GENESIC SEMICONDUCTOR INC
GeneSiC is a pioneer and world leader in Silicon Carbide technology, while also invested in high power Silicon technologies. The global leading manufacturers of industrial and defense systems depend on GeneSiC's technology to elevate the performance and efficiency of their products. GeneSiC technology plays a key enabling role in conserving energy in a wide array of high power systems. Our technology enables efficient harvesting of renewable energy sources.
商品列表
FST8320SM
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE MODULE 20V 80A D61-3SM
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停产 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 80A（DC） 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: D61-3SM 供应商器件封装: D61-3SM 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 20 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 650 mV @ 80 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1.5 mA @ 20 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE MODULE 20V 80A D61-3SM
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停产 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 80A（DC） 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: D61-3SM 供应商器件封装: D61-3SM 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 20 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 650 mV @ 80 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1.5 mA @ 20 V
UFT14020
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE GEN PURP 200V 70A TO249AB
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停產 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 70A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: TO-249AB 供应商器件封装: TO-249AB 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200 V 反向恢复时间 (trr): 75 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 70 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25 µA @ 200 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE GEN PURP 200V 70A TO249AB
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停產 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 70A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: TO-249AB 供应商器件封装: TO-249AB 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200 V 反向恢复时间 (trr): 75 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 70 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25 µA @ 200 V
GKN26/04
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 400V 电流-平均整流（Io）: 25A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.55V @ 60A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 4mA @ 400V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商器件封装: DO-4 工作温度-结: -40°C ~ 180°C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 400V 电流-平均整流（Io）: 25A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.55V @ 60A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 4mA @ 400V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商器件封装: DO-4 工作温度-结: -40°C ~ 180°C
FST8345SM
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE MODULE 45V 80A D61-3SM
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停产 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 80A（DC） 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: D61-3SM 供应商器件封装: D61-3SM 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 45 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 650 mV @ 80 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1.5 mA @ 20 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE MODULE 45V 80A D61-3SM
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停产 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 80A（DC） 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: D61-3SM 供应商器件封装: D61-3SM 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 45 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 650 mV @ 80 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1.5 mA @ 20 V
UFT10060
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE GEN PURP 600V 50A TO249AB
二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 600V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 50A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.7V @ 50A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 90ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 25µA @ 600V 工作温度-结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: TO-249AB 供应商器件封装: TO-249AB
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE GEN PURP 600V 50A TO249AB
二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 600V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 50A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.7V @ 50A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 90ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 25µA @ 600V 工作温度-结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: TO-249AB 供应商器件封装: TO-249AB
GBU15G
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: Bridge Rectifier 单相 标准 400V 通孔 GBU
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 单相 技术: 标准 电压-峰值反向（最大值）: 400V 电流-平均整流（Io）: 15A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.1V @ 15A 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 5µA @ 400V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 4-SIP，GBU 供应商器件封装: GBU
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: Bridge Rectifier 单相 标准 400V 通孔 GBU
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 单相 技术: 标准 电压-峰值反向（最大值）: 400V 电流-平均整流（Io）: 15A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.1V @ 15A 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 5µA @ 400V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 4-SIP，GBU 供应商器件封装: GBU
MBR12080CT
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE MODULE 80V 120A 2TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管配置: 1 对共阳极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 120A（DC） 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 双塔架 供应商器件封装: 双塔架 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 80 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 840 mV @ 60 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 20 V 基本产品编号: MBR12080
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE MODULE 80V 120A 2TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管配置: 1 对共阳极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 120A（DC） 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 双塔架 供应商器件封装: 双塔架 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 80 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 840 mV @ 60 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 20 V 基本产品编号: MBR12080
1N1190
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 35A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-203AB，DO-5，接线柱 供应商器件封装: DO-5 工作温度 - 结: -65°C ~ 190°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 600 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 35 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 50 V 基本产品编号: 1N1190
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 35A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-203AB，DO-5，接线柱 供应商器件封装: DO-5 工作温度 - 结: -65°C ~ 190°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 600 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 35 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 50 V 基本产品编号: 1N1190
MUR30020CTR
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: Diode Array 1 对共阳极 标准 200V 300A（DC） 底座安装 双塔架
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管配置: 1 对共阳极 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 200V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 300A（DC） 不同If时的电压-正向（Vf: 1.3V @ 100A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 90ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 25µA @ 50V 工作温度-结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 双塔架 供应商器件封装: 双塔架
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: Diode Array 1 对共阳极 标准 200V 300A（DC） 底座安装 双塔架
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管配置: 1 对共阳极 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 200V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 300A（DC） 不同If时的电压-正向（Vf: 1.3V @ 100A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 90ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 25µA @ 50V 工作温度-结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 双塔架 供应商器件封装: 双塔架
MBR600150CTR
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管配置: 1 对共阳极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 300A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 双塔架 供应商器件封装: 双塔架 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 150 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 880 mV @ 300 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 150 V 基本产品编号: MBR600150
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管配置: 1 对共阳极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 300A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 双塔架 供应商器件封装: 双塔架 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 150 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 880 mV @ 300 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 150 V 基本产品编号: MBR600150