英飞凌
None
商品列表
BTS3104SDL
供应商: RS
分类: 智能电源开关
描述: Infineon BTS3104SDLATMA1, 单输出 智能电源开关, 低侧开关, 2A, 60V, 3引脚 TO-252封装
电源开关类型: 低边开关 开关接通电阻值: 104mΩ 输出数目: 1 电压: 60V 电流: 2A 安装类型: 表面贴装 封装类型: TO-252 引脚数目: 3 尺寸: 6.5 x 6.22 x 2.3mm 长度: 6.5mm 宽度: 6.22mm 高度: 2.3mm 最高工作温度: +150 °C 最低工作温度: -40 °C
供应商: RS
分类: 智能电源开关
描述: Infineon BTS3104SDLATMA1, 单输出 智能电源开关, 低侧开关, 2A, 60V, 3引脚 TO-252封装
电源开关类型: 低边开关 开关接通电阻值: 104mΩ 输出数目: 1 电压: 60V 电流: 2A 安装类型: 表面贴装 封装类型: TO-252 引脚数目: 3 尺寸: 6.5 x 6.22 x 2.3mm 长度: 6.5mm 宽度: 6.22mm 高度: 2.3mm 最高工作温度: +150 °C 最低工作温度: -40 °C
IPI120N04S401AKSA1
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI120N04S401AKSA1, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 120 A 最大漏源电压: 40 V 最大漏源电阻值: 1.9 mΩ 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: I2PAK (TO-262) 安装类型: 通孔 晶体管配置: 单 引脚数目: 3 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 188 W 高度: 9.25mm 系列: OptiMOS T2 最高工作温度: +175 °C 长度: 10mm 尺寸: 10 x 4.4 x 9.25mm 晶体管材料: Si 典型接通延迟时间: 34 ns 最低工作温度: -55 °C 典型栅极电荷@Vgs: 135 nC @ 10 V 宽度: 4.4mm 每片芯片元件数目: 1 典型输入电容值@Vds: 10770 pF @ 25 V 典型关断延迟时间: 41 ns
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI120N04S401AKSA1, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 120 A 最大漏源电压: 40 V 最大漏源电阻值: 1.9 mΩ 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: I2PAK (TO-262) 安装类型: 通孔 晶体管配置: 单 引脚数目: 3 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 188 W 高度: 9.25mm 系列: OptiMOS T2 最高工作温度: +175 °C 长度: 10mm 尺寸: 10 x 4.4 x 9.25mm 晶体管材料: Si 典型接通延迟时间: 34 ns 最低工作温度: -55 °C 典型栅极电荷@Vgs: 135 nC @ 10 V 宽度: 4.4mm 每片芯片元件数目: 1 典型输入电容值@Vds: 10770 pF @ 25 V 典型关断延迟时间: 41 ns
AUIPS7081
供应商: RS
分类: 开关电源芯片
描述: Infineon , 单输出输出 智能电源开关, 高侧开关, 2.3A, -0.3 → 5.5V, 5引脚 TO-220封装
电源开关类型: 高侧开关 开关接通电阻值: 130mΩ 输出数目: 1 安装类型: 通孔 封装类型: TO-220 引脚数目: 5 最高工作温度: +150 °C 最低工作温度: -40 °C 尺寸: 10.67 x 4.83 x 16.51mm
供应商: RS
分类: 开关电源芯片
描述: Infineon , 单输出输出 智能电源开关, 高侧开关, 2.3A, -0.3 → 5.5V, 5引脚 TO-220封装
电源开关类型: 高侧开关 开关接通电阻值: 130mΩ 输出数目: 1 安装类型: 通孔 封装类型: TO-220 引脚数目: 5 最高工作温度: +150 °C 最低工作温度: -40 °C 尺寸: 10.67 x 4.83 x 16.51mm
BTS5242-2L
供应商: RS
分类: 开关电源芯片
描述: 英飞凌 开关电源芯片, 28 V电源, 12引脚, 开关接通电阻值48mΩ, 高侧开关
电源开关类型: 高侧开关 电源开关拓扑: 高侧 开关接通电阻值: 48mΩ 最大工作电源电压: 28 V 输出数目: 4 最大工作电流: 6A 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOIC 引脚数目: 12 最高工作温度: +150 °C 最低工作温度: -40°C 尺寸: 6.4 x 7.5 x 2.35mm
供应商: RS
分类: 开关电源芯片
描述: 英飞凌 开关电源芯片, 28 V电源, 12引脚, 开关接通电阻值48mΩ, 高侧开关
电源开关类型: 高侧开关 电源开关拓扑: 高侧 开关接通电阻值: 48mΩ 最大工作电源电压: 28 V 输出数目: 4 最大工作电流: 6A 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOIC 引脚数目: 12 最高工作温度: +150 °C 最低工作温度: -40°C 尺寸: 6.4 x 7.5 x 2.35mm
BAV199E6327
供应商: RS
分类: bav199e6327
描述: Infineon 二极管, 峰值反向重复电压 85V, 3引脚 SOT-23封装, 最高工作温度 +150 °C
最大连续正向电流: 200mA 二极管配置: 串行 每片芯片元件数目: 2 峰值反向重复电压: 85V 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOT-23 二极管类型: 硅结型 二极管技术: 硅结型 引脚数目: 3 最大正向电压降: 1.25V 长度: 2.9mm 宽度: 1.3mm 高度: 0.9mm 峰值反向回复时间: 1.5µs 最高工作温度: +150 °C 峰值非重复正向浪涌电流: 4.5A 尺寸: 2.9 x 1.3 x 0.9mm 峰值反向电流: 80nA
