FMW79N60S1HF
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分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
Fuji Electric MOSFET, Super J-MOS 系列, N沟道, Si, Vds=600 V, 68 A, 3引脚 TO-247封装
物料参数
| 通道类型: | N |
| 最大连续漏极电流: | 68 A |
| 最大漏源电压: | 600 V |
| 封装类型: | TO-247 |
| 安装类型: | 通孔 |
| 引脚数目: | 3 |
| 最大漏源电阻值: | 40 mΩ |
| 通道模式: | 增强 |
| 最大栅阈值电压: | 3.5V |
| 最小栅阈值电压: | 2.5V |
| 最大功率耗散: | 545 W |
| 晶体管配置: | 单 |
| 最大栅源电压: | -30 V、+30 V |
| 每片芯片元件数目: | 1 |
| 长度: | 15.9mm |
| 晶体管材料: | Si |
| 最高工作温度: | +150 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs: | 203 nC @ 10 V |
| 宽度: | 5.03mm |
| 高度: | 20.95mm |
| 系列: | Super J-MOS |