KEXIN
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KO3401
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.2A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@10V,4.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.3V@250μA P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.2A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@10V,4.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.3V@250μA P沟道
KST8550S
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA 特征频率(fT):150MHz 工作温度:+150℃@(Tj) PNP
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA 特征频率(fT):150MHz 工作温度:+150℃@(Tj) PNP
MMBT2222A
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):250mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V NPN IC=0.6A
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):250mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V NPN IC=0.6A
1N4148WS
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管
描述: 二极管配置:独立式 功率:500mW 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):150mA 正向压降(Vf):1.25V@150mA 反向恢复时间(trr):4ns
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管
描述: 二极管配置:独立式 功率:500mW 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):150mA 正向压降(Vf):1.25V@150mA 反向恢复时间(trr):4ns