1N1190
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分立半导体产品>>二极管 - 整流器 - 单
描述
DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
物料参数
| 制造商: | GeneSiC Semiconductor |
| 系列: | - |
| 包装: | 散装 |
| 零件状态: | 在售 |
| 二极管类型: | 标准 |
| 电流 - 平均整流 (Io): | 35A |
| 速度: | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 不同 Vr、F 时电容: | - |
| 安装类型: | 底座，接线柱安装 |
| 封装/外壳: | DO-203AB，DO-5，接线柱 |
| 供应商器件封装: | DO-5 |
| 工作温度 - 结: | -65°C ~ 190°C |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: | 600 V |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 1.2 V @ 35 A |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 10 µA @ 50 V |
| 基本产品编号: | 1N1190 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 800+ | ¥6.2320 |
| 包装：800 | 库存：0 |