 A 最大漏源电压: -160 V 最大栅阈值电压: 1.5V 最大栅源电压: ±20 V 封装类型: TO-264 安装类型: 通孔 晶体管配置: 单 引脚数目: 3 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 250 W 长度: 26.49mm 宽度: 5.21mm 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si 典型接通延迟时间: 150 ns 典型输入电容值@Vds: 1850 pF V @ -10 典型关断延迟时间: 105 ns 高度: 26.49mm 系列: ALFET 最高工作温度: +150 °C 尺寸: 26.49 x 5.21 x 26.49mm
ALF08P20K
供应商: RS
分类: MOSFET 晶体管
描述: Semelab ALFET 系列 Si P沟道 MOSFET ALF08P20K, 8 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3封装
通道类型: P 最大连续漏极电流: -8 A 最大漏源电压: -200 V 最大栅阈值电压: 1.5V 最大栅源电压: ±20 V 封装类型: TO-3 安装类型: 通孔 晶体管配置: 单 引脚数目: 3 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 125 W 典型关断延迟时间: 60 ns 系列: ALFET 典型输入电容值@Vds: 700 pF V @ -10 最高工作温度: +150 °C 晶体管材料: Si 每片芯片元件数目: 1 宽度: 25mm 长度: 39mm 尺寸: 39 x 25 x 8.7mm 高度: 8.7mm 典型接通延迟时间: 120 ns
供应商: RS
分类: MOSFET 晶体管
描述: Semelab ALFET 系列 Si P沟道 MOSFET ALF08P20K, 8 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3封装
通道类型: P 最大连续漏极电流: -8 A 最大漏源电压: -200 V 最大栅阈值电压: 1.5V 最大栅源电压: ±20 V 封装类型: TO-3 安装类型: 通孔 晶体管配置: 单 引脚数目: 3 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 125 W 典型关断延迟时间: 60 ns 系列: ALFET 典型输入电容值@Vds: 700 pF V @ -10 最高工作温度: +150 °C 晶体管材料: Si 每片芯片元件数目: 1 宽度: 25mm 长度: 39mm 尺寸: 39 x 25 x 8.7mm 高度: 8.7mm 典型接通延迟时间: 120 ns