FUJI ELECTRIC CO LTD
Fuji Electric's goal is to develop dispersed power network systems such as micro grids and smart grids based on key technologies for electric power stabilization, and optimal energy operations.
商品列表
6MBI100U4B-120-50
供应商: RS
分类: IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块
描述: Fuji Electric IGBT 模块 N通道, 3 相桥接, 100 A, Vce=1200 V, 35引脚 M633封装
配置: 3 相桥接 晶体管配置: 3 相 最大连续集电极电流: 100 A 最大集电极-发射极电压: 1200 V 最大栅极发射极电压: ±20V 通道类型: N 安装类型: PCB（印刷电路板）安装 封装类型: M633 引脚数目: 35 最大功率耗散: 520 W 尺寸: 122 x 62 x 17mm 高度: 17mm 长度: 122mm 最高工作温度: +150 °C 宽度: 62mm
供应商: RS
分类: IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块
描述: Fuji Electric IGBT 模块 N通道, 3 相桥接, 100 A, Vce=1200 V, 35引脚 M633封装
配置: 3 相桥接 晶体管配置: 3 相 最大连续集电极电流: 100 A 最大集电极-发射极电压: 1200 V 最大栅极发射极电压: ±20V 通道类型: N 安装类型: PCB（印刷电路板）安装 封装类型: M633 引脚数目: 35 最大功率耗散: 520 W 尺寸: 122 x 62 x 17mm 高度: 17mm 长度: 122mm 最高工作温度: +150 °C 宽度: 62mm
2MBI150VA-120-50
供应商: RS
分类: IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块
描述: Fuji Electric IGBT 模块 N通道, 串行, 150 A, Vce=1200 V, 7引脚 M263封装
晶体管配置: 串行 配置: 串行 最大连续集电极电流: 150 A 最大集电极-发射极电压: 1200 V 最大栅极发射极电压: ±20V 通道类型: N 安装类型: 面板安装 封装类型: M263 引脚数目: 7 最大功率耗散: 785 W 尺寸: 94 x 34 x 30mm 高度: 30mm 长度: 94mm 最高工作温度: +150 °C 宽度: 34mm
供应商: RS
分类: IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块
描述: Fuji Electric IGBT 模块 N通道, 串行, 150 A, Vce=1200 V, 7引脚 M263封装
晶体管配置: 串行 配置: 串行 最大连续集电极电流: 150 A 最大集电极-发射极电压: 1200 V 最大栅极发射极电压: ±20V 通道类型: N 安装类型: 面板安装 封装类型: M263 引脚数目: 7 最大功率耗散: 785 W 尺寸: 94 x 34 x 30mm 高度: 30mm 长度: 94mm 最高工作温度: +150 °C 宽度: 34mm
FGW15N120VD
供应商: RS
分类: IGBT绝缘栅双极型晶体管
描述: Fuji Electric 晶体管 - IGBT, Vce=1200 V, 15 A, TO-247封装, 3引脚, 通孔安装
最大连续集电极电流: 15 A 最大集电极-发射极电压: 1200 V 最大栅极发射极电压: ±20V 最大功率耗散: 155 W 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 通道类型: N 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 尺寸: 15.9 x 5.03 x 20.95mm 最高工作温度: +175 °C 最低工作温度: -40 °C
供应商: RS
分类: IGBT绝缘栅双极型晶体管
描述: Fuji Electric 晶体管 - IGBT, Vce=1200 V, 15 A, TO-247封装, 3引脚, 通孔安装
最大连续集电极电流: 15 A 最大集电极-发射极电压: 1200 V 最大栅极发射极电压: ±20V 最大功率耗散: 155 W 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 通道类型: N 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 尺寸: 15.9 x 5.03 x 20.95mm 最高工作温度: +175 °C 最低工作温度: -40 °C
FMW79N60S1HF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Fuji Electric MOSFET, Super J-MOS 系列, N沟道, Si, Vds=600 V, 68 A, 3引脚 TO-247封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 68 A 最大漏源电压: 600 V 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 40 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大功率耗散: 545 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 长度: 15.9mm 晶体管材料: Si 最高工作温度: +150 °C 典型栅极电荷@Vgs: 203 nC @ 10 V 宽度: 5.03mm 高度: 20.95mm 系列: Super J-MOS
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Fuji Electric MOSFET, Super J-MOS 系列, N沟道, Si, Vds=600 V, 68 A, 3引脚 TO-247封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 68 A 最大漏源电压: 600 V 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 40 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大功率耗散: 545 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 长度: 15.9mm 晶体管材料: Si 最高工作温度: +150 °C 典型栅极电荷@Vgs: 203 nC @ 10 V 宽度: 5.03mm 高度: 20.95mm 系列: Super J-MOS
2MBI200VA-060-50
供应商: RS
分类: IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块
描述: Fuji Electric IGBT 模块 N通道, 串行, 200 A, Vce=600 V, 7引脚 M263封装
晶体管配置: 串行 配置: 串行 最大连续集电极电流: 200 A 最大集电极-发射极电压: 600 V 最大栅极发射极电压: ±20V 通道类型: N 安装类型: 面板安装 封装类型: M263 引脚数目: 7 最大功率耗散: 650 W 尺寸: 94 x 34 x 30mm 高度: 30mm 长度: 94mm 最高工作温度: +150 °C 宽度: 34mm
供应商: RS
