NXP SEMICONDUCTORS
NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ: NXPI) enables secure connections and infrastructure for a smarter world, advancing solutions that make lives easier, better and safer. As the world leader in secure connectivity solutions for embedded applications, NXP is driving innovation in the secure connected vehicle, end-to-end security & privacy and smart connected solutions markets.
商品列表
PTVS11VP1UTP,115
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
类别: 电路保护 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: 汽车级，AEC-Q101 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 类型: 齐纳 单向通道: 1 双向通道: - 电压-反向关态（典型值）: 11V 电压-击穿（最小值）: 12.2V 电压-箝位（最大值）@Ipp: 18.2V 电流-峰值脉冲（10/1000µs）: 33A 功率-峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: 汽车级 不同频率时的电容: - 工作温度: -55°C ~ 185°C（TA） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SOD-128 供应商器件封装: CFP5
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
类别: 电路保护 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: 汽车级，AEC-Q101 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 类型: 齐纳 单向通道: 1 双向通道: - 电压-反向关态（典型值）: 11V 电压-击穿（最小值）: 12.2V 电压-箝位（最大值）@Ipp: 18.2V 电流-峰值脉冲（10/1000µs）: 33A 功率-峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: 汽车级 不同频率时的电容: - 工作温度: -55°C ~ 185°C（TA） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SOD-128 供应商器件封装: CFP5
74HC1G14GW,125
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 栅极和逆变器
类别: 集成电路（IC） 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: 74HC 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 逻辑类型: 反相器 电路数: 1 输入数: 1 特性: 施密特触发器 电压-电源: 2 V ~ 6 V 电流-静态（最大值）: 20µA 电流-输出高，低: 2.6mA，2.6mA 逻辑电平-低: 0.3 V ~ 1.2 V 逻辑电平-高: 1.5 V ~ 4.2 V 不同V，最大CL时的最大传播延迟: 32ns @ 6V，50pF 工作温度: -40°C ~ 125°C 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 5-TSSOP 封装/外壳: 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 栅极和逆变器
类别: 集成电路（IC） 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: 74HC 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 逻辑类型: 反相器 电路数: 1 输入数: 1 特性: 施密特触发器 电压-电源: 2 V ~ 6 V 电流-静态（最大值）: 20µA 电流-输出高，低: 2.6mA，2.6mA 逻辑电平-低: 0.3 V ~ 1.2 V 逻辑电平-高: 1.5 V ~ 4.2 V 不同V，最大CL时的最大传播延迟: 32ns @ 6V，50pF 工作温度: -40°C ~ 125°C 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 5-TSSOP 封装/外壳: 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
PMPB13XNE,115
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 30V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 8A（Ta） 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 900mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 36nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2195pF @ 15V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 1.7W（Ta），12.5W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 16 毫欧 @ 8A，4.5V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 6-DFN2020MD（2x2） 封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 30V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 8A（Ta） 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 900mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 36nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2195pF @ 15V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 1.7W（Ta），12.5W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 16 毫欧 @ 8A，4.5V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 6-DFN2020MD（2x2） 封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘
74HC151D,652
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 信号开关，多路复用器，解码器
类别: 集成电路（IC） 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: 74HC 包装: 管件 零件状态: 在售 类型: 多路复用器 电路: 1 x 8：1 独立电路: 1 电流-输出高，低: 5.2mA，5.2mA 电压源: 单电源 电压-电源: 2 V ~ 6 V 工作温度: -40°C ~ 125°C 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 16-SO
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 信号开关，多路复用器，解码器
类别: 集成电路（IC） 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: 74HC 包装: 管件 零件状态: 在售 类型: 多路复用器 电路: 1 x 8：1 独立电路: 1 电流-输出高，低: 5.2mA，5.2mA 电压源: 单电源 电压-电源: 2 V ~ 6 V 工作温度: -40°C ~ 125°C 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 16-SO
PBSS5440D,115
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 晶体管类型: PNP 电流-集电极（Ic）（最大值）: 4A 电压-集射极击穿（最大值）: 40V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: 450mV @ 600mA，6A 电流-集电极截止（最大值）: 100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 175 @ 2A，2V 功率-最大值: 1.1W 频率-跃迁: 110MHz 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SC-74，SOT-457 供应商器件封装: 6-TSOP
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 晶体管类型: PNP 电流-集电极（Ic）（最大值）: 4A 电压-集射极击穿（最大值）: 40V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: 450mV @ 600mA，6A 电流-集电极截止（最大值）: 100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 175 @ 2A，2V 功率-最大值: 1.1W 频率-跃迁: 110MHz 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SC-74，SOT-457 供应商器件封装: 6-TSOP
PMEG3005ESFYL
