SEMIQ
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GSXD060A018S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 180V 60A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 60A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 180 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 920 mV @ 60 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 180 V 基本产品编号: GSXD060
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 180V 60A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 60A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 180 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 920 mV @ 60 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 180 V 基本产品编号: GSXD060
GSXD100A012S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 120V 100A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 100A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 120 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 880 mV @ 100 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 120 V 基本产品编号: GSXD100
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 120V 100A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 100A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 120 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 880 mV @ 100 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 120 V 基本产品编号: GSXD100
GSXF100A100S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE FAST REC 1000V 100A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 100A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1000 V 反向恢复时间 (trr): 125 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 2.35 V @ 100 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25 µA @ 1000 V 基本产品编号: GSXF100
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE FAST REC 1000V 100A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 100A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1000 V 反向恢复时间 (trr): 125 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 2.35 V @ 100 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25 µA @ 1000 V 基本产品编号: GSXF100
GSXD060A010S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 100V 60A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 60A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 100 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 840 mV @ 60 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 100 V 基本产品编号: GSXD060
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 100V 60A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 60A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 100 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 840 mV @ 60 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 100 V 基本产品编号: GSXD060
GSID150A120T2C1
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 1200V 285A 1087W
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 散装 零件状态: 在售 IGBT 类型: - 配置: 三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 285 A 功率 - 最大值: 1087 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.1V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 21.2 nF @ 25 V 输入: 三相桥式整流器 NTC 热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块 基本产品编号: GSID150
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 1200V 285A 1087W
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 散装 零件状态: 在售 IGBT 类型: - 配置: 三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 285 A 功率 - 最大值: 1087 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.1V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 21.2 nF @ 25 V 输入: 三相桥式整流器 NTC 热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块 基本产品编号: GSID150
GPA020A135MN-FD
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 1350V 40A 223W TO3PN
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停产 IGBT 类型: 沟槽型场截止 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.3V @ 15V，20A 开关能量: 2.5mJ（开），760µJ（关） 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 25ns/175ns 测试条件: 600V，20A，10 欧姆，15V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-3 供应商器件封装: TO-3P 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1350 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 40 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 60 A 功率 - 最大值: 223 W 栅极电荷: 180 nC 反向恢复时间 (trr): 425 ns
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 1350V 40A 223W TO3PN
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停产 IGBT 类型: 沟槽型场截止 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.3V @ 15V，20A 开关能量: 2.5mJ（开），760µJ（关） 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 25ns/175ns 测试条件: 600V，20A，10 欧姆，15V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-3 供应商器件封装: TO-3P 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1350 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 40 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 60 A 功率 - 最大值: 223 W 栅极电荷: 180 nC 反向恢复时间 (trr): 425 ns
GSXD060A008S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 80V 60A SOT227
Current-ReverseLeakage@Vr: 1 mA @ 80 V Current-AverageRectified(Io)(perDiode): 60A Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Category: Discrete Semiconductor ProductsDiodesRectifiersDiode Arrays RoHSStatus: ROHS3 Compliant ProductStatus: Active Package/Case: SOT-227-4, miniBLOC MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Affected MountingType: Chassis Mount Series: - SupplierDevicePackage: SOT-227 BaseProductNumber: GSXD060 Voltage-Forward(Vf)(Max)@If: 840 mV @ 60 A Technology: Schottky Voltage-DCReverse(Vr)(Max): 80 V OperatingTemperature-Junction: -40°C ~ 150°C Mfr: SemiQ Package: Tube HTSUS: 8541.10.0080 DiodeConfiguration: 2 Independent
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 80V 60A SOT227
Current-ReverseLeakage@Vr: 1 mA @ 80 V Current-AverageRectified(Io)(perDiode): 60A Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Category: Discrete Semiconductor ProductsDiodesRectifiersDiode Arrays RoHSStatus: ROHS3 Compliant ProductStatus: Active Package/Case: SOT-227-4, miniBLOC MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Affected MountingType: Chassis Mount Series: - SupplierDevicePackage: SOT-227 BaseProductNumber: GSXD060 Voltage-Forward(Vf)(Max)@If: 840 mV @ 60 A Technology: Schottky Voltage-DCReverse(Vr)(Max): 80 V OperatingTemperature-Junction: -40°C ~ 150°C Mfr: SemiQ Package: Tube HTSUS: 8541.10.0080 DiodeConfiguration: 2 Independent
GSXD060A004S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 45V 60A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 60A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 45 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 700 mV @ 60 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 45 V 基本产品编号: GSXD060
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 45V 60A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 60A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 45 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 700 mV @ 60 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 45 V 基本产品编号: GSXD060
GSID200A120S5C1
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MODULE 1200V 335A
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 IGBT 类型: - 配置: 三相反相器 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.1V @ 15V，200A 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 335 A 电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 22.4 nF @ 25 V 基本产品编号: GSID200
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MODULE 1200V 335A
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 IGBT 类型: - 配置: 三相反相器 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.1V @ 15V，200A 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 335 A 电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 22.4 nF @ 25 V 基本产品编号: GSID200
GP3D030A065B
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: SIC SCHOTTKY DIODE 650V TO247-2
Current-ReverseLeakage@Vr: 75 µA @ 650 V Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Category: Discrete Semiconductor ProductsDiodesRectifiersSingle Diodes RoHSStatus: ROHS3 Compliant ProductStatus: Active Package/Case: TO-247-2 MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Affected ReverseRecoveryTime(trr): 0 ns MountingType: Through Hole Capacitance@Vr,F: 1247pF @ 1V, 1MHz Series: Amp+™ SupplierDevicePackage: TO-247-2 BaseProductNumber: GP3D030 Voltage-Forward(Vf)(Max)@If: 1.65 V @ 30 A Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Voltage-DCReverse(Vr)(Max): 650 V OperatingTemperature-Junction: -55°C ~ 175°C Mfr: SemiQ Current-AverageRectified(Io): 30A Package: Tube HTSUS: 8541.10.0080
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: SIC SCHOTTKY DIODE 650V TO247-2
Current-ReverseLeakage@Vr: 75 µA @ 650 V Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Category: Discrete Semiconductor ProductsDiodesRectifiersSingle Diodes RoHSStatus: ROHS3 Compliant ProductStatus: Active Package/Case: TO-247-2 MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Affected ReverseRecoveryTime(trr): 0 ns MountingType: Through Hole Capacitance@Vr,F: 1247pF @ 1V, 1MHz Series: Amp+™ SupplierDevicePackage: TO-247-2 BaseProductNumber: GP3D030 Voltage-Forward(Vf)(Max)@If: 1.65 V @ 30 A Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Voltage-DCReverse(Vr)(Max): 650 V OperatingTemperature-Junction: -55°C ~ 175°C Mfr: SemiQ Current-AverageRectified(Io): 30A Package: Tube HTSUS: 8541.10.0080