ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) 是为下列主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：(I) 数字消费电子、(II) 网络、(III) 移动通信和 (IV) 汽车电子。 我们的主要产品是高速、低功耗 SRAM 和中低密度 DRAM。 我们还设计和销售 EEPROM 和伪 SRAM。 我们面向高增长市场提供低成本、高质量的半导体产品，并寻求与客户建立长期合作关系。 长期以来，我们一直是存储器产品（包含较低密度和较小批量产品）的可靠供应商，即使在产能紧张的时期亦是如此
商品列表
IS42S32800D-6BI-TR
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM 存储容量: 256Mb（8M x 32） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 90-TFBGA 供应商器件封装: 90-TFBGA（8x13） 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 5.4 ns
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM 存储容量: 256Mb（8M x 32） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 90-TFBGA 供应商器件封装: 90-TFBGA（8x13） 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 5.4 ns
%20Renders/54-TSOP.jpg)
IS45S16320F-6CTLA1
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM 存储容量: 512Mb（32M x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 54-TSOP（0.400，10.16mm 宽） 供应商器件封装: 54-TSOP II 时钟频率: 167 MHz 访问时间: 5.4 ns 基本产品编号: IS45S16320
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM 存储容量: 512Mb（32M x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 54-TSOP（0.400，10.16mm 宽） 供应商器件封装: 54-TSOP II 时钟频率: 167 MHz 访问时间: 5.4 ns 基本产品编号: IS45S16320
IS42S16800F-6BLI-TR
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM 存储容量: 128Mb（8M x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 54-TFBGA 供应商器件封装: 54-TFBGA（8x8） 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 5.4 ns 基本产品编号: IS42S16800
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM 存储容量: 128Mb（8M x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 54-TFBGA 供应商器件封装: 54-TFBGA（8x8） 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 5.4 ns 基本产品编号: IS42S16800
IS42S16400J-5BL-TR
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM 存储容量: 64Mb（4M x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: 0°C ~ 70°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 54-TFBGA 供应商器件封装: 54-TFBGA（8x8） 时钟频率: 200 MHz 访问时间: 4.8 ns 基本产品编号: IS42S16400
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM 存储容量: 64Mb（4M x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: 0°C ~ 70°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 54-TFBGA 供应商器件封装: 54-TFBGA（8x8） 时钟频率: 200 MHz 访问时间: 4.8 ns 基本产品编号: IS42S16400
IS61LV256-12TLI-TR
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 256Kb（32K x 8） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 12ns 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 28-TSSOP（0.465，11.80mm 宽） 供应商器件封装: 28-TSOP I 访问时间: 12 ns
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 256Kb（32K x 8） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 12ns 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 28-TSSOP（0.465，11.80mm 宽） 供应商器件封装: 28-TSOP I 访问时间: 12 ns
IS61QDPB42M36A-500M3LI
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 有源 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 同步，QUADP 存储容量: 72Mb（2M x 36） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 1.71V ~ 1.89V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 165-LBGA 供应商器件封装: 165-LFBGA（15x17） 时钟频率: 500 MHz 访问时间: 8.4 ns 基本产品编号: IS61QDPB42
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 有源 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 同步，QUADP 存储容量: 72Mb（2M x 36） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 1.71V ~ 1.89V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 165-LBGA 供应商器件封装: 165-LFBGA（15x17） 时钟频率: 500 MHz 访问时间: 8.4 ns 基本产品编号: IS61QDPB42
IS42SM32160C-75BLI-TR
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90WBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: Digi-Key 停产 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - 移动 存储容量: 512Mb（16M x 32） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 90-LFBGA 供应商器件封装: 90-WBGA（8x13） 时钟频率: 133 MHz 访问时间: 5.4 ns
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90WBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: Digi-Key 停产 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - 移动 存储容量: 512Mb（16M x 32） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 90-LFBGA 供应商器件封装: 90-WBGA（8x13） 时钟频率: 133 MHz 访问时间: 5.4 ns
IS61NLF25618EC-7.5TQLI-TR
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100LQFP
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 在售 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 同步，SDR 存储容量: 4.5Mb（256K x 18） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3.135V ~ 3.465V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 100-LQFP 供应商器件封装: 100-LQFP（14x20） 时钟频率: 117 MHz 访问时间: 7.5 ns 基本产品编号: IS61NLF25618
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100LQFP
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 在售 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 同步，SDR 存储容量: 4.5Mb（256K x 18） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3.135V ~ 3.465V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 100-LQFP 供应商器件封装: 100-LQFP（14x20） 时钟频率: 117 MHz 访问时间: 7.5 ns 基本产品编号: IS61NLF25618
IS61DDB42M18-250M3L
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: Digi-Key 停产 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 同步，DDR II 存储容量: 36Mb（2M x 18） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 1.71V ~ 1.89V 工作温度: 0°C ~ 70°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 165-LBGA 供应商器件封装: 165-LFBGA（15x17） 时钟频率: 250 MHz 访问时间: 5.85 ns
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: Digi-Key 停产 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 同步，DDR II 存储容量: 36Mb（2M x 18） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 1.71V ~ 1.89V 工作温度: 0°C ~ 70°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 165-LBGA 供应商器件封装: 165-LFBGA（15x17） 时钟频率: 250 MHz 访问时间: 5.85 ns
IS43LD32320A-25BLI-TR
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: Digi-Key 停止提供 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - 移动 LPDDR2 存储容量: 1Gb（32M x 32） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 15ns 电压 - 供电: 1.14V ~ 1.95V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 134-TFBGA 供应商器件封装: 134-TFBGA（10x11.5） 时钟频率: 400 MHz
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: Digi-Key 停止提供 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - 移动 LPDDR2 存储容量: 1Gb（32M x 32） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 15ns 电压 - 供电: 1.14V ~ 1.95V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 134-TFBGA 供应商器件封装: 134-TFBGA（10x11.5） 时钟频率: 400 MHz