LRC LESHAN RADIO CO LTD
Founded in 1970, Leshan Radio Co., Ltd. (abbreviated as LRC) is located in the historic and culture city--Leshan, the center of West China Development. It is a comprehensive electronic enterprise majored in manufacturing of discrete semiconductor devices. After decades of arduous efforts and hard work in China’s reform and opening up, LRC now has grown rapidly into an enterprise group with several wholly-owned subsidiaries and also joint-ventures.
商品列表
MMBT3904LT1G
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: NPN Ic=200mA Vceo=40V hfe=100~300 P=300mW
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 品牌: LRC 额定功率: 300mW Vce饱和压降: 300mV 集射极击穿电压Vce(Max): 40V 包装: Tape/reel 跃迁频率: 300MHz 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极截止电流 (Icbo): - 集电极-发射极电压 VCEO: 40V 配置: 单路 最小包装: 3000pcs 高度: 1.11mm DC电流增益(hFE): 100 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: NPN Ic=200mA Vceo=40V hfe=100~300 P=300mW
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 品牌: LRC 额定功率: 300mW Vce饱和压降: 300mV 集射极击穿电压Vce(Max): 40V 包装: Tape/reel 跃迁频率: 300MHz 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极截止电流 (Icbo): - 集电极-发射极电压 VCEO: 40V 配置: 单路 最小包装: 3000pcs 高度: 1.11mm DC电流增益(hFE): 100 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
D35SB100
供应商: Anychip Mall
分类: 桥式整流器/整流桥
描述: 大电流玻璃钝化成型单相桥式整流器 反向电压100至1000V正向电流35 A
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 正向电流: 17.5A 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 包装: Box packing 正向压降VF: 1.1V 长x宽/尺寸: 30.00 x 4.60mm 存储温度: -55℃~+150℃ 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: DB-4_30X4.6MM_TM 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 1KV 反向耐压VR: 1KV Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 400A 平均整流电流: 10A 最小包装: 250pcs 正向压降VF Max: 1.05V 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 桥式整流器/整流桥
描述: 大电流玻璃钝化成型单相桥式整流器 反向电压100至1000V正向电流35 A
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 正向电流: 17.5A 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 包装: Box packing 正向压降VF: 1.1V 长x宽/尺寸: 30.00 x 4.60mm 存储温度: -55℃~+150℃ 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: DB-4_30X4.6MM_TM 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 1KV 反向耐压VR: 1KV Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 400A 平均整流电流: 10A 最小包装: 250pcs 正向压降VF Max: 1.05V 零件状态: Active
SZAF10A
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: VZ:10V IZT:0.25mA PD:1W
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 正向电流: 200mA 稳压值Vz: 10V 品牌: LRC Izt-测试电流: 25mA 精度: ±5% 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 3.70 x 2.70mm 封装/外壳: SMA-FL(DO-221AC) 反向漏电流IR: 2µA 工作温度: -50℃~+150℃ 标准稳压值: 10V 反向耐压VR: 7.6V 功率耗散（最大值）: 1W 认证信息: RoHS 高度: 1.20mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: VZ:10V IZT:0.25mA PD:1W
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 正向电流: 200mA 稳压值Vz: 10V 品牌: LRC Izt-测试电流: 25mA 精度: ±5% 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 3.70 x 2.70mm 封装/外壳: SMA-FL(DO-221AC) 反向漏电流IR: 2µA 工作温度: -50℃~+150℃ 标准稳压值: 10V 反向耐压VR: 7.6V 功率耗散（最大值）: 1W 认证信息: RoHS 高度: 1.20mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
LMBT5551DW1T1G
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: VCEO:140V IC:600mA
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 225mW 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 额定功率: 225mW 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 140V Vce饱和压降: 200mV 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.20 x 1.35mm 封装/外壳: SOT-363 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 600mA 原产国家: China 高度: 0.90mm 零件状态: Active 晶体管类型: 2个NPN DC电流增益(hFE): 80 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: VCEO:140V IC:600mA
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 225mW 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 额定功率: 225mW 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 140V Vce饱和压降: 200mV 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.20 x 1.35mm 封装/外壳: SOT-363 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 600mA 原产国家: China 高度: 0.90mm 零件状态: Active 晶体管类型: 2个NPN DC电流增益(hFE): 80 引脚数: 6Pin
SZAF30A
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: Vz=30V Izt=8.5mA 稳压二极管1瓦稳态
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 稳压值Vz: 30V 品牌: LRC 功率: 1W Izt-测试电流: 8.5mA 精度: ±5% 包装: Tape/Reel Zzt阻抗: 40Ω 反向漏电流IR: 0.5μA 封装/外壳: SMA-FL(DO-221AC) 工作温度: -50℃~+150℃ Izk-稳定电流Min: 0.25mA 标准稳压值: 30V 反向耐压VR: 22.8V 最小包装: 3000pcs 稳态电流: 8.5mA 功率耗散（最大值）: 1W 认证信息: RoHS 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: Vz=30V Izt=8.5mA 稳压二极管1瓦稳态
