TWGMC
商品列表
SS34SMA
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 Single VR=40V IF=3A SMA
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 品牌: TWGMC 总电容C: 500pF 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 550mV 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.70mm 反向漏电流IR: 500µA 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 二极管类型: Schottky 反向峰值电压（最大值）: 40V 反向耐压VR: 40V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 100A 平均整流电流: 3A 正向压降VF Max: 550mV 零件状态: Active 高度: 2.20mm 应用: 消费级 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 Single VR=40V IF=3A SMA
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 品牌: TWGMC 总电容C: 500pF 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 550mV 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.70mm 反向漏电流IR: 500µA 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 二极管类型: Schottky 反向峰值电压（最大值）: 40V 反向耐压VR: 40V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 100A 平均整流电流: 3A 正向压降VF Max: 550mV 零件状态: Active 高度: 2.20mm 应用: 消费级 引脚数: 2Pin
SMF17CA
供应商: Anychip Mall
分类: 双向TVS二极管
描述: 封装/外壳：SOD-123FL 反向击穿电压Vbr：18.9V 钳位电压Vc：27.6V 反向工作电压Vrwm：17V 峰值脉冲电流Ipp：7.2A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Twgmc 反向漏电流 IR: 1uA 电源电压: 17V 断态电压: 17V 功率-峰值脉冲: 200W 原始制造商: Twgmc Electronics Co., Ltd. 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.90mm 封装/外壳: SOD123FL 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 7.2A 原产国家: China Taiwan 击穿电压 V(BR)-min: 18.9V 最小包装: 3000pcs 高度: 1.10mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 双向TVS二极管
描述: 封装/外壳：SOD-123FL 反向击穿电压Vbr：18.9V 钳位电压Vc：27.6V 反向工作电压Vrwm：17V 峰值脉冲电流Ipp：7.2A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Twgmc 反向漏电流 IR: 1uA 电源电压: 17V 断态电压: 17V 功率-峰值脉冲: 200W 原始制造商: Twgmc Electronics Co., Ltd. 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.90mm 封装/外壳: SOD123FL 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 7.2A 原产国家: China Taiwan 击穿电压 V(BR)-min: 18.9V 最小包装: 3000pcs 高度: 1.10mm 引脚数: 2Pin
SS14SMA
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：550mV@1A 反向电流(Ir)：500μA@40V
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 品牌: TWGMC 总电容C: 110pF 正向压降VF: 550mV 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.70mm 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 反向漏电流IR: 500µA 元件生命周期: Active 二极管类型: Schottky 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 1A 正向压降VF Max: 550mV 高度: 2.20mm 零件状态: Active 应用: 消费级 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：550mV@1A 反向电流(Ir)：500μA@40V
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 品牌: TWGMC 总电容C: 110pF 正向压降VF: 550mV 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.70mm 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 反向漏电流IR: 500µA 元件生命周期: Active 二极管类型: Schottky 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 1A 正向压降VF Max: 550mV 高度: 2.20mm 零件状态: Active 应用: 消费级 引脚数: 2Pin
SMF75A
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 SOD123FL 121V 1.4A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Twgmc 反向漏电流 IR: 1uA 最大工作电压(DC): 75V 电源电压: 75V 原始制造商: Twgmc Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 单向 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.90mm 封装/外壳: SMF(SOD-123FL) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 1.4A 系列: SMF 击穿电压 V(BR)-min: 83.3V 最小包装: 3000pcs 通道数: 1 高度: 1.10mm 应用: 通用
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 SOD123FL 121V 1.4A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Twgmc 反向漏电流 IR: 1uA 最大工作电压(DC): 75V 电源电压: 75V 原始制造商: Twgmc Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 单向 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.90mm 封装/外壳: SMF(SOD-123FL) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 1.4A 系列: SMF 击穿电压 V(BR)-min: 83.3V 最小包装: 3000pcs 通道数: 1 高度: 1.10mm 应用: 通用
SS8550SOT23
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 集电极-基极电压:-40V 集电极-发射极电压:-25V 集电极电流连续：-1.5A 收集器功耗:0.3W 储存温度：-55-150℃ PNP
安装类型: SMT 品牌: TWGMC 功率耗散: 300mW 额定功率: 300mW 集射极击穿电压Vce(Max): 500mV Vce饱和压降: 25V 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.65mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 500mV 集电极电流 Ic: 1.5A 原产国家: China Taiwan 高度: 1.10mm 零件状态: Active DC电流增益(hFE): 200 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 集电极-基极电压:-40V 集电极-发射极电压:-25V 集电极电流连续：-1.5A 收集器功耗:0.3W 储存温度：-55-150℃ PNP
安装类型: SMT 品牌: TWGMC 功率耗散: 300mW 额定功率: 300mW 集射极击穿电压Vce(Max): 500mV Vce饱和压降: 25V 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.65mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 500mV 集电极电流 Ic: 1.5A 原产国家: China Taiwan 高度: 1.10mm 零件状态: Active DC电流增益(hFE): 200 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
DSK210
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: SOD123FL
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: TWGMC 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 850mV 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.90mm 反向漏电流IR: 500µA 封装/外壳: SOD-123FL-2 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃ 二极管类型: Schottky 反向耐压VR: 100V 平均整流电流: 2A 最小包装: 3000pcs 工作温度-结: -55°C~125°C 正向压降VF Max: 850mV 高度: 1.10mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: SOD123FL
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: TWGMC 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 850mV 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.90mm 反向漏电流IR: 500µA 封装/外壳: SOD-123FL-2 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃ 二极管类型: Schottky 反向耐压VR: 100V 平均整流电流: 2A 最小包装: 3000pcs 工作温度-结: -55°C~125°C 正向压降VF Max: 850mV 高度: 1.10mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
SS54SMA
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：5A 正向压降(Vf)：550mV@5A 反向电流(Ir)：500μA@40V
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 品牌: TWGMC 总电容C: 200pF 正向压降VF: 550mV 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.70mm 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 反向漏电流IR: 500µA 元件生命周期: Active 原产国家: China 二极管类型: Schottky 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 5A 正向压降VF Max: 550mV 高度: 2.20mm 零件状态: Active 应用: 消费级 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：5A 正向压降(Vf)：550mV@5A 反向电流(Ir)：500μA@40V
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 品牌: TWGMC 总电容C: 200pF 正向压降VF: 550mV 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.70mm 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 反向漏电流IR: 500µA 元件生命周期: Active 原产国家: China 二极管类型: Schottky 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 5A 正向压降VF Max: 550mV 高度: 2.20mm 零件状态: Active 应用: 消费级 引脚数: 2Pin
SS8050SOT23
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 集电极-基极电压:40V 集电极-发射极电压:25V 集电极电流连续：1.5A 收集器功耗:0.3W 储存温度：-55-150℃ NPN
安装类型: SMT 品牌: TWGMC 功率耗散: 300mW 额定功率: 300mW 集射极击穿电压Vce(Max): 500mV Vce饱和压降: 25V 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.65mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 1.5A 集电极-发射极电压 VCEO: 500mV 原产国家: China Taiwan 高度: 1.10mm 零件状态: Active DC电流增益(hFE): 200 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 集电极-基极电压:40V 集电极-发射极电压:25V 集电极电流连续：1.5A 收集器功耗:0.3W 储存温度：-55-150℃ NPN
安装类型: SMT 品牌: TWGMC 功率耗散: 300mW 额定功率: 300mW 集射极击穿电压Vce(Max): 500mV Vce饱和压降: 25V 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.65mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 1.5A 集电极-发射极电压 VCEO: 500mV 原产国家: China Taiwan 高度: 1.10mm 零件状态: Active DC电流增益(hFE): 200 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
SI2305
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@1.8V,2A
安装类型: SMT 额定功率: 350mW 原始制造商: Twgmc Electronics Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): -0.7V 连续漏极电流Id@25℃: 4.1A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 存储温度: -50℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±8V 输入电容Ciss: 740pF 漏极电流Idss: -1μA 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 90mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 7.8nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 12V 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@1.8V,2A
安装类型: SMT 额定功率: 350mW 原始制造商: Twgmc Electronics Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): -0.7V 连续漏极电流Id@25℃: 4.1A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 存储温度: -50℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±8V 输入电容Ciss: 740pF 漏极电流Idss: -1μA 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 90mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 7.8nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 12V 引脚数: 3Pin
1N5817W
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基(SBD)二极管
描述: 封装/外壳：SOD123 正向浪涌电流Ifsm：25A 反向峰值电压Vrrm：20V 反向电压Vr：20V 正向电流If：1A
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 品牌: TWGMC 原始制造商: Twgmc Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 印字代码: SJ 正向压降VF: 450mV 长x宽/尺寸: 2.80 x 1.80mm 反向漏电流IR: 1mA 封装/外壳: SOD123 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 原产国家: China Taiwan 平均整流电流IF: 1A 二极管类型: Schottky 反向峰值电压（最大值）: 20V 反向耐压VR: 20V 工作温度-结: -55°C~150°C 高度: 1.30mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基(SBD)二极管
描述: 封装/外壳：SOD123 正向浪涌电流Ifsm：25A 反向峰值电压Vrrm：20V 反向电压Vr：20V 正向电流If：1A
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 品牌: TWGMC 原始制造商: Twgmc Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 印字代码: SJ 正向压降VF: 450mV 长x宽/尺寸: 2.80 x 1.80mm 反向漏电流IR: 1mA 封装/外壳: SOD123 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 原产国家: China Taiwan 平均整流电流IF: 1A 二极管类型: Schottky 反向峰值电压（最大值）: 20V 反向耐压VR: 20V 工作温度-结: -55°C~150°C 高度: 1.30mm 引脚数: 2Pin