JCET
商品列表
S8050D(160-300)
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: NPN Ic=500mA Vceo=25V hfe=160~300 fT=150MHz P=625mW D档 TO-92
安装类型: DIP 功率(Max): 625mW 晶体管类型: NPN 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 集电极电流Ic(Max): 500mA DC电流增益(hFE)(Min&Range): 160 Vce饱和压降(Max): 600mV 跃迁频率: 100MHz 封装/外壳: TO92 工作温度(Tj): +150℃ 品牌: JCET 额定功率: 625mW 集电极-发射极电压 VCEO: 25V 集电极电流 Ic: 500mA 集电极-射极饱和电压 VCE(sat): 600mV
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: NPN Ic=500mA Vceo=25V hfe=160~300 fT=150MHz P=625mW D档 TO-92
安装类型: DIP 功率(Max): 625mW 晶体管类型: NPN 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 集电极电流Ic(Max): 500mA DC电流增益(hFE)(Min&Range): 160 Vce饱和压降(Max): 600mV 跃迁频率: 100MHz 封装/外壳: TO92 工作温度(Tj): +150℃ 品牌: JCET 额定功率: 625mW 集电极-发射极电压 VCEO: 25V 集电极电流 Ic: 500mA 集电极-射极饱和电压 VCE(sat): 600mV
MMBTA06
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: NPN Ic=500mA Vceo=80V hfe=100~400 fT=100MHz P=300mW SOT-23
Vce饱和压降(Max): 250mV 工作温度(Tj): +150℃ DC电流增益(hFE)(Min&Range): 100 功率(Max): 300mW 安装类型: SMT 封装/外壳: SOT23 集电极电流Ic(Max): 500mA 晶体管类型: NPN 集射极击穿电压Vce(Max): 80V 跃迁频率: 100MHz 集电极电流 Ic: 500mA 品牌: JCET 额定功率: 300mW 集电极-发射极电压 VCEO: 80V 集电极-射极饱和电压 VCE(sat): 250mV
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: NPN Ic=500mA Vceo=80V hfe=100~400 fT=100MHz P=300mW SOT-23
Vce饱和压降(Max): 250mV 工作温度(Tj): +150℃ DC电流增益(hFE)(Min&Range): 100 功率(Max): 300mW 安装类型: SMT 封装/外壳: SOT23 集电极电流Ic(Max): 500mA 晶体管类型: NPN 集射极击穿电压Vce(Max): 80V 跃迁频率: 100MHz 集电极电流 Ic: 500mA 品牌: JCET 额定功率: 300mW 集电极-发射极电压 VCEO: 80V 集电极-射极饱和电压 VCE(sat): 250mV
BZT52B5V1
供应商: Anychip Mall
分类: 未分类
描述: 稳压二极管 Vz=5.1V 5V~5.2V Izt=5mA P=350mW SOD123
组态: Single 动态电阻（最大值）: 60 Ohms 湿气敏感性等级（MSL）: - 工作温度: -55~+150℃(TJ) 安装类型: SMT 正向压降VF: 0.9V 稳压值Vz: 5.1V 反向漏电流IR: 2µA 精度: ±2% 最大耗散功率: 350mW 封装/外壳: SOD123 额定功率: 350mW 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: 5mA 反向击穿电压: 2V 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 正向压降VF Max: 900mV 原产国家: China Vr - 反向电压: 2V 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 未分类
描述: 稳压二极管 Vz=5.1V 5V~5.2V Izt=5mA P=350mW SOD123
组态: Single 动态电阻（最大值）: 60 Ohms 湿气敏感性等级（MSL）: - 工作温度: -55~+150℃(TJ) 安装类型: SMT 正向压降VF: 0.9V 稳压值Vz: 5.1V 反向漏电流IR: 2µA 精度: ±2% 最大耗散功率: 350mW 封装/外壳: SOD123 额定功率: 350mW 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: 5mA 反向击穿电压: 2V 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 正向压降VF Max: 900mV 原产国家: China Vr - 反向电压: 2V 零件状态: Active
CJ7905
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: TO252-2L 1.5A
