JCET
商品列表
BC856A
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: PNP Ic=-100mA Vceo=-65V hfe=125~250 P=200mW SOT-23
晶体管类型: PNP 封装/外壳: SOT23 DC电流增益(hFE)(Min&Range): 125 安装类型: SMT 跃迁频率: 100MHz Vce饱和压降(Max): 500mV 工作温度(Tj): +150℃ 功率(Max): 200mW 集电极电流Ic(Max): 100mA 集射极击穿电压Vce(Max): 65V 额定功率: 200mW 集电极-发射极电压 VCEO: 65V 集电极电流 Ic: 100mA 集电极-射极饱和电压 VCE(sat): 500mV 品牌: JCET
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: PNP Ic=-100mA Vceo=-65V hfe=125~250 P=200mW SOT-23
晶体管类型: PNP 封装/外壳: SOT23 DC电流增益(hFE)(Min&Range): 125 安装类型: SMT 跃迁频率: 100MHz Vce饱和压降(Max): 500mV 工作温度(Tj): +150℃ 功率(Max): 200mW 集电极电流Ic(Max): 100mA 集射极击穿电压Vce(Max): 65V 额定功率: 200mW 集电极-发射极电压 VCEO: 65V 集电极电流 Ic: 100mA 集电极-射极饱和电压 VCE(sat): 500mV 品牌: JCET
CJ3139K
供应商: Anychip Mall
分类: 未分类
描述: SOT723-3 150mW
连续漏极电流Id@25℃: -660mA 漏源电压(Vdss): -20V 功率耗散（最大值）: 150mW FET类型: P-Channel 功率(Max): 150mW 工作温度(Tj): -55~+150°C 安装类型: SMT 包装: Tape/reel 导通电阻Rds On(Max): 624mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): - 封装/外壳: SOT723-3 原产国家: China 栅极源极击穿电压: ±12V 漏源导通电阻 RDS(on): 624mΩ 品牌: JCET 输入电容Ciss: 113pF 极性: P-channel 功率耗散: 150mW 漏源击穿电压BVDSS: -20V 反向传输电容Crss: 9pF
供应商: Anychip Mall
分类: 未分类
描述: SOT723-3 150mW
连续漏极电流Id@25℃: -660mA 漏源电压(Vdss): -20V 功率耗散（最大值）: 150mW FET类型: P-Channel 功率(Max): 150mW 工作温度(Tj): -55~+150°C 安装类型: SMT 包装: Tape/reel 导通电阻Rds On(Max): 624mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): - 封装/外壳: SOT723-3 原产国家: China 栅极源极击穿电压: ±12V 漏源导通电阻 RDS(on): 624mΩ 品牌: JCET 输入电容Ciss: 113pF 极性: P-channel 功率耗散: 150mW 漏源击穿电压BVDSS: -20V 反向传输电容Crss: 9pF
2SC1623(300-400)
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=300~400 fT=250MHz P=200mW L6档 SOT-23
封装/外壳: SOT23 工作温度(Tj): +150℃ 安装类型: SMT Vce饱和压降(Max): 300mV 跃迁频率: 250MHz 功率(Max): 200mW 晶体管类型: NPN 集射极击穿电压Vce(Max): 50V 集电极电流Ic(Max): 100mA DC电流增益(hFE)(Min&Range): 300 品牌: JCET 额定功率: 200mW 集电极-发射极电压 VCEO: 50V 集电极电流 Ic: 100mA 集电极-射极饱和电压 VCE(sat): 300mV
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=300~400 fT=250MHz P=200mW L6档 SOT-23
封装/外壳: SOT23 工作温度(Tj): +150℃ 安装类型: SMT Vce饱和压降(Max): 300mV 跃迁频率: 250MHz 功率(Max): 200mW 晶体管类型: NPN 集射极击穿电压Vce(Max): 50V 集电极电流Ic(Max): 100mA DC电流增益(hFE)(Min&Range): 300 品牌: JCET 额定功率: 200mW 集电极-发射极电压 VCEO: 50V 集电极电流 Ic: 100mA 集电极-射极饱和电压 VCE(sat): 300mV
S9012I(190-300)
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: PNP Ic=-500mA Vceo=-25V hfe=190~300 fT=150MHz P=625mW l档 TO-92
Vce饱和压降(Max): 600mV 跃迁频率: 150MHz 集电极电流Ic(Max): 500mA DC电流增益(hFE)(Min&Range): 190 封装/外壳: TO92 工作温度(Tj): +150℃ 安装类型: DIP 功率(Max): 625mW 晶体管类型: PNP 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 额定功率: 625mW 集电极-发射极电压 VCEO: 25V 集电极电流 Ic: 500mA 集电极-射极饱和电压 VCE(sat): 600mV 品牌: JCET
