SLKOR
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SL3402
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: 1个N沟道 Pd:1.5W VDSS:20V ID:4A RDS:50mΩ@10V,4A Vgs(th):1.5V@250uA
安装类型: SMT 功率耗散: 1.5W 阈值电压: 1.5V@250μA 原始制造商: SLKORMICRO Electronics Co., Ltd 额定功率: 1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 50mΩ@10V,4A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 工作温度: +150℃ 充电电量: 3.5nC 配置: 单路 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 3.5nC 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: 1个N沟道 Pd:1.5W VDSS:20V ID:4A RDS:50mΩ@10V,4A Vgs(th):1.5V@250uA
安装类型: SMT 功率耗散: 1.5W 阈值电压: 1.5V@250μA 原始制造商: SLKORMICRO Electronics Co., Ltd 额定功率: 1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 50mΩ@10V,4A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 工作温度: +150℃ 充电电量: 3.5nC 配置: 单路 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 3.5nC 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
LM317
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器（LDO）
描述: ADJ 输入40V 输出1.2V~37V 1.5A
安装类型: 插件 特性: 过流保护(OCP)；短路保护；热保护(TSD) 输出配置: - 电源抑制比(PSRR): 80dB 品牌: Slkor 原始制造商: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 极性: 正极 输入电压: 40V 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: TO-220-3 输出类型: Adjustable 元件生命周期: Active 工作温度: 0℃~+125℃(TJ) 原产国家: China 输出电流: 1.5A 静态电流: - 通道数: 1 输出电压: 1.2V~37V 输入电压（最大值）: 40V 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器（LDO）
描述: ADJ 输入40V 输出1.2V~37V 1.5A
安装类型: 插件 特性: 过流保护(OCP)；短路保护；热保护(TSD) 输出配置: - 电源抑制比(PSRR): 80dB 品牌: Slkor 原始制造商: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 极性: 正极 输入电压: 40V 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: TO-220-3 输出类型: Adjustable 元件生命周期: Active 工作温度: 0℃~+125℃(TJ) 原产国家: China 输出电流: 1.5A 静态电流: - 通道数: 1 输出电压: 1.2V~37V 输入电压（最大值）: 40V 引脚数: 3Pin
BSS138
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: 1个N沟道 Pd:225mW VDSS:50V ID:220mA RDS:3.5Ω@10V,220mA Vgs(th):1.6V@1mA
安装类型: SMT 品牌: Slkor 功率耗散: 225mW 阈值电压: 1.6V@1mA 额定功率: 225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 3.5Ω@10V,220mA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 220mA 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: +150℃(TJ) 配置: 单路 漏源电压(Vdss): 50V 栅极电荷(Qg): - 高度: 1.15mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: 1个N沟道 Pd:225mW VDSS:50V ID:220mA RDS:3.5Ω@10V,220mA Vgs(th):1.6V@1mA
安装类型: SMT 品牌: Slkor 功率耗散: 225mW 阈值电压: 1.6V@1mA 额定功率: 225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 3.5Ω@10V,220mA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 220mA 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: +150℃(TJ) 配置: 单路 漏源电压(Vdss): 50V 栅极电荷(Qg): - 高度: 1.15mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道 引脚数: 3Pin
SL3904T
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: NPN开关晶体管
安装类型: SMT 品牌: Slkor 功率耗散: 150mW 集电极-基极电压（VCBO）: 60V 原始制造商: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 额定功率: 150mW 集射极击穿电压Vce(Max): 40V 包装: Tape/reel 极性: NPN 跃迁频率: 300MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-523-3 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 200mA 原产国家: China 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 零件状态: Active DC电流增益(hFE): 100~300 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: NPN开关晶体管
安装类型: SMT 品牌: Slkor 功率耗散: 150mW 集电极-基极电压（VCBO）: 60V 原始制造商: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 额定功率: 150mW 集射极击穿电压Vce(Max): 40V 包装: Tape/reel 极性: NPN 跃迁频率: 300MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-523-3 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 200mA 原产国家: China 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 零件状态: Active DC电流增益(hFE): 100~300 晶体管类型: NPN
S8050TO-92
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: NPN Vce(max)=25V Ic=500mA
安装类型: 插件 品牌: Slkor 功率耗散: 625mW 额定功率: 625mW 集射极击穿电压Vce(Max): 25V Vce饱和压降: 600mV 跃迁频率: 150MHz 长x宽/尺寸: 4.72 x 3.72mm 封装/外壳: TO92-3 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 500mA 集电极-发射极电压 VCEO: 25V 高度: 4.50mm DC电流增益(hFE): 85 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: NPN Vce(max)=25V Ic=500mA
安装类型: 插件 品牌: Slkor 功率耗散: 625mW 额定功率: 625mW 集射极击穿电压Vce(Max): 25V Vce饱和压降: 600mV 跃迁频率: 150MHz 长x宽/尺寸: 4.72 x 3.72mm 封装/外壳: TO92-3 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 500mA 集电极-发射极电压 VCEO: 25V 高度: 4.50mm DC电流增益(hFE): 85 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
