LN2670TZHG

品牌
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):4.6A 功率(Pd):1.5W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:LRC
阈值电压:3.2V@250μA
原始制造商:Leshan Radio Co., Ltd.
额定功率:1.5W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):70mΩ@10V,3A
包装:Tape/reel
连续漏极电流:4.6A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:4.50 x 2.50mm
封装/外壳:SOT89-3
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
原产国家:China
输入电容:612pF
漏源电压(Vdss):60V
认证信息:RoHS
栅极电荷(Qg):14.6nC@10V
零件状态:Active
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
1+¥0.5364
10+¥0.5151
100+¥0.4640
500+¥0.4384
包装:1 库存:26