MATSUKI
商品列表
ME4548-G
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,8.1A;25mΩ@10V,7.1A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,8.1A;25mΩ@10V,7.1A
ME3205T
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):105A 功率(Pd):150W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.9mΩ@10V,66A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):105A 功率(Pd):150W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.9mΩ@10V,66A
ME2N7002D
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):300mA 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3Ω@10V,500mA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):300mA 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3Ω@10V,500mA
ME25N06
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):16A 功率(Pd):25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):62mΩ@10V,15A N沟道,60V,16A,86mΩ@4.5V
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):16A 功率(Pd):25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):62mΩ@10V,15A N沟道,60V,16A,86mΩ@4.5V