SPS
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SM140R50CT8TL
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id):24A 功率(Pd):312W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V,12A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):70nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):1.44nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds):11pF@25V 工作温度:+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id):24A 功率(Pd):312W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V,12A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):70nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):1.44nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds):11pF@25V 工作温度:+150℃@(Tj)
NJW0281GT4TL
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):250V 集电极电流(Ic):15A 功率(Pd):150W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):75@1A,5V
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):250V 集电极电流(Ic):15A 功率(Pd):150W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):75@1A,5V
BU941PT4TL
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 集射极击穿电压(Vceo):400V 集电极电流(Ic):15A 功率(Pd):155W 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):2V@12A,300mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):300@5A,10V 工作温度:+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 集射极击穿电压(Vceo):400V 集电极电流(Ic):15A 功率(Pd):155W 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):2V@12A,300mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):300@5A,10V 工作温度:+150℃@(Tj)
SM6590D1RL
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):100A 功率(Pd):208W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.7mΩ@10V,20A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):100A 功率(Pd):208W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.7mΩ@10V,20A
2SA940T1TL
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:150V 电流:1.5A PNP 晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):1.5A 集射极击穿电压(Vceo):150V 功率(Pd):25W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@500mA,10V
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:150V 电流:1.5A PNP 晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):1.5A 集射极击穿电压(Vceo):150V 功率(Pd):25W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@500mA,10V
SM6442D1RL
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):32A 功率(Pd):35.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,20A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):32A 功率(Pd):35.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,20A
TIP41CT1TL
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:100V 电流:6A NPN 晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):6A 集射极击穿电压(Vceo):100V 功率(Pd):65W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@3A,4V
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:100V 电流:6A NPN 晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):6A 集射极击穿电压(Vceo):100V 功率(Pd):65W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@3A,4V