MBRF10200CT
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: ITO220AB DIP 200V
安装类型: 插件 封装/外壳: ITO-220 元件生命周期: Active 品牌: Slkor 原产国家: China 原始制造商: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 平均整流电流: 10A 最小包装: 50pcs 包装: Tube packing 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: ITO220AB DIP 200V
安装类型: 插件 封装/外壳: ITO-220 元件生命周期: Active 品牌: Slkor 原产国家: China 原始制造商: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 平均整流电流: 10A 最小包装: 50pcs 包装: Tube packing 零件状态: Active
ESD5451L
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 DFN1006-2L VRWM=5V VBR(min)=5.6V Vc=12V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Slkor 反向漏电流 IR: 0.5uA 最大工作电压(DC): 5V 击穿电压: 5.6V 原始制造商: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 功率-峰值脉冲: 60W 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.05 x 0.65mm 反向断态电压: 5V 封装/外壳: DFN1006-2L 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 5A 原产国家: China 通道数: 1 结电容: 15pF 高度: 0.50mm 击穿电压 -min: 5.6V
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 DFN1006-2L VRWM=5V VBR(min)=5.6V Vc=12V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Slkor 反向漏电流 IR: 0.5uA 最大工作电压(DC): 5V 击穿电压: 5.6V 原始制造商: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 功率-峰值脉冲: 60W 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.05 x 0.65mm 反向断态电压: 5V 封装/外壳: DFN1006-2L 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 5A 原产国家: China 通道数: 1 结电容: 15pF 高度: 0.50mm 击穿电压 -min: 5.6V
AMS1117-2.5(SOT-89)
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: 稳压器LDO 输入电压（最大值）：30V 封装：SOT-89
安装类型: SMT 输出配置: Original 电源抑制比(PSRR): 70dB 品牌: Slkor 原始制造商: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 输入电压: 30V 静态电流（最大值）: 3mA 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.48mm 封装/外壳: SOT89 输出类型: Adjustable 元件生命周期: Active 输出电流（Max）: 10mA 工作温度: -40~+125℃ 原产国家: China 最小包装: 1000pcs 输出电压: 2.5V 输入电压（最大值）: 30V 板上高度: 1.50mm 引脚数: 3Pins
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: 稳压器LDO 输入电压（最大值）：30V 封装：SOT-89
安装类型: SMT 输出配置: Original 电源抑制比(PSRR): 70dB 品牌: Slkor 原始制造商: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 输入电压: 30V 静态电流（最大值）: 3mA 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.48mm 封装/外壳: SOT89 输出类型: Adjustable 元件生命周期: Active 输出电流（Max）: 10mA 工作温度: -40~+125℃ 原产国家: China 最小包装: 1000pcs 输出电压: 2.5V 输入电压（最大值）: 30V 板上高度: 1.50mm 引脚数: 3Pins
SL30S60
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: 快恢复二极管
安装类型: 插件 品牌: Slkor 原始制造商: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 包装: Tube packing 存储温度: -40~+175℃ 长x宽/尺寸: 10.66 x 4.82mm 封装/外壳: TO-220-3 反向漏电流IR: 10µA 工作温度: -40℃~+175℃ 原产国家: China 应用等级: Consumer 反向耐压VR: 600V 平均整流电流: 30A 功率耗散（最大值）: 100W 反向恢复时间(trr): 120ns 正向压降VF Max: 1.5V 零件状态: Active 高度: 21.84mm 应用: 消费级 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: 快恢复二极管
安装类型: 插件 品牌: Slkor 原始制造商: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 包装: Tube packing 存储温度: -40~+175℃ 长x宽/尺寸: 10.66 x 4.82mm 封装/外壳: TO-220-3 反向漏电流IR: 10µA 工作温度: -40℃~+175℃ 原产国家: China 应用等级: Consumer 反向耐压VR: 600V 平均整流电流: 30A 功率耗散（最大值）: 100W 反向恢复时间(trr): 120ns 正向压降VF Max: 1.5V 零件状态: Active 高度: 21.84mm 应用: 消费级 引脚数: 2Pin
2SC4226R24
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: NPN Ic:100mA Pd:150mW Vceo:12V fT:4.5GHz hFE:70@7mA,3V
正向电流: 100mA 安装类型: SMT 功率耗散: 150mW 集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO: 20V 集电极-基极电压（VCBO）: 20V 额定功率: 150mW 集射极击穿电压Vce(Max): 12V Vce饱和压降: - 包装: Tape/reel 跃迁频率: 4.5GHz 长x宽/尺寸: 2.20 x 1.35mm 封装/外壳: SOT-323 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 100mA 集电极-发射极电压 VCEO: 12V 配置: 单路 原产国家: China 发射极与基极之间电压 VEBO: 3V 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 70
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: NPN Ic:100mA Pd:150mW Vceo:12V fT:4.5GHz hFE:70@7mA,3V
正向电流: 100mA 安装类型: SMT 功率耗散: 150mW 集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO: 20V 集电极-基极电压（VCBO）: 20V 额定功率: 150mW 集射极击穿电压Vce(Max): 12V Vce饱和压降: - 包装: Tape/reel 跃迁频率: 4.5GHz 长x宽/尺寸: 2.20 x 1.35mm 封装/外壳: SOT-323 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 100mA 集电极-发射极电压 VCEO: 12V 配置: 单路 原产国家: China 发射极与基极之间电压 VEBO: 3V 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 70