SVF12N60F

品牌
SILAN
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):51W TO220F-3L

物料参数

安装类型:插件
品牌:Silan
功率耗散:51W
原始制造商:Hangzhou Silan Microelectronics Co., Ltd.
包装:Tube packing
极性:N-沟道
连续漏极电流:12A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:10.16 x 4.40mm
封装/外壳:TO220F-3L
栅极源极击穿电压:±30V
配置:单路
原产国家:China
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):850mΩ
最小包装:50pcs
漏源电压(Vdss):600V
高度:15.87mm
晶体管类型:N沟道
应用:Industrial
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
1+¥5.1100
10+¥4.2100
50+¥3.7600
包装:1 库存:34
价格梯度 价格
1+¥3.4820
包装:1 库存:44