输出电压（最大值）: - 输出端数: 1 静态电流（最大值）: 1.5mA 输出电压精度: ±3% 输出电压（最小值/固定）: -5V 输出类型: Fixed 输出配置: Negative 封装/外壳: TO252 引脚数: 3Pins 安装类型: SMT 输入电压（范围）: -35V 输出路数: 1 压差: 1.1V@1A 输出电流（Max）: 1.5A 电压-输出: -5V 电源纹波抑制比（PSRR）: 60dB（120Hz） 输出电压: -5V 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 板上高度: 2.38mm
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: TO252-2L 1.5A
输出电压（最大值）: - 输出端数: 1 静态电流（最大值）: 1.5mA 输出电压精度: ±3% 输出电压（最小值/固定）: -5V 输出类型: Fixed 输出配置: Negative 封装/外壳: TO252 引脚数: 3Pins 安装类型: SMT 输入电压（范围）: -35V 输出路数: 1 压差: 1.1V@1A 输出电流（Max）: 1.5A 电压-输出: -5V 电源纹波抑制比（PSRR）: 60dB（120Hz） 输出电压: -5V 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 板上高度: 2.38mm
S8550C(120-200)
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: PNP Ic=-500mA Vceo=-25V hfe=120~200 fT=150MHz P=625mW
工作温度(Tj): -55~+150℃ 安装类型: DIP 功率(Max): 625mW 晶体管类型: PNP 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 跃迁频率: 150MHz 集电极电流Ic(Max): 500mA DC电流增益(hFE)(Min&Range): 120 封装/外壳: TO92-3 额定功率: 625mW 集电极-发射极电压 VCEO: 25V 集电极电流 Ic: 500mA 品牌: JCET
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: PNP Ic=-500mA Vceo=-25V hfe=120~200 fT=150MHz P=625mW
工作温度(Tj): -55~+150℃ 安装类型: DIP 功率(Max): 625mW 晶体管类型: PNP 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 跃迁频率: 150MHz 集电极电流Ic(Max): 500mA DC电流增益(hFE)(Min&Range): 120 封装/外壳: TO92-3 额定功率: 625mW 集电极-发射极电压 VCEO: 25V 集电极电流 Ic: 500mA 品牌: JCET
CJ2302
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: SOT-23塑料封装MOSFETS
封装/外壳: SOT23-3 漏源电压(Vdss): 20V 连续漏极电流Id@25℃: 2.1A 栅极电荷(Qg)(Max): 6.5nC 包装: Tape/reel 导通电阻Rds On(Max): 60mΩ FET类型: N-Channel 功率(Max): 350mW 工作温度(Tj): 150°C 安装类型: SMT 输入电容Ciss: 405pF 额定功率: 350mW 引脚数: 3Pins 极性: N-Channel 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 高度: 1.15mm 输入电容(Ciss)(Max): 405pF 最小包装: 3000pcs 充电电量: 6.5nC 品牌: JSCJ
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: SOT-23塑料封装MOSFETS
封装/外壳: SOT23-3 漏源电压(Vdss): 20V 连续漏极电流Id@25℃: 2.1A 栅极电荷(Qg)(Max): 6.5nC 包装: Tape/reel 导通电阻Rds On(Max): 60mΩ FET类型: N-Channel 功率(Max): 350mW 工作温度(Tj): 150°C 安装类型: SMT 输入电容Ciss: 405pF 额定功率: 350mW 引脚数: 3Pins 极性: N-Channel 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 高度: 1.15mm 输入电容(Ciss)(Max): 405pF 最小包装: 3000pcs 充电电量: 6.5nC 品牌: JSCJ
MMSZ5248BS
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: Vz=18V 17.1V~18.9V Izt=7mA P=350mW
组态: Single 湿气敏感性等级（MSL）: 1（无限） 安装类型: SMT 工作温度: -65~+150℃ 正向压降VF: 0.9V 动态电阻（最大值）: 21Ohm 反向漏电流IR: 100nA 精度: ±5% 稳压值Vz: 18V 最大耗散功率: 200mW 封装/外壳: SOD-323 额定功率: 200mW 反向电流Izt: 7mA 长x宽/尺寸: 1.70 x 1.30mm 高度: 1.10mm 引脚数: 2Pins 脚间距: 2.2mm 应用: Consumer 容差Tol: - 正向压降VF Max: 900mV
