KEXIN

2SB1188-R
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:32V 电流:2A 集电极电流(Ic):2A 集射极击穿电压(Vceo):32V 功率(Pd):500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):82@500mA,3V

FR107(RS1M)
供应商: Anychip Mall
分类: 快恢复
描述: 电压:1kV 电流:1A 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 反向恢复时间(trr):500ns

ES1D
供应商: Anychip Mall
分类: 快恢复
描述: 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：950mV@1A 反向恢复时间(trr)：35ns

RB521I-30
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 直流反向耐压(Vr)：30V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：500mV@200mA

KO3409
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2.6A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：130mΩ@10V,2.6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA

SI2302
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.8A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：85mΩ@4.5V,3.6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250uA N 沟道 20V

2KK5016
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：238mA 功率(Pd)：300W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@4.5V,10mA N沟道 20V 238mA

KI2300
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA

2N7002
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@10V,500mA

KI2307DS
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：80mΩ@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA