MATSUKI

ME4457
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：5.9A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：37mΩ@10V,10A

ME7114S-G
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：71A 功率(Pd)：52W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.8mΩ@10V,13A

ME7114S
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：71A 功率(Pd)：52W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.8mΩ@10V,13A

ME2620
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

ME5813D
供应商: Chip1Cloud

METR3904-G
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 功率(Pd)：225mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V

METR3906-G
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 功率(Pd)：225mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V

ME20P03
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：27.6A 功率(Pd)：39W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：32mΩ@10V,18A P沟道,-30V,-27.6A,42mΩ@-4.5V

ME3920-G
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

ME4473
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：9.7A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：14mΩ@10V,17A