MATSUKI

ME3587-G
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 功率(Pd)：1.18W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：37mΩ@4.5V,3.4A

ME9435A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: P沟道 耐压:30V 电流:6.3A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.3A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):31mΩ@10V,5.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA

ME66N04T
供应商: Anychip Mall
分类: MOS(场效应管)

ME8205E-G
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

ME4411-G
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

ME2604-G
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

ME2N7002E
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: ME2N7002E

ME4565A-G
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

ME4565
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

ME50N75T
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：75V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：150W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：22mΩ@10V,30A