达尔
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AP7384-28Y-13
供应商: RS
分类: LDO低压差线性稳压器
描述: 新产品达尔 LDO 电压调节器控制器, 2.8 V输出, 50mA最大输出, SOT-89封装
输出电压: 2.8 V 最大电流时的降电压: 500mV 输出类型: 固定 封装类型: SOT-89 最大输出电流: 50mA 安装类型: 表面贴装 最小输入电压: 3.3 V 最大输入电压: 40 V 引脚数目: 3 + Tab 极性: 正极 输出数目: 1 静态电流: 2.5µA 最低工作温度: -40°C 最高工作温度: +125 °C 启用: 是 宽度: 2.6mm 高度: 1.6mm 线路调节: 0.05 %/V 长度: 4.6mm 尺寸: 4.6 x 2.6 x 1.6mm 负荷调节: 0.5 V
供应商: RS
分类: LDO低压差线性稳压器
描述: 新产品达尔 LDO 电压调节器控制器, 2.8 V输出, 50mA最大输出, SOT-89封装
输出电压: 2.8 V 最大电流时的降电压: 500mV 输出类型: 固定 封装类型: SOT-89 最大输出电流: 50mA 安装类型: 表面贴装 最小输入电压: 3.3 V 最大输入电压: 40 V 引脚数目: 3 + Tab 极性: 正极 输出数目: 1 静态电流: 2.5µA 最低工作温度: -40°C 最高工作温度: +125 °C 启用: 是 宽度: 2.6mm 高度: 1.6mm 线路调节: 0.05 %/V 长度: 4.6mm 尺寸: 4.6 x 2.6 x 1.6mm 负荷调节: 0.5 V
FMMTA42TA
供应商: RS
分类: 双极型晶体管
描述: 达尔 晶体管, SOT-23封装, 表面贴装安装
晶体管类型: NPN 最大直流集电极电流: 200 mA 最大集电极-发射极电压: 300 V 封装类型: SOT-23 安装类型: 表面贴装 最大功率耗散: 330 mW 晶体管配置: 单 最大集电极-基极电压: 300 V 最大发射极-基极电压: 5 V 最大工作频率: 50 MHz 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 1
供应商: RS
分类: 双极型晶体管
描述: 达尔 晶体管, SOT-23封装, 表面贴装安装
晶体管类型: NPN 最大直流集电极电流: 200 mA 最大集电极-发射极电压: 300 V 封装类型: SOT-23 安装类型: 表面贴装 最大功率耗散: 330 mW 晶体管配置: 单 最大集电极-基极电压: 300 V 最大发射极-基极电压: 5 V 最大工作频率: 50 MHz 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 1
DMN2450UFD-7
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: DiodesZetex MOSFET, N沟道, Vds=20 V, 0.7（状态）A，0.9（稳定）A, 3引脚 X1-DFN1212封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 0.7（状态）A，0.9（稳定）A 最大漏源电压: 20 V 封装类型: X1-DFN1212 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 1.6 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 1V 最小栅阈值电压: 0.45V 最大功率耗散: 890 mW 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±12 V 每片芯片元件数目: 1 正向二极管电压: 1.2V 典型栅极电荷@Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V 高度: 0.48mm 最高工作温度: +150 °C 长度: 1.25mm 宽度: 1.25mm 最低工作温度: -55 °C
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: DiodesZetex MOSFET, N沟道, Vds=20 V, 0.7（状态）A，0.9（稳定）A, 3引脚 X1-DFN1212封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 0.7（状态）A，0.9（稳定）A 最大漏源电压: 20 V 封装类型: X1-DFN1212 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 1.6 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 1V 最小栅阈值电压: 0.45V 最大功率耗散: 890 mW 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±12 V 每片芯片元件数目: 1 正向二极管电压: 1.2V 典型栅极电荷@Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V 高度: 0.48mm 最高工作温度: +150 °C 长度: 1.25mm 宽度: 1.25mm 最低工作温度: -55 °C