分类: IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块
描述: Fuji Electric IGBT 模块 N通道, 串行, 200 A, Vce=600 V, 7引脚 M263封装
晶体管配置: 串行 配置: 串行 最大连续集电极电流: 200 A 最大集电极-发射极电压: 600 V 最大栅极发射极电压: ±20V 通道类型: N 安装类型: 面板安装 封装类型: M263 引脚数目: 7 最大功率耗散: 650 W 尺寸: 94 x 34 x 30mm 高度: 30mm 长度: 94mm 最高工作温度: +150 °C 宽度: 34mm
FGW30N120HD
供应商: RS
分类: 晶体管 - IGBT
描述: Fuji Electric 晶体管 - IGBT, 30 A, Vce=1200 V, ±20V, 3引脚, TO-247封装
最大连续集电极电流: 30 A 最大集电极-发射极电压: 1200 V 最大栅极发射极电压: ±20V 最大功率耗散: 260 W 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 通道类型: N 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 长度: 15.9mm 宽度: 5.03mm 高度: 20.95mm 尺寸: 15.9 x 5.03 x 20.95mm 最低工作温度: -40 °C 最高工作温度: +175 °C
供应商: RS
分类: 晶体管 - IGBT
描述: Fuji Electric 晶体管 - IGBT, 30 A, Vce=1200 V, ±20V, 3引脚, TO-247封装
最大连续集电极电流: 30 A 最大集电极-发射极电压: 1200 V 最大栅极发射极电压: ±20V 最大功率耗散: 260 W 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 通道类型: N 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 长度: 15.9mm 宽度: 5.03mm 高度: 20.95mm 尺寸: 15.9 x 5.03 x 20.95mm 最低工作温度: -40 °C 最高工作温度: +175 °C
2MBI300U4H-120-50
供应商: RS
分类: IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块
描述: Fuji Electric IGBT 模块 N通道, 串行, 300 A, Vce=1200 V, 7引脚 M249封装
配置: 串行 晶体管配置: 串行 最大连续集电极电流: 300 A 最大集电极-发射极电压: 1200 V 最大栅极发射极电压: ±20V 通道类型: N 安装类型: 面板安装 封装类型: M249 引脚数目: 7 最大功率耗散: 1.47 kW 尺寸: 108 x 62 x 30mm 高度: 30mm 长度: 108mm 最高工作温度: +150 °C 宽度: 62mm
供应商: RS
分类: IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块
描述: Fuji Electric IGBT 模块 N通道, 串行, 300 A, Vce=1200 V, 7引脚 M249封装
配置: 串行 晶体管配置: 串行 最大连续集电极电流: 300 A 最大集电极-发射极电压: 1200 V 最大栅极发射极电压: ±20V 通道类型: N 安装类型: 面板安装 封装类型: M249 引脚数目: 7 最大功率耗散: 1.47 kW 尺寸: 108 x 62 x 30mm 高度: 30mm 长度: 108mm 最高工作温度: +150 °C 宽度: 62mm
FMW47N60S1HF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Fuji Electric MOSFET, Super J-MOS 系列, N沟道, Si, Vds=600 V, 47 A, 3引脚 TO-247封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 47 A 最大漏源电压: 600 V 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 70 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最大功率耗散: 390 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si 宽度: 5.03mm 长度: 15.9mm 典型栅极电荷@Vgs: 125 nC @ 10 V 高度: 20.95mm 系列: Super J-MOS 最高工作温度: +150 °C
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Fuji Electric MOSFET, Super J-MOS 系列, N沟道, Si, Vds=600 V, 47 A, 3引脚 TO-247封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 47 A 最大漏源电压: 600 V 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 70 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最大功率耗散: 390 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si 宽度: 5.03mm 长度: 15.9mm 典型栅极电荷@Vgs: 125 nC @ 10 V 高度: 20.95mm 系列: Super J-MOS 最高工作温度: +150 °C
7MBR35VB-120-50
供应商: RS
分类: IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块
描述: Fuji Electric IGBT 模块 N通道, 3 相桥接, 35 A, Vce=1200 V, 24引脚 M712封装
晶体管配置: 3 相 配置: 3 相桥接 最大连续集电极电流: 35 A 最大集电极-发射极电压: 1200 V 最大栅极发射极电压: ±20V 通道类型: N 安装类型: 通孔 封装类型: M712 引脚数目: 24 最大功率耗散: 210 W 尺寸: 122 x 62 x 17mm 高度: 17mm 长度: 122mm 最高工作温度: +150 °C 宽度: 62mm
供应商: RS
分类: IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块
描述: Fuji Electric IGBT 模块 N通道, 3 相桥接, 35 A, Vce=1200 V, 24引脚 M712封装
晶体管配置: 3 相 配置: 3 相桥接 最大连续集电极电流: 35 A 最大集电极-发射极电压: 1200 V 最大栅极发射极电压: ±20V 通道类型: N 安装类型: 通孔 封装类型: M712 引脚数目: 24 最大功率耗散: 210 W 尺寸: 122 x 62 x 17mm 高度: 17mm 长度: 122mm 最高工作温度: +150 °C 宽度: 62mm
SW-03AC200V0.2KWAC100V1B
供应商: RS
分类: 电动机启动器
描述: Fuji Electric SW 系列 高级电动机起动器, 控制电压200 V 交流, 额定功率0.2 kW, 电机起动器, 1.8 A
额定功率: 0.2 kW 安装类型: DIN 导轨 系列: SW
供应商: RS
分类: 电动机启动器
描述: Fuji Electric SW 系列 高级电动机起动器, 控制电压200 V 交流, 额定功率0.2 kW, 电机起动器, 1.8 A
额定功率: 0.2 kW 安装类型: DIN 导轨 系列: SW