SPTECH
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MJW1302A
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 200W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 230V Vce饱和压降: 600mV 包装: Tube packing 跃迁频率: - 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 30pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V DC电流增益(hFE)(Min&Range): 200 高度: 20.30mm 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 200W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 230V Vce饱和压降: 600mV 包装: Tube packing 跃迁频率: - 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 30pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V DC电流增益(hFE)(Min&Range): 200 高度: 20.30mm 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
TIP152
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: 硅NPN达林顿功率晶体管
安装类型: 插件 特性: 带预偏置电阻及保护二极管 品牌: SPTECH 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 400V 跃迁频率: - 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: TO220C 工作温度: -65℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 50pcs DC电流增益(hFE)(Min&Range): 150 发射极与基极之间电压 VEBO: 8V 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: 硅NPN达林顿功率晶体管
安装类型: 插件 特性: 带预偏置电阻及保护二极管 品牌: SPTECH 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 400V 跃迁频率: - 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: TO220C 工作温度: -65℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 50pcs DC电流增益(hFE)(Min&Range): 150 发射极与基极之间电压 VEBO: 8V 晶体管类型: NPN
2SB688
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 80W 集电极-基极电压（VCBO）: 120V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 2.5V 集射极击穿电压Vce(Max): 120V 包装: Tube packing 极性: PNP 跃迁频率: 10MHz 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 120V 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 最小包装: 30pcs DC电流增益(hFE)(Min&Range): 160 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 晶体管类型: PNP
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 80W 集电极-基极电压（VCBO）: 120V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 2.5V 集射极击穿电压Vce(Max): 120V 包装: Tube packing 极性: PNP 跃迁频率: 10MHz 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 120V 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 最小包装: 30pcs DC电流增益(hFE)(Min&Range): 160 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 晶体管类型: PNP
2SC5027
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 2V 集射极击穿电压Vce(Max): 800V 包装: Tube packing 极性: NPN 跃迁频率: 15MHz 封装/外壳: TO220C 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 800V 集电极电流 Ic: 3A 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 50pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V DC电流增益(hFE)(Min&Range): 40 发射极与基极之间电压 VEBO: 7V 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 2V 集射极击穿电压Vce(Max): 800V 包装: Tube packing 极性: NPN 跃迁频率: 15MHz 封装/外壳: TO220C 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 800V 集电极电流 Ic: 3A 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 50pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V DC电流增益(hFE)(Min&Range): 40 发射极与基极之间电压 VEBO: 7V 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
2SD718
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 120V 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 120V Vce饱和压降: 2.5V 跃迁频率: 12MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 120V 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 30pcs DC电流增益(hFE)(Min&Range): 160 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.30mm 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 120V 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 120V Vce饱和压降: 2.5V 跃迁频率: 12MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 120V 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 30pcs DC电流增益(hFE)(Min&Range): 160 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.30mm 晶体管类型: NPN
2SB817
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 100W 集电极-基极电压（VCBO）: 160V Vce饱和压降: 2.5V 集射极击穿电压Vce(Max): 140V 包装: Tube packing 极性: PNP 跃迁频率: 15MHz 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 12A 集电极-发射极电压 VCEO: 140V 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V DC电流增益(hFE)(Min&Range): 200 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 晶体管类型: PNP
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 100W 集电极-基极电压（VCBO）: 160V Vce饱和压降: 2.5V 集射极击穿电压Vce(Max): 140V 包装: Tube packing 极性: PNP 跃迁频率: 15MHz 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 12A 集电极-发射极电压 VCEO: 140V 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V DC电流增益(hFE)(Min&Range): 200 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 晶体管类型: PNP
D44H11
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: TO220C-3 10A 50W
安装类型: 插件 功率耗散: 50W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing Vce饱和压降: 1V 集射极击穿电压Vce(Max): 80V 极性: NPN 跃迁频率: 50MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO220C-3 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 最小包装: 50pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V DC电流增益(hFE)(Min&Range): 60 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 18.80mm 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: TO220C-3 10A 50W
安装类型: 插件 功率耗散: 50W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing Vce饱和压降: 1V 集射极击穿电压Vce(Max): 80V 极性: NPN 跃迁频率: 50MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO220C-3 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 最小包装: 50pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V DC电流增益(hFE)(Min&Range): 60 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 18.80mm 晶体管类型: NPN
MJW3281A
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 200W 集电极-基极电压（VCBO）: 230V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 230V Vce饱和压降: 2V 包装: Tube packing 极性: NPN 跃迁频率: - 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 230V 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 2V 最小包装: 30pcs DC电流增益(hFE)(Min&Range): 200 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 200W 集电极-基极电压（VCBO）: 230V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 230V Vce饱和压降: 2V 包装: Tube packing 极性: NPN 跃迁频率: - 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 230V 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 2V 最小包装: 30pcs DC电流增益(hFE)(Min&Range): 200 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 晶体管类型: NPN
2SC2581
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 100W 集电极-基极电压（VCBO）: 200V 集射极击穿电压Vce(Max): 140V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 2V 极性: NPN 跃迁频率: 20MHz 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 10A 集电极-发射极电压 VCEO: 140V 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 30pcs DC电流增益(hFE)(Min&Range): 30 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 100W 集电极-基极电压（VCBO）: 200V 集射极击穿电压Vce(Max): 140V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 2V 极性: NPN 跃迁频率: 20MHz 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 10A 集电极-发射极电压 VCEO: 140V 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 30pcs DC电流增益(hFE)(Min&Range): 30 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
2SA1941
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 100W 集电极-基极电压（VCBO）: 140V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 2V 集射极击穿电压Vce(Max): 140V 极性: PNP 跃迁频率: 30MHz 长x宽/尺寸: 15.50 x 4.30mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PI 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 140V 配置: 单路 最小包装: 30pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V DC电流增益(hFE)(Min&Range): 160 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 21.10mm 晶体管类型: PNP
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 100W 集电极-基极电压（VCBO）: 140V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 2V 集射极击穿电压Vce(Max): 140V 极性: PNP 跃迁频率: 30MHz 长x宽/尺寸: 15.50 x 4.30mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PI 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 140V 配置: 单路 最小包装: 30pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V DC电流增益(hFE)(Min&Range): 160 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 21.10mm 晶体管类型: PNP