GDZ3V6LP3-7
供应商: RS
分类: 稳压二极管
描述: DiodesZetex 1路路 稳压二极管, 3.6V ±5% 250 W, 2引脚 X 3 - DFN 0603封装
额定齐纳电压: 3.6V 安装类型: 表面贴装 每片芯片元件数目: 1 最大功率耗散: 250 W 封装类型: X 3 - DFN 0603 齐纳类型: 超小型 齐纳电压容差: ±5% 引脚数目: 2 测试电流: 5mA 最大反向漏电流: 10µA 长度: 0.62mm 宽度: 0.32mm 尺寸: 0.62 x 0.32 x 0.28mm 最高工作温度: +150 °C 高度: 0.28mm 功率耗散: 250mW 汽车标准: AEC-Q101 最低工作温度: -55 °C
供应商: RS
分类: 稳压二极管
描述: DiodesZetex 1路路 稳压二极管, 3.6V ±5% 250 W, 2引脚 X 3 - DFN 0603封装
额定齐纳电压: 3.6V 安装类型: 表面贴装 每片芯片元件数目: 1 最大功率耗散: 250 W 封装类型: X 3 - DFN 0603 齐纳类型: 超小型 齐纳电压容差: ±5% 引脚数目: 2 测试电流: 5mA 最大反向漏电流: 10µA 长度: 0.62mm 宽度: 0.32mm 尺寸: 0.62 x 0.32 x 0.28mm 最高工作温度: +150 °C 高度: 0.28mm 功率耗散: 250mW 汽车标准: AEC-Q101 最低工作温度: -55 °C
AL5890-40P1-13
供应商: RS
分类: LED显示驱动器
描述: DiodesZetex LED驱动器, 最大电源电流 42 mA, 输出电压 400 V, 2引脚, PowerDI 123封装
电流精确度: 10% 最大电源电流: 42 mA 安装类型: 表面贴装 封装类型: PowerDI 123 引脚数目: 2 典型工作电源电压: 400 V 尺寸: 3 x 1.93 x 1mm 高度: 1mm 长度: 3mm 最高工作温度: +125 °C 最低工作温度: -40°C 输出电压: 400 V 宽度: 1.93mm
供应商: RS
分类: LED显示驱动器
描述: DiodesZetex LED驱动器, 最大电源电流 42 mA, 输出电压 400 V, 2引脚, PowerDI 123封装
电流精确度: 10% 最大电源电流: 42 mA 安装类型: 表面贴装 封装类型: PowerDI 123 引脚数目: 2 典型工作电源电压: 400 V 尺寸: 3 x 1.93 x 1mm 高度: 1mm 长度: 3mm 最高工作温度: +125 °C 最低工作温度: -40°C 输出电压: 400 V 宽度: 1.93mm
GDZ3V3LP3-7
供应商: RS
分类: 稳压二极管
描述: 达尔 1路路 稳压二极管, 3.3V ±5% 250 W, 2引脚 X 3 - DFN 0603封装
额定齐纳电压: 3.3V 安装类型: 表面贴装 每片芯片元件数目: 1 最大功率耗散: 250 W 封装类型: X 3 - DFN 0603 齐纳类型: 超小型 齐纳电压容差: ±5% 引脚数目: 2 测试电流: 5mA 最大反向漏电流: 10µA 长度: 0.62mm 宽度: 0.32mm 尺寸: 0.62 x 0.32 x 0.28mm 功率耗散: 250mW 汽车标准: AEC-Q101 高度: 0.28mm 最低工作温度: -55 °C 最高工作温度: +150 °C
供应商: RS
分类: 稳压二极管
描述: 达尔 1路路 稳压二极管, 3.3V ±5% 250 W, 2引脚 X 3 - DFN 0603封装
额定齐纳电压: 3.3V 安装类型: 表面贴装 每片芯片元件数目: 1 最大功率耗散: 250 W 封装类型: X 3 - DFN 0603 齐纳类型: 超小型 齐纳电压容差: ±5% 引脚数目: 2 测试电流: 5mA 最大反向漏电流: 10µA 长度: 0.62mm 宽度: 0.32mm 尺寸: 0.62 x 0.32 x 0.28mm 功率耗散: 250mW 汽车标准: AEC-Q101 高度: 0.28mm 最低工作温度: -55 °C 最高工作温度: +150 °C
ZXCT1030N8TA
供应商: RS
分类: 电流检测放大器
描述: DiodesZetex 电流检测芯片, 开路集电极输出, SOIC封装
电源类型: 单 典型单电源电压: 2.2 → 20 V 每片芯片通道数目: 1 输出类型: 开路集电极 最大电源电流: 350 μA 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOIC 引脚数目: 8 尺寸: 5 x 4 x 1.5mm 高度: 1.5mm 长度: 5mm 最大工作电源电压: 20 V
供应商: RS
分类: 电流检测放大器
描述: DiodesZetex 电流检测芯片, 开路集电极输出, SOIC封装
电源类型: 单 典型单电源电压: 2.2 → 20 V 每片芯片通道数目: 1 输出类型: 开路集电极 最大电源电流: 350 μA 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOIC 引脚数目: 8 尺寸: 5 x 4 x 1.5mm 高度: 1.5mm 长度: 5mm 最大工作电源电压: 20 V
