SLF80R500SJ
品牌
MAPLESEMI
供应商
分类
场效应管(MOSFET)
描述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：800V 连续漏极电流(Id)：11A 功率(Pd)：31W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：460mΩ@10V,5.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：38nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：680pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：5pF@25V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)