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: PNP Ic=-500mA Vceo=-25V hfe=190~300 fT=150MHz P=625mW l档 TO-92
Vce饱和压降(Max): 600mV 跃迁频率: 150MHz 集电极电流Ic(Max): 500mA DC电流增益(hFE)(Min&Range): 190 封装/外壳: TO92 工作温度(Tj): +150℃ 安装类型: DIP 功率(Max): 625mW 晶体管类型: PNP 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 额定功率: 625mW 集电极-发射极电压 VCEO: 25V 集电极电流 Ic: 500mA 集电极-射极饱和电压 VCE(sat): 600mV 品牌: JCET
BAT54C
供应商: Anychip Mall
分类: 未分类
描述: SOT-23塑料封装二极管30V 200mA 200mW
安装类型: SMT 包装: Tape/Reel 反向峰值电压（最大值）: 30V 工作温度: -40~+125℃ 组态: Dual,Com，Cath 反向恢复时间(trr): 5ns 封装/外壳: SOT23-3 反向漏电流IR: 2µA 最大耗散功率: 200mW 反向耐压VR(max): 30V 平均整流电流IF: 200mA 正向压降VF: 1V 应用: Industrial 引脚数: 3Pins 零件状态: Active 品牌: JSCJ 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd 最小包装: 3000pcs 原产国家: China 是否无铅: Yes
供应商: Anychip Mall
分类: 未分类
描述: SOT-23塑料封装二极管30V 200mA 200mW
安装类型: SMT 包装: Tape/Reel 反向峰值电压（最大值）: 30V 工作温度: -40~+125℃ 组态: Dual,Com，Cath 反向恢复时间(trr): 5ns 封装/外壳: SOT23-3 反向漏电流IR: 2µA 最大耗散功率: 200mW 反向耐压VR(max): 30V 平均整流电流IF: 200mA 正向压降VF: 1V 应用: Industrial 引脚数: 3Pins 零件状态: Active 品牌: JSCJ 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd 最小包装: 3000pcs 原产国家: China 是否无铅: Yes
S9014W(300-400)
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: NPN Ic=100mA Vceo=45V hfe=300~400 fT=150MHz P=200mW L档 SOT-323
工作温度(Tj): +150℃ 安装类型: SMT Vce饱和压降(Max): 300mV 跃迁频率: 150MHz 功率(Max): 200mW 晶体管类型: NPN 集射极击穿电压Vce(Max): 45V 集电极电流Ic(Max): 100mA DC电流增益(hFE)(Min&Range): 300 封装/外壳: SOT323 集电极电流 Ic: 100mA 集电极-射极饱和电压 VCE(sat): 300mV 额定功率: 200mW 集电极-发射极电压 VCEO: 45V 品牌: JCET
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: NPN Ic=100mA Vceo=45V hfe=300~400 fT=150MHz P=200mW L档 SOT-323
工作温度(Tj): +150℃ 安装类型: SMT Vce饱和压降(Max): 300mV 跃迁频率: 150MHz 功率(Max): 200mW 晶体管类型: NPN 集射极击穿电压Vce(Max): 45V 集电极电流Ic(Max): 100mA DC电流增益(hFE)(Min&Range): 300 封装/外壳: SOT323 集电极电流 Ic: 100mA 集电极-射极饱和电压 VCE(sat): 300mV 额定功率: 200mW 集电极-发射极电压 VCEO: 45V 品牌: JCET
2SD1802
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: TO-252-2L 塑封晶体管
工作温度(Tj): +150℃ 安装类型: SMT DC电流增益(hFE)(Min&Range): 100 集电极电流Ic(Max): 3A 功率(Max): 1W 晶体管类型: NPN 集射极击穿电压Vce(Max): 50V 封装/外壳: TO252 跃迁频率: 150MHz Vce饱和压降(Max): 500mV 包装: Tape/reel 引脚数: 3Pins 高度: 2.30mm 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 直流电流增益hFE: 100~560 集电极电流 Ic: 3A 元件生命周期: Active 品牌: JCET 集电极-射极饱和电压 VCE(sat): 500mV 集电极-发射极电压 VCEO: 50V
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: TO-252-2L 塑封晶体管