AP8800FNG-7
供应商: RS
分类: DC-DC转换器
描述: DiodesZetex 直流直流转换器, 最大输入28 V, 最大输出28 V, 最大输出350mA, 降压转换器, 10引脚
最大输出电压: 28 V 最小输入电压: 8 V 最大输入电压: 28 V 最大输出电流: 350mA 转换器类型: 降压 输出数目: 1 输出类型: 可调整的 安装类型: 表面贴装 最高开关频率: 500 kHz 封装类型: DFN 引脚数目: 10 最高工作温度: +85 °C 最低工作温度: -40 °C
供应商: RS
分类: DC-DC转换器
描述: DiodesZetex 直流直流转换器, 最大输入28 V, 最大输出28 V, 最大输出350mA, 降压转换器, 10引脚
最大输出电压: 28 V 最小输入电压: 8 V 最大输入电压: 28 V 最大输出电流: 350mA 转换器类型: 降压 输出数目: 1 输出类型: 可调整的 安装类型: 表面贴装 最高开关频率: 500 kHz 封装类型: DFN 引脚数目: 10 最高工作温度: +85 °C 最低工作温度: -40 °C
AP7383-50W5-7
供应商: RS
分类: LDO低压差线性稳压器
描述: DiodesZetex LDO 电压调节器控制器, 5 V输出, 150mA最大输出, SOT-25封装
最大电流时的降电压: 1.5V 输出电压: 5 V 输出类型: 固定 封装类型: SOT-25 最大输出电流: 150mA 安装类型: 表面贴装 最小输入电压: 3.5 V 最大输入电压: 30 V 引脚数目: 5 极性: 正极 输出数目: 1 静态电流: 1.8µA 最低工作温度: -40°C 最高工作温度: +125 °C 负荷调节: 0.5 V 启用: 是 高度: 1.3mm 线路调节: 0.05 %/V 尺寸: 3.1 x 1.7 x 1.3mm 长度: 3.1mm 宽度: 1.7mm
供应商: RS
分类: LDO低压差线性稳压器
描述: DiodesZetex LDO 电压调节器控制器, 5 V输出, 150mA最大输出, SOT-25封装
最大电流时的降电压: 1.5V 输出电压: 5 V 输出类型: 固定 封装类型: SOT-25 最大输出电流: 150mA 安装类型: 表面贴装 最小输入电压: 3.5 V 最大输入电压: 30 V 引脚数目: 5 极性: 正极 输出数目: 1 静态电流: 1.8µA 最低工作温度: -40°C 最高工作温度: +125 °C 负荷调节: 0.5 V 启用: 是 高度: 1.3mm 线路调节: 0.05 %/V 尺寸: 3.1 x 1.7 x 1.3mm 长度: 3.1mm 宽度: 1.7mm
DMG3415U-7-57
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: DiodesZetex MOSFET, P沟道, Vds=20 V, 3.5（状态）A，4（稳定）A, 3引脚 SOT-23封装
通道类型: P 最大连续漏极电流: 3.5（状态）A，4（稳定）A 最大漏源电压: 20 V 封装类型: SOT-23 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 71 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 1V 最小栅阈值电压: 0.3V 最大功率耗散: 900 mW 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±8 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 1.4mm 高度: 1mm 长度: 3mm 最高工作温度: +150 °C 最低工作温度: -55 °C 典型栅极电荷@Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V 汽车标准: AEC-Q101
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: DiodesZetex MOSFET, P沟道, Vds=20 V, 3.5（状态）A，4（稳定）A, 3引脚 SOT-23封装
通道类型: P 最大连续漏极电流: 3.5（状态）A，4（稳定）A 最大漏源电压: 20 V 封装类型: SOT-23 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 71 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 1V 最小栅阈值电压: 0.3V 最大功率耗散: 900 mW 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±8 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 1.4mm 高度: 1mm 长度: 3mm 最高工作温度: +150 °C 最低工作温度: -55 °C 典型栅极电荷@Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V 汽车标准: AEC-Q101