供应商: RS
分类: bav199e6327
描述: Infineon 二极管, 峰值反向重复电压 85V, 3引脚 SOT-23封装, 最高工作温度 +150 °C
最大连续正向电流: 200mA 二极管配置: 串行 每片芯片元件数目: 2 峰值反向重复电压: 85V 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOT-23 二极管类型: 硅结型 二极管技术: 硅结型 引脚数目: 3 最大正向电压降: 1.25V 长度: 2.9mm 宽度: 1.3mm 高度: 0.9mm 峰值反向回复时间: 1.5µs 最高工作温度: +150 °C 峰值非重复正向浪涌电流: 4.5A 尺寸: 2.9 x 1.3 x 0.9mm 峰值反向电流: 80nA
BC817K-16E6433
供应商: RS
分类: 双极型晶体管
描述: 英飞凌 双极晶体管, SOT-23封装, 表面贴装安装
晶体管类型: NPN 最大直流集电极电流: 500 mA 最大集电极-发射极电压: 45 V 封装类型: SOT-23 安装类型: 表面贴装 最大功率耗散: 500 mW 晶体管配置: 单 最大集电极-基极电压: 50 V 最大发射极-基极电压: 5 V 最大工作频率: 170 MHz 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 1
供应商: RS
分类: 双极型晶体管
描述: 英飞凌 双极晶体管, SOT-23封装, 表面贴装安装
晶体管类型: NPN 最大直流集电极电流: 500 mA 最大集电极-发射极电压: 45 V 封装类型: SOT-23 安装类型: 表面贴装 最大功率耗散: 500 mW 晶体管配置: 单 最大集电极-基极电压: 50 V 最大发射极-基极电压: 5 V 最大工作频率: 170 MHz 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 1
IRS2526DSPBF
供应商: RS
分类: 栅极驱动器
描述: Infineon IRS2526DSPBF 照明镇流器驱动器, 半桥, 15V, 8引脚 SOIC封装
引脚数目: 8 封装类型: SOIC 驱动器数目: 1 电桥类型: 半桥 安装类型: 表面贴装
供应商: RS
分类: 栅极驱动器
描述: Infineon IRS2526DSPBF 照明镇流器驱动器, 半桥, 15V, 8引脚 SOIC封装
引脚数目: 8 封装类型: SOIC 驱动器数目: 1 电桥类型: 半桥 安装类型: 表面贴装
BSC159N10LSFGATMA1
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, OptiMOS 2 系列, N沟道, Si, Vds=100 V, 63 A, 8引脚 TDSON封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 63 A 最大漏源电压: 100 V 封装类型: TDSON 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 21.5 mΩ 通道模式: 增强 最大功率耗散: 114 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 5.35mm 晶体管材料: Si 最低工作温度: -55 °C 正向二极管电压: 1.2V 长度: 6.1mm 典型栅极电荷@Vgs: 26 nC @ 10 V 高度: 1.1mm 系列: OptiMOS 2 最高工作温度: +150 °C
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, OptiMOS 2 系列, N沟道, Si, Vds=100 V, 63 A, 8引脚 TDSON封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 63 A 最大漏源电压: 100 V 封装类型: TDSON 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 21.5 mΩ 通道模式: 增强 最大功率耗散: 114 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 5.35mm 晶体管材料: Si 最低工作温度: -55 °C 正向二极管电压: 1.2V 长度: 6.1mm 典型栅极电荷@Vgs: 26 nC @ 10 V 高度: 1.1mm 系列: OptiMOS 2 最高工作温度: +150 °C
IR2108PBF
供应商: RS
分类: MOSFET 驱动器
描述: 英飞凌 MOSFET 驱动器 双路 半桥, 0.35A, 8引脚 PDIP封装 反相，非反相 半桥
驱动器数目: 2 最小工作电源电压: 10 V 最大工作电源电压: 20 V 拓扑: 半桥 安装类型: 通孔 峰值输出电流: 0.35A 输出数目: 2 极性: 反相，非反相 封装类型: PDIP 引脚数目: 8 电桥类型: 半桥 输入逻辑兼容性: CMOS，LSTTL 高压侧和低压侧相关性: 同步 尺寸: 10.92 x 7.11 x 5.33mm 长度: 10.92mm 高度: 5.33mm 最高工作温度: +125 °C 最低工作温度: -40 °C 宽度: 7.11mm
供应商: RS
分类: MOSFET 驱动器
描述: 英飞凌 MOSFET 驱动器 双路 半桥, 0.35A, 8引脚 PDIP封装 反相，非反相 半桥
驱动器数目: 2 最小工作电源电压: 10 V 最大工作电源电压: 20 V 拓扑: 半桥 安装类型: 通孔 峰值输出电流: 0.35A 输出数目: 2 极性: 反相，非反相 封装类型: PDIP 引脚数目: 8 电桥类型: 半桥 输入逻辑兼容性: CMOS，LSTTL 高压侧和低压侧相关性: 同步 尺寸: 10.92 x 7.11 x 5.33mm 长度: 10.92mm 高度: 5.33mm 最高工作温度: +125 °C 最低工作温度: -40 °C 宽度: 7.11mm