MATSUKI

ME4457
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：5.9A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：37mΩ@10V,10A

ME7114S-G
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：71A 功率(Pd)：52W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.8mΩ@10V,13A

ME7114S
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：71A 功率(Pd)：52W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.8mΩ@10V,13A

ME2620
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

ME5813D
供应商: Chip1Cloud

METR3904-G
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 NPN 40V 200mA SOT-23
安装类型: SMT 额定功率: 225mW 集射极击穿电压Vce(Max): 40V 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 300mV@50mA,5mA 跃迁频率: 300MHz 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 200mA 特征频率(fT): 300MHz 高度: 1.11mm DC电流增益(hFE): 100~300 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin

METR3906-G
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 PNP 40V 200mA SOT-23
安装类型: SMT 额定功率: 225mW 集射极击穿电压Vce(Max): 40V 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 400mV@50mA,5mA 跃迁频率: 250MHz 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 200mA 特征频率(fT): 250MHz 高度: 1.11mm DC电流增益(hFE): 100~300 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin

ME20P03
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道,-30V,-27.6A,42mΩ@-4.5V
封装/外壳: TO-252(DPAK) 阈值电压: 3V@250μA 额定功率: 39W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 32mΩ@10V,18A 漏源电压(Vdss): 30V 极性: 1个P沟道 连续漏极电流: 27.6A 类型: 1个P沟道

ME3920-G
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

ME4473
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：9.7A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：14mΩ@10V,17A