AGERTECH

ATM2N65TE
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：28W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.9Ω@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：45nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：320pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：9pF@15V 工作温度：+150℃@(Tj)

RS1JF-AT
供应商: Anychip Mall
分类: 快恢复
描述: 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.3V@1A 反向恢复时间(trr)：500ns

SS34C-AT
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 电压:40V 电流:3A 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):550mV@3A 直流反向耐压(Vr):40V 平均整流电流(Io):3A

MB6SAT
供应商: Anychip Mall
分类: 整流桥
描述: 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：800mA 正向压降(Vf)：1.1V@800mA 正向浪涌电流(Ifsm)：30A

MB10F-10AT
供应商: Anychip Mall
分类: 整流桥
描述: 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.1V@1A 正向浪涌电流(Ifsm)：35A

ATM2306NSA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3.16A 功率(Pd)：750mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：38mΩ@10V,3.5A

SS14-AT
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：550mV@1A 反向电流(Ir)：300μA@40V

SS34AT
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 电压:40V 电流:3A 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):550mV@3A 直流反向耐压(Vr):40V 平均整流电流(Io):3A

US3MB-AT
供应商: Anychip Mall
分类: 快恢复
描述: 电压:1kV 电流:3A 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.68V@3A 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):3A 反向恢复时间(trr):75ns

BCX56SQ-16
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:80V 电流:1A NPN 晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):1A 集射极击穿电压(Vceo):80V 功率(Pd):1.3W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V