SILAN
商品列表
SVF20N50F
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):72W
安装类型: 插件 品牌: Silan 功率耗散: 72W 额定功率: 72W 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 20A 长x宽/尺寸: 10.16 x 4.40mm 封装/外壳: TO220F 栅极源极击穿电压: ±30V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 49.5nC 配置: 单路 不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 270mΩ 输入电容: 2.6877nF 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 500V 栅极电荷(Qg): 49.5nC 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):72W
安装类型: 插件 品牌: Silan 功率耗散: 72W 额定功率: 72W 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 20A 长x宽/尺寸: 10.16 x 4.40mm 封装/外壳: TO220F 栅极源极击穿电压: ±30V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 49.5nC 配置: 单路 不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 270mΩ 输入电容: 2.6877nF 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 500V 栅极电荷(Qg): 49.5nC 零件状态: Active
SVF12N60F
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):51W TO220F-3L
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 品牌: Silan 功率耗散: 51W 击穿电压: 600V 原始制造商: Hangzhou Silan Microelectronics Co., Ltd. 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 12A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO220F-3L 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 14pF 配置: 单路 不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 850mΩ 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 600V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):51W TO220F-3L
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 品牌: Silan 功率耗散: 51W 击穿电压: 600V 原始制造商: Hangzhou Silan Microelectronics Co., Ltd. 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 12A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO220F-3L 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 14pF 配置: 单路 不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 850mΩ 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 600V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
SVF5N60F(S)
供应商: Anychip Mall
分类: SVF5N60F(S) TO-220F
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.15Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):31W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 600V 5A
供应商: Anychip Mall
分类: SVF5N60F(S) TO-220F
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.15Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):31W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 600V 5A