GENESIC SEMICONDUCTOR INC
GeneSiC is a pioneer and world leader in Silicon Carbide technology, while also invested in high power Silicon technologies. The global leading manufacturers of industrial and defense systems depend on GeneSiC's technology to elevate the performance and efficiency of their products. GeneSiC technology plays a key enabling role in conserving energy in a wide array of high power systems. Our technology enables efficient harvesting of renewable energy sources.
商品列表
KBP2010
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: 桥式整流器 系列: - 包装: 散装 二极管类型: 单相 电压-峰值反向（最大值）: 1000V 电流-DC正向（If）: 2A 安装类型: 通孔 封装/外壳: 4-SIP，KBP 供应商器件封装: KBP 其它名称: KBP2010GN
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: 桥式整流器 系列: - 包装: 散装 二极管类型: 单相 电压-峰值反向（最大值）: 1000V 电流-DC正向（If）: 2A 安装类型: 通孔 封装/外壳: 4-SIP，KBP 供应商器件封装: KBP 其它名称: KBP2010GN
MSRT15060(A)
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE MODULE 600V 150A 3TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 150A（DC） 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 三塔 供应商器件封装: 三塔 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 600 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 150 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 600 V 基本产品编号: MSRT15060
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE MODULE 600V 150A 3TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 150A（DC） 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 三塔 供应商器件封装: 三塔 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 600 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 150 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 600 V 基本产品编号: MSRT15060
GKR71/12
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 标准 底座，接线柱安装 二极管 1200V 95A DO-5
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 1200V 电流-平均整流（Io）: 95A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.5V @ 60A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10mA @ 1200V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-203AB，DO-5，接线柱 供应商器件封装: DO-5 工作温度-结: -40°C ~ 180°C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 标准 底座，接线柱安装 二极管 1200V 95A DO-5
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 1200V 电流-平均整流（Io）: 95A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.5V @ 60A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10mA @ 1200V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-203AB，DO-5，接线柱 供应商器件封装: DO-5 工作温度-结: -40°C ~ 180°C
MSRT150140(A)D
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE GEN 1.4KV 150A 3 TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管配置: 1 对串联 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 150A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 三塔 供应商器件封装: 三塔 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1400 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 150 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 1400 V 基本产品编号: MSRT150140
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE GEN 1.4KV 150A 3 TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管配置: 1 对串联 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 150A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 三塔 供应商器件封装: 三塔 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1400 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 150 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 1400 V 基本产品编号: MSRT150140
GKR130/14
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 1.4KV 165A DO205
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 165A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-205AA，DO-8，接线柱 供应商器件封装: DO-205AA（DO-8） 工作温度 - 结: -40°C ~ 180°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1400 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V @ 60 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 22 mA @ 1400 V 基本产品编号: GKR130
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 1.4KV 165A DO205
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 165A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-205AA，DO-8，接线柱 供应商器件封装: DO-205AA（DO-8） 工作温度 - 结: -40°C ~ 180°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1400 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V @ 60 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 22 mA @ 1400 V 基本产品编号: GKR130
MBRF500200
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 200V 250A TO244AB
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停產 二极管配置: 1 对共阳极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 250A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: TO-244AB 供应商器件封装: TO-244AB 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 920 mV @ 250 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 200 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 200V 250A TO244AB
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停產 二极管配置: 1 对共阳极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 250A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: TO-244AB 供应商器件封装: TO-244AB 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 920 mV @ 250 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 200 V
MSRTA50080(A)
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE MODULE 800V 500A 3TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 500A（DC） 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 三塔 供应商器件封装: 三塔 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 800V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2V @ 500A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25µA @ 600V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE MODULE 800V 500A 3TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 500A（DC） 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 三塔 供应商器件封装: 三塔 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 800V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2V @ 500A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25µA @ 600V
GKN240/18
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 标准 底座，接线柱安装 二极管 1800V 165A DO-205AB，DO-9
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 1800V 电流-平均整流（Io）: 165A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.5V @ 60A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 22mA @ 1800V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-205AB，DO-9，接线柱 供应商器件封装: DO-205AB，DO-9 工作温度-结: -55°C ~ 150°C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 标准 底座，接线柱安装 二极管 1800V 165A DO-205AB，DO-9
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 1800V 电流-平均整流（Io）: 165A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.5V @ 60A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 22mA @ 1800V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-205AB，DO-9，接线柱 供应商器件封装: DO-205AB，DO-9 工作温度-结: -55°C ~ 150°C
MSRTA200100(A)D
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管配置: 1 对串联 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 三塔 供应商器件封装: 三塔 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1000V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1V @ 200A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10µA @ 1000V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管配置: 1 对串联 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 三塔 供应商器件封装: 三塔 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1000V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1V @ 200A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10µA @ 1000V
MSRTA500140(A)
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE MODULE 1.4KV 500A 3TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 500A（DC） 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 三塔 供应商器件封装: 三塔 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1400V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2V @ 500A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25µA @ 600V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE MODULE 1.4KV 500A 3TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 500A（DC） 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 三塔 供应商器件封装: 三塔 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1400V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2V @ 500A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25µA @ 600V