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 二极管类型: 肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 30V 电流-平均整流（Io）: 500mA 不同If时的电压-正向（Vf）: 720mV @ 500mA 速度: 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 1.42ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 9µA @ 30V 不同 Vr，F时的电容: 21pF @ 1V，1MHz 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 2-XFDFN 供应商器件封装: DSN0603-2 工作温度-结: 150°C（最大）
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 二极管类型: 肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 30V 电流-平均整流（Io）: 500mA 不同If时的电压-正向（Vf）: 720mV @ 500mA 速度: 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 1.42ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 9µA @ 30V 不同 Vr，F时的电容: 21pF @ 1V，1MHz 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 2-XFDFN 供应商器件封装: DSN0603-2 工作温度-结: 150°C（最大）
74LVT245BPW,118
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器
类别: 集成电路（IC） 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: 74LVT 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 逻辑类型: 收发器，非反相 元件数: 1 每元件位数: 8 输入类型: - 输出类型: 推挽式 电流-输出高，低: 32mA，64mA 电压-电源: 2.7 V ~ 3.6 V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 20-TSSOP（0.173，4.40mm 宽） 供应商器件封装: 20-TSSOP
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器
类别: 集成电路（IC） 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: 74LVT 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 逻辑类型: 收发器，非反相 元件数: 1 每元件位数: 8 输入类型: - 输出类型: 推挽式 电流-输出高，低: 32mA，64mA 电压-电源: 2.7 V ~ 3.6 V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 20-TSSOP（0.173，4.40mm 宽） 供应商器件封装: 20-TSSOP
BUK755R4-100E,127
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
Categories: 分立半导体产品 制造商: NXP USA Inc. 系列: 汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS™ 包装: 管件 零件状态: 过期 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）: 100V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 120A（Tc） 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 180nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 11810pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 349W (Tc) 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 5.2 毫欧 @ 25A，10V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220AB 封装/外壳: TO-220-3
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
Categories: 分立半导体产品 制造商: NXP USA Inc. 系列: 汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS™ 包装: 管件 零件状态: 过期 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）: 100V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 120A（Tc） 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 180nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 11810pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 349W (Tc) 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 5.2 毫欧 @ 25A，10V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220AB 封装/外壳: TO-220-3
OT408,135
供应商: DigiKey
分类: 晶闸管 - TRIAC
类别: 分立半导体产品 制造商: WeEn Semiconductors 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 三端双向可控硅类型: 标准 电压-断态: - 电流-通态（It（RMS））（最大值）: - 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）: - 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）: - 电流-栅极触发（Igt）（最大值）: - 电流-保持（Ih）（最大值）: - 配置: 单一 工作温度: - 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装: SOT-223
供应商: DigiKey
分类: 晶闸管 - TRIAC
类别: 分立半导体产品 制造商: WeEn Semiconductors 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 三端双向可控硅类型: 标准 电压-断态: - 电流-通态（It（RMS））（最大值）: - 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）: - 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）: - 电流-栅极触发（Igt）（最大值）: - 电流-保持（Ih）（最大值）: - 配置: 单一 工作温度: - 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装: SOT-223
PMV30XPEAR
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 家庭: 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商: NXP Semiconductors 系列: 汽车级，AEC-Q101 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: MOSFET P 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 20V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 4.5A（Ta） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 34 毫欧 @ 3A，4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 1.25V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 17nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 1465pF @ 10V 功率-最大值: 490mW 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: TO-236AB（SOT23）
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 家庭: 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商: NXP Semiconductors 系列: 汽车级，AEC-Q101 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: MOSFET P 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 20V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 4.5A（Ta） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 34 毫欧 @ 3A，4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 1.25V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 17nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 1465pF @ 10V 功率-最大值: 490mW 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: TO-236AB（SOT23）