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: Vz=18V 17.1V~18.9V Izt=7mA P=350mW
组态: Single 湿气敏感性等级（MSL）: 1（无限） 安装类型: SMT 工作温度: -65~+150℃ 正向压降VF: 0.9V 动态电阻（最大值）: 21Ohm 反向漏电流IR: 100nA 精度: ±5% 稳压值Vz: 18V 最大耗散功率: 200mW 封装/外壳: SOD-323 额定功率: 200mW 反向电流Izt: 7mA 长x宽/尺寸: 1.70 x 1.30mm 高度: 1.10mm 引脚数: 2Pins 脚间距: 2.2mm 应用: Consumer 容差Tol: - 正向压降VF Max: 900mV
MMBT2907A
供应商: Anychip Mall
分类: 未分类
描述: PNP Ic=-600mA Vceo=-60V hfe=100~300 fT=200MHz P=250mW SOT-23
集射极击穿电压Vce(Max): 60V 跃迁频率: 200MHz Vce饱和压降(Max): 1.6V 集电极电流Ic(Max): 600mA 封装/外壳: SOT23 晶体管类型: PNP 功率(Max): 250mW DC电流增益(hFE)(Min&Range): 100 安装类型: SMT 工作温度(Tj): +150℃ 额定功率: 250mW 集电极电流 Ic: 600mA 集电极-发射极电压 VCEO: 60V 集电极-射极饱和电压 VCE(sat): 1.6V 品牌: JCET
供应商: Anychip Mall
分类: 未分类
描述: PNP Ic=-600mA Vceo=-60V hfe=100~300 fT=200MHz P=250mW SOT-23
集射极击穿电压Vce(Max): 60V 跃迁频率: 200MHz Vce饱和压降(Max): 1.6V 集电极电流Ic(Max): 600mA 封装/外壳: SOT23 晶体管类型: PNP 功率(Max): 250mW DC电流增益(hFE)(Min&Range): 100 安装类型: SMT 工作温度(Tj): +150℃ 额定功率: 250mW 集电极电流 Ic: 600mA 集电极-发射极电压 VCEO: 60V 集电极-射极饱和电压 VCE(sat): 1.6V 品牌: JCET
BCW66
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23
功率(Max): 200mW 集电极电流Ic(Max): 800mA 工作温度(Tj): -55~+150℃ 集射极击穿电压Vce(Max): 45V 跃迁频率: 100MHz DC电流增益(hFE)(Min&Range): 250 安装类型: SMT 封装/外壳: SOT23 晶体管类型: NPN 零件状态: Active 品牌: JCET 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd 原产国家: China 元件生命周期: Active 额定功率: 200mW 集电极-发射极电压 VCEO: 45V 集电极电流 Ic: 800mA
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23
功率(Max): 200mW 集电极电流Ic(Max): 800mA 工作温度(Tj): -55~+150℃ 集射极击穿电压Vce(Max): 45V 跃迁频率: 100MHz DC电流增益(hFE)(Min&Range): 250 安装类型: SMT 封装/外壳: SOT23 晶体管类型: NPN 零件状态: Active 品牌: JCET 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd 原产国家: China 元件生命周期: Active 额定功率: 200mW 集电极-发射极电压 VCEO: 45V 集电极电流 Ic: 800mA
S9015W
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: PNP Ic=-100mA Vceo=-45V hfe=200~1000 fT=150MHz P=200mW SOT-323
功率(Max): 200mW 晶体管类型: PNP 集射极击穿电压Vce(Max): 45V 集电极电流Ic(Max): 100mA DC电流增益(hFE)(Min&Range): 200 工作温度(Tj): +150℃ 安装类型: SMT 封装/外壳: SOT323 跃迁频率: 150MHz Vce饱和压降(Max): 300mV 集电极-射极饱和电压 VCE(sat): 300mV 品牌: JCET 额定功率: 200mW 集电极-发射极电压 VCEO: 45V 集电极电流 Ic: 100mA
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: PNP Ic=-100mA Vceo=-45V hfe=200~1000 fT=150MHz P=200mW SOT-323
功率(Max): 200mW 晶体管类型: PNP 集射极击穿电压Vce(Max): 45V 集电极电流Ic(Max): 100mA DC电流增益(hFE)(Min&Range): 200 工作温度(Tj): +150℃ 安装类型: SMT 封装/外壳: SOT323 跃迁频率: 150MHz Vce饱和压降(Max): 300mV 集电极-射极饱和电压 VCE(sat): 300mV 品牌: JCET 额定功率: 200mW 集电极-发射极电压 VCEO: 45V 集电极电流 Ic: 100mA