NXP SEMICONDUCTORS
NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ: NXPI) enables secure connections and infrastructure for a smarter world, advancing solutions that make lives easier, better and safer. As the world leader in secure connectivity solutions for embedded applications, NXP is driving innovation in the secure connected vehicle, end-to-end security & privacy and smart connected solutions markets.
商品列表
BT134W-600D,115
供应商: DigiKey
分类: 晶闸管 - TRIAC
类别: 分立半导体产品 制造商: WeEn Semiconductors 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 三端双向可控硅类型: 逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态: 600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）: 1A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）: 1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）: 10A，11A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）: 5mA 电流-保持（Ih）（最大值）: 10mA 配置: 单一 工作温度: 125°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装: SOT-223
供应商: DigiKey
分类: 晶闸管 - TRIAC
类别: 分立半导体产品 制造商: WeEn Semiconductors 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 三端双向可控硅类型: 逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态: 600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）: 1A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）: 1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）: 10A，11A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）: 5mA 电流-保持（Ih）（最大值）: 10mA 配置: 单一 工作温度: 125°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装: SOT-223
BUK9K29-100E,115
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
类别: 分立半导体产品 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: 汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS™ 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: 2 个 N 沟道（双） FET功能: 逻辑电平门 漏源极电压（Vdss）: 100V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 30A 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 27 毫欧 @ 10A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.1V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 54nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 3491pF @ 25V 功率-最大值: 68W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SOT-1205，8-LFPAK56 供应商器件封装: LFPAK56D
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
类别: 分立半导体产品 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: 汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS™ 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: 2 个 N 沟道（双） FET功能: 逻辑电平门 漏源极电压（Vdss）: 100V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 30A 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 27 毫欧 @ 10A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.1V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 54nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 3491pF @ 25V 功率-最大值: 68W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SOT-1205，8-LFPAK56 供应商器件封装: LFPAK56D
PHC2300,118
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
类别: 分立半导体产品 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: N 和 P 沟道 FET功能: 逻辑电平门 漏源极电压（Vdss）: 300V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 340mA，235mA 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 6 欧姆 @ 170mA，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 6.24nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 102pF @ 50V 功率-最大值: 1.6W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SO
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
类别: 分立半导体产品 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: N 和 P 沟道 FET功能: 逻辑电平门 漏源极电压（Vdss）: 300V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 340mA，235mA 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 6 欧姆 @ 170mA，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 6.24nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 102pF @ 50V 功率-最大值: 1.6W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SO
74HC259D,653
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 锁销
类别: 集成电路（IC） 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: 74HC 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 逻辑类型: D 型，可寻址 电路: 1：8 输出类型: 标准 电压-电源: 2 V ~ 6 V 独立电路: 1 延迟时间-传播: 17ns 电流-输出高，低: 5.2mA，5.2mA 工作温度: -40°C ~ 125°C 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 16-SO
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 锁销
类别: 集成电路（IC） 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: 74HC 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 逻辑类型: D 型，可寻址 电路: 1：8 输出类型: 标准 电压-电源: 2 V ~ 6 V 独立电路: 1 延迟时间-传播: 17ns 电流-输出高，低: 5.2mA，5.2mA 工作温度: -40°C ~ 125°C 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 16-SO
BAS716,115
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 75V 电流-平均整流（Io）: 200mA（DC） 不同If时的电压-正向（Vf）: 1.25V @ 150mA 速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 3µs 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 5nA @ 75V 不同 Vr，F时的电容: 2pF @ 0V，1MHz 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SC-79，SOD-523 供应商器件封装: SOD-523 工作温度-结: 150°C（最大）
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 75V 电流-平均整流（Io）: 200mA（DC） 不同If时的电压-正向（Vf）: 1.25V @ 150mA 速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 3µs 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 5nA @ 75V 不同 Vr，F时的电容: 2pF @ 0V，1MHz 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SC-79，SOD-523 供应商器件封装: SOD-523 工作温度-结: 150°C（最大）
PMZB300XN,315
供应商: DigiKey
分类: FET - 单
PCN过时产品/EOL: Multiple Devices 05/Jul/2015Multiple Devices Revision 30/Jun/2015
供应商: DigiKey
分类: FET - 单
PCN过时产品/EOL: Multiple Devices 05/Jul/2015Multiple Devices Revision 30/Jun/2015
74CBTLV3861PW,118
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 信号开关，多路复用器，解码器
类别: 集成电路（IC） 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: 74CBTLV 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 类型: 总线开关 电路: 10 x 1：1 独立电路: 1 电流-输出高，低: - 电压源: 单电源 电压-电源: 2.3 V ~ 3.6 V 工作温度: -40°C ~ 125°C 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 24-TSSOP（0.173，4.40mm 宽） 供应商器件封装: 24-TSSOP
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 信号开关，多路复用器，解码器
类别: 集成电路（IC） 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: 74CBTLV 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 类型: 总线开关 电路: 10 x 1：1 独立电路: 1 电流-输出高，低: - 电压源: 单电源 电压-电源: 2.3 V ~ 3.6 V 工作温度: -40°C ~ 125°C 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 24-TSSOP（0.173，4.40mm 宽） 供应商器件封装: 24-TSSOP
PSMN6R5-80BS,118
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 80V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 100A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 71nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 4461pF @ 40V Vgs（最大值）: ±20V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 210W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 6.9 毫欧 @ 15A，10V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: D2PAK 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 80V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 100A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 71nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 4461pF @ 40V Vgs（最大值）: ±20V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 210W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 6.9 毫欧 @ 15A，10V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: D2PAK 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB