SI2305
品牌
TWGMC
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@1.8V,2A
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 额定功率: | 350mW |
| 原始制造商: | Twgmc Electronics Co., Ltd. |
| 阈值电压Vgs(th): | -0.7V |
| 连续漏极电流Id@25℃: | 4.1A |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | P-沟道 |
| 存储温度: | -50℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SOT23 |
| 元件生命周期: | Active |
| 栅极源极击穿电压: | ±8V |
| 输入电容Ciss: | 740pF |
| 漏极电流Idss: | -1μA |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 90mΩ |
| 栅极电荷(Qg)(Max): | 7.8nC |
| 最小包装: | 3000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 12V |
| 引脚数: | 3Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 10+ | ¥0.2394 |
| 100+ | ¥0.1974 |
| 300+ | ¥0.1764 |
| 3000+ | ¥0.1420 |
| 6000+ | ¥0.1294 |
| 9000+ | ¥0.1231 |
| 包装：10 | 库存：14160 |