SLKOR
商品列表
SLESDL0402-24
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 VDC=24V VT=140V VC=65V 0402
安装类型: SMT 钳位电压: 100V 是否无铅: Yes 品牌: Slkor 电源电压: 24V 功率-峰值脉冲: - 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.50mm 反向断态电压: 24V 封装/外壳: 0402 工作温度: -55℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: - 额定电压-DC: 24V 最小包装: 10000pcs 通道数: 1 结电容: 1.5pF 高度: 0.50mm 引脚数: 2Pin 类型: ESD
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 VDC=24V VT=140V VC=65V 0402
安装类型: SMT 钳位电压: 100V 是否无铅: Yes 品牌: Slkor 电源电压: 24V 功率-峰值脉冲: - 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.50mm 反向断态电压: 24V 封装/外壳: 0402 工作温度: -55℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: - 额定电压-DC: 24V 最小包装: 10000pcs 通道数: 1 结电容: 1.5pF 高度: 0.50mm 引脚数: 2Pin 类型: ESD
ZMM2V7
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: IR:10uA@1V Pd:500mW
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 稳压值Vz: 2.7V 品牌: Slkor 原始制造商: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: 5mA 存储温度: -55℃~+175℃ 长x宽/尺寸: Φ1.45 x 3.50mm 反向漏电流IR: 10µA 封装/外壳: LL-34(SOD-80) 工作温度: +175℃ 系列: - 原产国家: China 标准稳压值: 2.7V 最小包装: 2500pcs 功率耗散（最大值）: 500mW 正向压降VF Max: 1V 高度: 1.45mm 容差: -
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: IR:10uA@1V Pd:500mW
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 稳压值Vz: 2.7V 品牌: Slkor 原始制造商: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: 5mA 存储温度: -55℃~+175℃ 长x宽/尺寸: Φ1.45 x 3.50mm 反向漏电流IR: 10µA 封装/外壳: LL-34(SOD-80) 工作温度: +175℃ 系列: - 原产国家: China 标准稳压值: 2.7V 最小包装: 2500pcs 功率耗散（最大值）: 500mW 正向压降VF Max: 1V 高度: 1.45mm 容差: -
SL13N45F
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=450V VGS=±25V ID=13A RDS(ON)=490mΩ@10V TO220F
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 品牌: Slkor 击穿电压: 450V 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 13A 封装/外壳: TO220F 栅极源极击穿电压: ±25V 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 490mΩ 输入电容: 970pF@10V 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 450V 栅极电荷(Qg): 15nC@10V 高度: 20.70mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=450V VGS=±25V ID=13A RDS(ON)=490mΩ@10V TO220F
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 品牌: Slkor 击穿电压: 450V 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 13A 封装/外壳: TO220F 栅极源极击穿电压: ±25V 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 490mΩ 输入电容: 970pF@10V 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 450V 栅极电荷(Qg): 15nC@10V 高度: 20.70mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
SL1605TL
供应商: Anychip Mall
分类: 霍尔开关
描述: 磁性编码器 SOT-23 1.6~5.5V
电压-电源: 1.6V~5.5V 安装类型: SMT 技术: 霍尔效应 传感器类型: 开关输出 包装: Tape/Reel 电流-输出: 5mA 长x宽/尺寸: 2.95 x 2.80mm 存储温度: -50℃~+150℃ 输出类型: CMOS工艺 封装/外壳: SOT-553 工作温度: -40℃~+85℃ 接口: I²C 释放点(Gs): 23Gs 系列: SL1605 测试条件: 25°C 极化: 双向 最小包装: 3000pcs 认证信息: rohs 零件状态: 活跃的 应用: Consumer, Power supply
供应商: Anychip Mall
分类: 霍尔开关
描述: 磁性编码器 SOT-23 1.6~5.5V
电压-电源: 1.6V~5.5V 安装类型: SMT 技术: 霍尔效应 传感器类型: 开关输出 包装: Tape/Reel 电流-输出: 5mA 长x宽/尺寸: 2.95 x 2.80mm 存储温度: -50℃~+150℃ 输出类型: CMOS工艺 封装/外壳: SOT-553 工作温度: -40℃~+85℃ 接口: I²C 释放点(Gs): 23Gs 系列: SL1605 测试条件: 25°C 极化: 双向 最小包装: 3000pcs 认证信息: rohs 零件状态: 活跃的 应用: Consumer, Power supply
MMBT2907
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: PNP Ic:600mA Pd:250mW Vceo:40V fT:200MHz VCE(sat):400mV@150mA,15mA hFE:100@150mA,10V
安装类型: SMT 品牌: Slkor 功率耗散: 250mW 额定功率: 250mW Vce饱和压降: 670mV 集射极击穿电压Vce(Max): 40V 跃迁频率: 200MHz 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.65mm 封装/外壳: SOT-23 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 40V 集电极电流 Ic: 600mA 特征频率(fT): 200MHz 高度: 1.10mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 100 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: PNP Ic:600mA Pd:250mW Vceo:40V fT:200MHz VCE(sat):400mV@150mA,15mA hFE:100@150mA,10V
