ATM2N65TE
品牌
AGERTECH
供应商
分类
场效应管(MOSFET)
描述
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):2A 功率(Pd):28W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.9Ω@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):45nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):320pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds):9pF@15V 工作温度:+150℃@(Tj)