MAPLESEMI
商品列表
SLF60R190S2
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：45W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：160mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：39nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.174nF@100V 反向传输电容(Crss@Vds)：4pF@100V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：45W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：160mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：39nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.174nF@100V 反向传输电容(Crss@Vds)：4pF@100V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
SLF80R500SJ
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：800V 连续漏极电流(Id)：11A 功率(Pd)：31W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：460mΩ@10V,5.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：38nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：680pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：5pF@25V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：800V 连续漏极电流(Id)：11A 功率(Pd)：31W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：460mΩ@10V,5.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：38nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：680pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：5pF@25V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
SLF70R600S2
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：520mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：18nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：494pF@100V 反向传输电容(Crss@Vds)：1.7pF@100V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：520mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：18nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：494pF@100V 反向传输电容(Crss@Vds)：1.7pF@100V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)