SVF12N60F
品牌
SILAN
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):51W TO220F-3L
物料参数
安装类型: | 插件 |
是否无铅: | Yes |
功率耗散: | 51W |
击穿电压: | 600V |
原始制造商: | Hangzhou Silan Microelectronics Co., Ltd. |
包装: | Tube packing |
极性: | N-沟道 |
连续漏极电流: | 12A |
存储温度: | -55℃~+150℃ |
长x宽/尺寸: | 10.16 x 4.40mm |
封装/外壳: | TO220F-3L |
元件生命周期: | Active |
反向传输电容Crss: | 14pF |
配置: | 单路 |
原产国家: | China |
最小包装: | 50pcs |
漏源电压(Vdss): | 600V |
零件状态: | Active |
晶体管类型: | N沟道 |
应用: | Industrial |
价格梯度 | 价格 |
---|---|
1+ | ¥5.1100 |
10+ | ¥4.2100 |
50+ | ¥3.7600 |
包装:1 | 库存:44 |
价格梯度 | 价格 |
---|---|
1+ | ¥3.4820 |
包装:1 | 库存:44 |