SPS

场效应管(MOSFET)

类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：500V 连续漏极电流(Id)：24A 功率(Pd)：312W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：110mΩ@10V,12A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：70nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.44nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：11pF@25V 工作温度：+150℃@(Tj)