工作温度(Tj): +150℃ 安装类型: SMT DC电流增益(hFE)(Min&Range): 100 集电极电流Ic(Max): 3A 功率(Max): 1W 晶体管类型: NPN 集射极击穿电压Vce(Max): 50V 封装/外壳: TO252 跃迁频率: 150MHz Vce饱和压降(Max): 500mV 包装: Tape/reel 引脚数: 3Pins 高度: 2.30mm 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 直流电流增益hFE: 100~560 集电极电流 Ic: 3A 元件生命周期: Active 品牌: JCET 集电极-射极饱和电压 VCE(sat): 500mV 集电极-发射极电压 VCEO: 50V
BZT52C3V3
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 稳压二极管 Vz=3.3V 3.1V~3.5V Izt=5mA P=500mW SOD123
额定功率: 350mW 安装类型: SMT 包装: Tape/Reel 反向漏电流IR: 5μA 稳压值Vz: 3.3V 反向电流Izt: 5mA 封装/外壳: SOD123 组态: Single 工作温度: -55~+150℃(TJ) 存储温度: -55~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.80 x 1.70mm 高度: 1.25mm 引脚数: 2Pins 品牌: JSCJ 应用: Consumer 最小包装: 3000pcs 容差Tol: - 最小稳压值: 3.1V 最大稳压值: 3.5V 系列: -
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 稳压二极管 Vz=3.3V 3.1V~3.5V Izt=5mA P=500mW SOD123
额定功率: 350mW 安装类型: SMT 包装: Tape/Reel 反向漏电流IR: 5μA 稳压值Vz: 3.3V 反向电流Izt: 5mA 封装/外壳: SOD123 组态: Single 工作温度: -55~+150℃(TJ) 存储温度: -55~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.80 x 1.70mm 高度: 1.25mm 引脚数: 2Pins 品牌: JSCJ 应用: Consumer 最小包装: 3000pcs 容差Tol: - 最小稳压值: 3.1V 最大稳压值: 3.5V 系列: -
8550SS
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: PNP Ic=-1.5A Vceo=-25V hfe=160~300 fT=100MHz P=1W TO-92
集电极电流Ic(Max): 1.5A 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 功率(Max): 1W DC电流增益(hFE)(Min&Range): 85 安装类型: DIP 工作温度(Tj): +150℃ 晶体管类型: PNP 封装/外壳: TO92 跃迁频率: 100MHz Vce饱和压降(Max): 500mV 品牌: JCET 额定功率: 1W 集电极-射极饱和电压 VCE(sat): 500mV 集电极电流 Ic: 1.5A 集电极-发射极电压 VCEO: 25V
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: PNP Ic=-1.5A Vceo=-25V hfe=160~300 fT=100MHz P=1W TO-92
集电极电流Ic(Max): 1.5A 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 功率(Max): 1W DC电流增益(hFE)(Min&Range): 85 安装类型: DIP 工作温度(Tj): +150℃ 晶体管类型: PNP 封装/外壳: TO92 跃迁频率: 100MHz Vce饱和压降(Max): 500mV 品牌: JCET 额定功率: 1W 集电极-射极饱和电压 VCE(sat): 500mV 集电极电流 Ic: 1.5A 集电极-发射极电压 VCEO: 25V
BZT52C43
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: Vz=43V 40V~46V Izt=5mA P=350mW
正向压降VF: 0.9V 反向漏电流IR: 100nA 精度: ±6.98% 稳压值Vz: 43V 最大耗散功率: 350mW 封装/外壳: SOD-123 额定功率: 350mW 反向电流Izt: 5mA 组态: Single 湿气敏感性等级（MSL）: 1（无限） 安装类型: SMT 动态电阻（最大值）: 100 Ohms 工作温度: -65~+150℃ 应用: Consumer 容差Tol: - 正向压降VF Max: 900mV 品牌: JCET
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: Vz=43V 40V~46V Izt=5mA P=350mW
正向压降VF: 0.9V 反向漏电流IR: 100nA 精度: ±6.98% 稳压值Vz: 43V 最大耗散功率: 350mW 封装/外壳: SOD-123 额定功率: 350mW 反向电流Izt: 5mA 组态: Single 湿气敏感性等级（MSL）: 1（无限） 安装类型: SMT 动态电阻（最大值）: 100 Ohms 工作温度: -65~+150℃ 应用: Consumer 容差Tol: - 正向压降VF Max: 900mV 品牌: JCET