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 稳压值Vz: 30V 品牌: LRC 功率: 1W Izt-测试电流: 8.5mA 精度: ±5% 包装: Tape/Reel Zzt阻抗: 40Ω 反向漏电流IR: 0.5μA 封装/外壳: SMA-FL(DO-221AC) 工作温度: -50℃~+150℃ Izk-稳定电流Min: 0.25mA 标准稳压值: 30V 反向耐压VR: 22.8V 最小包装: 3000pcs 稳态电流: 8.5mA 功率耗散（最大值）: 1W 认证信息: RoHS 零件状态: Active
LMBZ5240BLT1G
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 齐纳电压调节器 Vz=10V 9.5V~10.5V Izt=20mA P=225mW SOT23
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 正向电流: 10mA 是否无铅: Yes 稳压值Vz: 10V 包装: Tape/Reel Zzt阻抗: 17Ω 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 反向漏电流IR: 3µA 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃(TJ) 标准稳压值: 10V 最小稳压值: 9.5V 应用等级: AEC-Q101 反向耐压VR: 8V 稳态电流: 20mA 最小包装: 3000pcs 功率耗散（最大值）: 225mW
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 齐纳电压调节器 Vz=10V 9.5V~10.5V Izt=20mA P=225mW SOT23
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 正向电流: 10mA 是否无铅: Yes 稳压值Vz: 10V 包装: Tape/Reel Zzt阻抗: 17Ω 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 反向漏电流IR: 3µA 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃(TJ) 标准稳压值: 10V 最小稳压值: 9.5V 应用等级: AEC-Q101 反向耐压VR: 8V 稳态电流: 20mA 最小包装: 3000pcs 功率耗散（最大值）: 225mW
LM3Z3V3T1G
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: VZ:3.3V IZT:5mA PD:200mW
湿气敏感性等级 (MSL): - 安装类型: SMT 二极管配置: 单路 稳压值Vz: 3.3V 功率: 200mW Izt-测试电流: 5mA 精度: ±6.06% 原始制造商: Leshan Radio Company, Ltd. 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: 5mA 正向压降VF: 900mV 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: SOD-323(SC-76) 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃(TJ) 原产国家: China 动态电阻（最大值）: 95 Ohms 最小包装: 3000pcs 功率耗散（最大值）: 200mW 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: VZ:3.3V IZT:5mA PD:200mW
湿气敏感性等级 (MSL): - 安装类型: SMT 二极管配置: 单路 稳压值Vz: 3.3V 功率: 200mW Izt-测试电流: 5mA 精度: ±6.06% 原始制造商: Leshan Radio Company, Ltd. 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: 5mA 正向压降VF: 900mV 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: SOD-323(SC-76) 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃(TJ) 原产国家: China 动态电阻（最大值）: 95 Ohms 最小包装: 3000pcs 功率耗散（最大值）: 200mW 零件状态: Active
MMBD7000LT1G
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管（小信号）
描述: VR=100V IF=200mA Trr=4ns P=225mW
产品分类: 开关二极管（小信号）二极管 组态: - 反向耐压VR(max): 100V 正向压降VF: 0.7V 平均整流电流IF: 0.2A 反向漏电流IR: 1uA 反向恢复时间(trr): 4ns 总电容C: 1.5pF 应用: 通用 工作温度: -55℃~150℃ 封装/外壳: SOT-23-3(SC-59,TO-236-3)
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管（小信号）
描述: VR=100V IF=200mA Trr=4ns P=225mW
产品分类: 开关二极管（小信号）二极管 组态: - 反向耐压VR(max): 100V 正向压降VF: 0.7V 平均整流电流IF: 0.2A 反向漏电流IR: 1uA 反向恢复时间(trr): 4ns 总电容C: 1.5pF 应用: 通用 工作温度: -55℃~150℃ 封装/外壳: SOT-23-3(SC-59,TO-236-3)
LBC847BTT1G
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用晶体管NPN硅 15nA 45V 200mW 290@2mA,5V 100mA 100MHz 600mV@100mA,5mA NPN -55℃~+150℃@(Tj) SC-89
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 额定功率: 200mW 集电极-基极电压（VCBO）: 50V 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 45V Vce饱和压降: 600mV 极性: NPN 跃迁频率: 100MHz 封装/外壳: SC89 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 45V 集电极电流 Ic: 100mA 最小包装: 3000pcs 特征频率(fT): 100MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 认证信息: RoHS DC电流增益(hFE): 200~450 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用晶体管NPN硅 15nA 45V 200mW 290@2mA,5V 100mA 100MHz 600mV@100mA,5mA NPN -55℃~+150℃@(Tj) SC-89
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 额定功率: 200mW 集电极-基极电压（VCBO）: 50V 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 45V Vce饱和压降: 600mV 极性: NPN 跃迁频率: 100MHz 封装/外壳: SC89 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 45V 集电极电流 Ic: 100mA 最小包装: 3000pcs 特征频率(fT): 100MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 认证信息: RoHS DC电流增益(hFE): 200~450 晶体管类型: NPN
LN2670TZHG
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：4.6A 功率(Pd)：1.5W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 1.5W 阈值电压: 3.2V@250μA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 4.6A 封装/外壳: SOT89-3 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 34pF@30V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 输入电容: 612pF 最小包装: 1000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 14.6nC@10V 零件状态: Active 引脚数: 3Pin 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：4.6A 功率(Pd)：1.5W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 1.5W 阈值电压: 3.2V@250μA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 4.6A 封装/外壳: SOT89-3 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 34pF@30V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 输入电容: 612pF 最小包装: 1000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 14.6nC@10V 零件状态: Active 引脚数: 3Pin 类型: 1个N沟道