IXYS
IXYS is a pioneer in the development of power semiconductors, integrated circuits and RF systems that effectively monitor electrical voltage to produce maximum effect with least expenditure of energy.
商品列表
IXYH50N65C3
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 650V 130A 600W TO247
制造商: IXYS 系列: GenX3™, XPT™ 包装: 管件 零件状态: 有源 IGBT 类型: PT 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.1V @ 15V，36A 开关能量: 1.3mJ（开），370µJ（关） 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 22ns/80ns 测试条件: 400V，36A，5 欧姆，15V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247（IXYH） 电压 - 集射极击穿（最大值）: 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 130 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 250 A 功率 - 最大值: 600 W 栅极电荷: 80 nC 基本产品编号: IXYH50
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 650V 130A 600W TO247
制造商: IXYS 系列: GenX3™, XPT™ 包装: 管件 零件状态: 有源 IGBT 类型: PT 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.1V @ 15V，36A 开关能量: 1.3mJ（开），370µJ（关） 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 22ns/80ns 测试条件: 400V，36A，5 欧姆，15V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247（IXYH） 电压 - 集射极击穿（最大值）: 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 130 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 250 A 功率 - 最大值: 600 W 栅极电荷: 80 nC 基本产品编号: IXYH50
IXFE180N20
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 200V 158A SOT227B
制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ 包装: 管件 零件状态: 停产 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 158A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 12 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 380 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 14400 pF @ 25 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 500W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 供应商器件封装: SOT-227B 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 200V 158A SOT227B
制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ 包装: 管件 零件状态: 停产 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 158A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 12 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 380 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 14400 pF @ 25 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 500W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 供应商器件封装: SOT-227B 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC
SM111K08L
供应商: DigiKey
分类: 太阳能电池
描述: MONOCRYST SOLAR CELL 196MW 5.53V
功率（W）-最大值: 196mW 电流@Pmpp: 43.9mA 电压@Pmpp: 4.46V 电流-短路（Isc）: 46.7mA 类型: 单晶 电压-开路: 5.53V 工作温度: -40°C ~ 90°C 封装/外壳: 电池 大小/尺寸: 3.43 长 x 0.55 宽 x 0.08 高（87.0mm x 14.0mm x 2.0mm）
供应商: DigiKey
分类: 太阳能电池
描述: MONOCRYST SOLAR CELL 196MW 5.53V
功率（W）-最大值: 196mW 电流@Pmpp: 43.9mA 电压@Pmpp: 4.46V 电流-短路（Isc）: 46.7mA 类型: 单晶 电压-开路: 5.53V 工作温度: -40°C ~ 90°C 封装/外壳: 电池 大小/尺寸: 3.43 长 x 0.55 宽 x 0.08 高（87.0mm x 14.0mm x 2.0mm）
IXTP160N04T2
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB
制造商: IXYS 系列: TrenchT2™ 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 160A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 5 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 250W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220AB 封装/外壳: TO-220-3 漏源电压（Vdss）: 40 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 79 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4640 pF @ 25 V 基本产品编号: IXTP160
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB
制造商: IXYS 系列: TrenchT2™ 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 160A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 5 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 250W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220AB 封装/外壳: TO-220-3 漏源电压（Vdss）: 40 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 79 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4640 pF @ 25 V 基本产品编号: IXTP160
IXGH12N100
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 1000V 24A 100W TO247AD
制造商: IXYS 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 IGBT 类型: - 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 3.5V @ 15V，12A 开关能量: 2.5mJ（关） 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 100ns/850ns 测试条件: 800V，12A，120 欧姆，15V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247AD（IXGH） 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1000 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 24 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 48 A 功率 - 最大值: 100 W 栅极电荷: 65 nC 基本产品编号: IXGH12
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 1000V 24A 100W TO247AD
制造商: IXYS 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 IGBT 类型: - 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 3.5V @ 15V，12A 开关能量: 2.5mJ（关） 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 100ns/850ns 测试条件: 800V，12A，120 欧姆，15V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247AD（IXGH） 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1000 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 24 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 48 A 功率 - 最大值: 100 W 栅极电荷: 65 nC 基本产品编号: IXGH12
IXTC180N055T
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 55V ISOPLUS220
制造商: IXYS 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: - FET 功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: - 安装类型: 通孔 供应商器件封装: ISOPLUS220™ 封装/外壳: ISOPLUS220™ 漏源电压（Vdss）: 55 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 55V ISOPLUS220
制造商: IXYS 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: - FET 功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: - 安装类型: 通孔 供应商器件封装: ISOPLUS220™ 封装/外壳: ISOPLUS220™ 漏源电压（Vdss）: 55 V
DSSK10-018A
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 180V TO220
制造商: IXYS 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 5A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-3 供应商器件封装: TO-220AB 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 180 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 780 mV @ 5 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 300 µA @ 180 V 基本产品编号: DSSK10
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 180V TO220
制造商: IXYS 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 5A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-3 供应商器件封装: TO-220AB 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 180 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 780 mV @ 5 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 300 µA @ 180 V 基本产品编号: DSSK10
VGF0136AH
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE MODUL RECTIFIER 1400V 1.5A
制造商: IXYS 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停產 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 制动整流器 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 1.5A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: - 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1400 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE MODUL RECTIFIER 1400V 1.5A
制造商: IXYS 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停產 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 制动整流器 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 1.5A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: - 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1400 V
IXGP24N60C4
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 600V 56A 190W TO220
制造商: IXYS 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停产 IGBT 类型: PT 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.7V @ 15V，24A 开关能量: 400µJ（开），300µJ（关） 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 21ns/143ns 测试条件: 360V，24A，10 欧姆，15V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-3 供应商器件封装: TO-220AB 电压 - 集射极击穿（最大值）: 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 56 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 130 A 功率 - 最大值: 190 W 栅极电荷: 64 nC
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 600V 56A 190W TO220
制造商: IXYS 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停产 IGBT 类型: PT 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.7V @ 15V，24A 开关能量: 400µJ（开），300µJ（关） 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 21ns/143ns 测试条件: 360V，24A，10 欧姆，15V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-3 供应商器件封装: TO-220AB 电压 - 集射极击穿（最大值）: 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 56 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 130 A 功率 - 最大值: 190 W 栅极电荷: 64 nC
IXTA2N100P
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 1000V 2A TO263
制造商: IXYS 系列: Polar™ 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 100µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 86W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-263（IXTA） 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 漏源电压（Vdss）: 1000 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 24.3 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 655 pF @ 25 V 基本产品编号: IXTA2
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 1000V 2A TO263
制造商: IXYS 系列: Polar™ 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 100µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 86W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-263（IXTA） 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 漏源电压（Vdss）: 1000 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 24.3 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 655 pF @ 25 V 基本产品编号: IXTA2