ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) 是为下列主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：(I) 数字消费电子、(II) 网络、(III) 移动通信和 (IV) 汽车电子。 我们的主要产品是高速、低功耗 SRAM 和中低密度 DRAM。 我们还设计和销售 EEPROM 和伪 SRAM。 我们面向高增长市场提供低成本、高质量的半导体产品，并寻求与客户建立长期合作关系。 长期以来，我们一直是存储器产品（包含较低密度和较小批量产品）的可靠供应商，即使在产能紧张的时期亦是如此
商品列表
IS46R16160D-6BLA2
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60TFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 不適用於新設計 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - DDR 存储容量: 256Mb（16M x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 15ns 电压 - 供电: 2.3V ~ 2.7V 工作温度: -40°C ~ 105°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 60-TFBGA 供应商器件封装: 60-TFBGA（8x13） 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 700 ps 基本产品编号: IS46R16160
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60TFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 不適用於新設計 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - DDR 存储容量: 256Mb（16M x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 15ns 电压 - 供电: 2.3V ~ 2.7V 工作温度: -40°C ~ 105°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 60-TFBGA 供应商器件封装: 60-TFBGA（8x13） 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 700 ps 基本产品编号: IS46R16160
IS62WV5128DALL-55BI
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: Digi-Key 停产 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 4Mb（512K x 8） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 55ns 电压 - 供电: 1.65V ~ 2.2V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 36-TFBGA 供应商器件封装: 36-TFBGA（6x8） 访问时间: 55 ns
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: Digi-Key 停产 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 4Mb（512K x 8） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 55ns 电压 - 供电: 1.65V ~ 2.2V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 36-TFBGA 供应商器件封装: 36-TFBGA（6x8） 访问时间: 55 ns
IS46LR16320C-6BLA2-TR
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 在售 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - 移动 LPDDR 存储容量: 512Mb（32M x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 15ns 电压 - 供电: 1.7V ~ 1.95V 工作温度: -40°C ~ 105°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 60-TFBGA 供应商器件封装: 60-TFBGA（8x10） 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 5.5 ns 基本产品编号: IS46LR16320
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 在售 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - 移动 LPDDR 存储容量: 512Mb（32M x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 15ns 电压 - 供电: 1.7V ~ 1.95V 工作温度: -40°C ~ 105°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 60-TFBGA 供应商器件封装: 60-TFBGA（8x10） 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 5.5 ns 基本产品编号: IS46LR16320
IS42S32160B-6BLI-TR
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90WBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM 存储容量: 512Mb（16M x 32） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 90-TFBGA 供应商器件封装: 90-WBGA（11x13） 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 5.4 ns
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90WBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM 存储容量: 512Mb（16M x 32） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 90-TFBGA 供应商器件封装: 90-WBGA（11x13） 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 5.4 ns
IS61LPS204818B-200TQLI-TR
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 100LQFP
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 在售 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 同步，SDR 存储容量: 36Mb（2M x 18） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3.135V ~ 3.465V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 100-LQFP 供应商器件封装: 100-LQFP（14x20） 时钟频率: 200 MHz 访问时间: 3.1 ns 基本产品编号: IS61LPS204818
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 100LQFP
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 在售 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 同步，SDR 存储容量: 36Mb（2M x 18） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3.135V ~ 3.465V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 100-LQFP 供应商器件封装: 100-LQFP（14x20） 时钟频率: 200 MHz 访问时间: 3.1 ns 基本产品编号: IS61LPS204818
IS42S83200B-7T
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: Digi-Key 停产 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM 存储容量: 256Mb（32M x 8） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: 0°C ~ 70°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 54-TSOP（0.400，10.16mm 宽） 供应商器件封装: 54-TSOP II 时钟频率: 143 MHz 访问时间: 5.4 ns
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: Digi-Key 停产 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM 存储容量: 256Mb（32M x 8） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: 0°C ~ 70°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 54-TSOP（0.400，10.16mm 宽） 供应商器件封装: 54-TSOP II 时钟频率: 143 MHz 访问时间: 5.4 ns
IS64WV10248EDBLL-10CTLA3-TR
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 8Mb（1M x 8） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 10ns 电压 - 供电: 2.4V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 125°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 44-TSOP（0.400，10.16mm 宽） 供应商器件封装: 44-TSOP II 访问时间: 10 ns 基本产品编号: IS64WV10248
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 8Mb（1M x 8） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 10ns 电压 - 供电: 2.4V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 125°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 44-TSOP（0.400，10.16mm 宽） 供应商器件封装: 44-TSOP II 访问时间: 10 ns 基本产品编号: IS64WV10248
IS43LR32800G-6BLI-TR
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - 移动 LPDDR 存储容量: 256Mb（8M x 32） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 15ns 电压 - 供电: 1.7V ~ 1.95V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 90-TFBGA 供应商器件封装: 90-TFBGA（8x13） 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 5.5 ns 基本产品编号: IS43LR32800
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - 移动 LPDDR 存储容量: 256Mb（8M x 32） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 15ns 电压 - 供电: 1.7V ~ 1.95V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 90-TFBGA 供应商器件封装: 90-TFBGA（8x13） 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 5.5 ns 基本产品编号: IS43LR32800
IS46TR16640BL-107MBLA2-TR
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: Automotive, AEC-Q100 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停产 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - DDR3L 存储容量: 1Gb（64M x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 15ns 电压 - 供电: 1.283V ~ 1.45V 工作温度: -40°C ~ 105°C（TC） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 96-TFBGA 供应商器件封装: 96-TWBGA（9x13） 时钟频率: 933 MHz 访问时间: 20 ns
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: Automotive, AEC-Q100 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停产 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - DDR3L 存储容量: 1Gb（64M x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 15ns 电压 - 供电: 1.283V ~ 1.45V 工作温度: -40°C ~ 105°C（TC） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 96-TFBGA 供应商器件封装: 96-TWBGA（9x13） 时钟频率: 933 MHz 访问时间: 20 ns
IS62WV5128DBLL-45BI
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: Digi-Key 停产 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 4Mb（512K x 8） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 45ns 电压 - 供电: 2.3V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 36-TFBGA 供应商器件封装: 36-TFBGA（6x8） 访问时间: 45 ns
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: Digi-Key 停产 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 4Mb（512K x 8） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 45ns 电压 - 供电: 2.3V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 36-TFBGA 供应商器件封装: 36-TFBGA（6x8） 访问时间: 45 ns