安装类型: SMT 品牌: Slkor 功率耗散: 250mW 额定功率: 250mW Vce饱和压降: 670mV 集射极击穿电压Vce(Max): 40V 跃迁频率: 200MHz 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.65mm 封装/外壳: SOT-23 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 40V 集电极电流 Ic: 600mA 特征频率(fT): 200MHz 高度: 1.10mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 100 引脚数: 3Pin
MMSZ5256B
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: IR:100nA@23V Pd:500mW
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 稳压值Vz: 30V 精度: ±5% 原始制造商: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: 4.2mA 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.80 x 1.80mm Zzt阻抗: 49Ω 反向漏电流IR: 100nA 封装/外壳: SOD-123 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 原产国家: China 反向耐压VR: 23V 阻抗Typ: 49Ω 功率耗散（最大值）: 500mW 高度: 1.30mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: IR:100nA@23V Pd:500mW
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 稳压值Vz: 30V 精度: ±5% 原始制造商: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: 4.2mA 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.80 x 1.80mm Zzt阻抗: 49Ω 反向漏电流IR: 100nA 封装/外壳: SOD-123 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 原产国家: China 反向耐压VR: 23V 阻抗Typ: 49Ω 功率耗散（最大值）: 500mW 高度: 1.30mm 引脚数: 2Pin
SS34
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: VR:40V IF:3A VF:500mV@3A
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 品牌: Slkor 原始制造商: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 500mV 长x宽/尺寸: 4.60 x 2.83mm 反向漏电流IR: 500µA 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 系列: - 原产国家: China 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 3A 最小包装: 2000pcs 反向恢复时间(trr): - 高度: 2.14mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: VR:40V IF:3A VF:500mV@3A
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 品牌: Slkor 原始制造商: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 500mV 长x宽/尺寸: 4.60 x 2.83mm 反向漏电流IR: 500µA 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 系列: - 原产国家: China 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 3A 最小包装: 2000pcs 反向恢复时间(trr): - 高度: 2.14mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
1SMA4728A
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: IR:100uA@1V Pd:1W Zzt:10Ω 3.3V~76V
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 稳压值Vz: 3.3V 精度: ±5% 原始制造商: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: 75mA 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.70mm 反向漏电流IR: 100µA 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 标准稳压值: 3.3V 反向耐压VR: 1V 功率耗散（最大值）: 1W 高度: 2.20mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: IR:100uA@1V Pd:1W Zzt:10Ω 3.3V~76V
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 稳压值Vz: 3.3V 精度: ±5% 原始制造商: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: 75mA 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.70mm 反向漏电流IR: 100µA 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 标准稳压值: 3.3V 反向耐压VR: 1V 功率耗散（最大值）: 1W 高度: 2.20mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
BC856B
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: PNP Ic:100mA Pd:200mW Vceo:65V fT:100MHz VCE(sat):500mV@100mA,5mA hFE:220@2mA,5V
安装类型: SMT 品牌: Slkor 集电极-基极电压（VCBO）: 80V 额定功率: 200mW 包装: Tape/reel Vce饱和压降: 500mV 集射极击穿电压Vce(Max): 65V 极性: PNP 跃迁频率: 100MHz 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 100mA 集电极-发射极电压 VCEO: 65V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 1.15mm DC电流增益(hFE): - 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: PNP Ic:100mA Pd:200mW Vceo:65V fT:100MHz VCE(sat):500mV@100mA,5mA hFE:220@2mA,5V
安装类型: SMT 品牌: Slkor 集电极-基极电压（VCBO）: 80V 额定功率: 200mW 包装: Tape/reel Vce饱和压降: 500mV 集射极击穿电压Vce(Max): 65V 极性: PNP 跃迁频率: 100MHz 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 100mA 集电极-发射极电压 VCEO: 65V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 1.15mm DC电流增益(hFE): - 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin