UMW
商品列表
UMWXC6211B182MR
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: Vin=7V Vo=1.8V Io=300mA
安装类型: SMT 品牌: UMW 电源抑制比(PSRR): 70dB 拓扑结构: 升压 原始制造商: Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd. 压差: 1.3V@1A 存储温度: -40~+125℃ 长x宽/尺寸: 2.92 x 1.60mm 输出类型: 固定 封装/外壳: SOT23-5 元件生命周期: Active 工作温度: -25℃~+85℃ 输出电流: 300mA 静态电流: 45μA 输出电压精度: ±2% 输出电压（最小值/固定）: 1.8V 输出电压: 1.8V 高度: 1.10mm 引脚数: 5Pin 类型: 稳压器/监控器
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: Vin=7V Vo=1.8V Io=300mA
安装类型: SMT 品牌: UMW 电源抑制比(PSRR): 70dB 拓扑结构: 升压 原始制造商: Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd. 压差: 1.3V@1A 存储温度: -40~+125℃ 长x宽/尺寸: 2.92 x 1.60mm 输出类型: 固定 封装/外壳: SOT23-5 元件生命周期: Active 工作温度: -25℃~+85℃ 输出电流: 300mA 静态电流: 45μA 输出电压精度: ±2% 输出电压（最小值/固定）: 1.8V 输出电压: 1.8V 高度: 1.10mm 引脚数: 5Pin 类型: 稳压器/监控器
UMWXC6211B362MR
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: Vin=7V Vo=3.6V Io=300mA
安装类型: SMT 输出配置: Positive 品牌: UMW 拓扑结构: 升压 原始制造商: Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd. 输入电压: 7V 输出端数: 1 封装/外壳: SOT23-5 输出类型: 固定 元件生命周期: Active 工作温度: -25℃~+85℃ 负荷调节: 30mV 原产国家: China 输出电流: 300mA 静态电流: 45μA 输出电压精度: ±1.5% 输出电压: 3.6V 输出电压（最小值/固定）: 3.6V 类型: 稳压器/监控器 引脚数: 5Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: Vin=7V Vo=3.6V Io=300mA
安装类型: SMT 输出配置: Positive 品牌: UMW 拓扑结构: 升压 原始制造商: Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd. 输入电压: 7V 输出端数: 1 封装/外壳: SOT23-5 输出类型: 固定 元件生命周期: Active 工作温度: -25℃~+85℃ 负荷调节: 30mV 原产国家: China 输出电流: 300mA 静态电流: 45μA 输出电压精度: ±1.5% 输出电压: 3.6V 输出电压（最小值/固定）: 3.6V 类型: 稳压器/监控器 引脚数: 5Pin
UMWSI2308A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N沟道 60V 3A 95mΩ@4.5V SOT-23
安装类型: SMT 品牌: UMW 阈值电压Vgs(th): 3V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 3A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 印字代码: MS08 FET类型: N沟道 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 存储温度: -55~+150℃ 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 漏极电流Idss: 2A 配置: 单路 漏源电压(Vdss): 60V 功率(Max): 1.25W 导通电阻Rds On(Max): 160mΩ 认证信息: RoHS 工作温度(Tj): +150℃ 高度: 1.05mm
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N沟道 60V 3A 95mΩ@4.5V SOT-23
安装类型: SMT 品牌: UMW 阈值电压Vgs(th): 3V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 3A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 印字代码: MS08 FET类型: N沟道 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 存储温度: -55~+150℃ 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 漏极电流Idss: 2A 配置: 单路 漏源电压(Vdss): 60V 功率(Max): 1.25W 导通电阻Rds On(Max): 160mΩ 认证信息: RoHS 工作温度(Tj): +150℃ 高度: 1.05mm
UMWXC6211B152MR
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: Vin=7V Vo=1.5V Io=300mA
安装类型: SMT 电源抑制比(PSRR): 70dB 品牌: UMW 拓扑结构: 升压 原始制造商: Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd. 压差: 1.5V@5A 输出端数: 1 输出类型: 固定 封装/外壳: SOT23-5 元件生命周期: Active 负荷调节: 30mV 工作温度: -25℃~+85℃ 输出电流: 300mA 静态电流: 45μA 输出电压精度: ±2% 输出电压（最小值/固定）: 1.5V 输出电压: 1.5V 高度: 1.10mm 引脚数: 5Pin 类型: 稳压器/监控器
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: Vin=7V Vo=1.5V Io=300mA
安装类型: SMT 电源抑制比(PSRR): 70dB 品牌: UMW 拓扑结构: 升压 原始制造商: Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd. 压差: 1.5V@5A 输出端数: 1 输出类型: 固定 封装/外壳: SOT23-5 元件生命周期: Active 负荷调节: 30mV 工作温度: -25℃~+85℃ 输出电流: 300mA 静态电流: 45μA 输出电压精度: ±2% 输出电压（最小值/固定）: 1.5V 输出电压: 1.5V 高度: 1.10mm 引脚数: 5Pin 类型: 稳压器/监控器
UMW78D05L
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: VIN=35V Vo=5V Io=0.5A
安装类型: SMT 品牌: UMW 电源抑制比(PSRR): 80dB 拓扑结构: 升压 原始制造商: Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd. 压差: 2V@500mA 输入电压: 35V 输出类型: 固定 封装/外壳: TO252 元件生命周期: Active 负荷调节: 100mV 工作温度: -40℃~+120℃ 原产国家: China 输出电流: 1A 静态电流: 8mA 最小包装: 2500pcs 输出电压: 5V 输出通道数: 1 高度: 0.98mm 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: VIN=35V Vo=5V Io=0.5A
安装类型: SMT 品牌: UMW 电源抑制比(PSRR): 80dB 拓扑结构: 升压 原始制造商: Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd. 压差: 2V@500mA 输入电压: 35V 输出类型: 固定 封装/外壳: TO252 元件生命周期: Active 负荷调节: 100mV 工作温度: -40℃~+120℃ 原产国家: China 输出电流: 1A 静态电流: 8mA 最小包装: 2500pcs 输出电压: 5V 输出通道数: 1 高度: 0.98mm 引脚数: 3Pin
UMW78L05
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: VIN=30V Vo=5V Io=70mA
安装类型: SMT 电源抑制比(PSRR): 49dB 品牌: UMW 拓扑结构: 升压 原始制造商: Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd. 输入电压: 30V 输出端数: 1 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.45mm 封装/外壳: SOT89-3 输出类型: 固定 元件生命周期: Active 负荷调节: 11mV 工作温度: -20℃~+120℃ 原产国家: China 输出电流: 100mA 静态电流: 2mA 输出电压: 5V 输出电压（最小值/固定）: 5V 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: VIN=30V Vo=5V Io=70mA
安装类型: SMT 电源抑制比(PSRR): 49dB 品牌: UMW 拓扑结构: 升压 原始制造商: Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd. 输入电压: 30V 输出端数: 1 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.45mm 封装/外壳: SOT89-3 输出类型: 固定 元件生命周期: Active 负荷调节: 11mV 工作温度: -20℃~+120℃ 原产国家: China 输出电流: 100mA 静态电流: 2mA 输出电压: 5V 输出电压（最小值/固定）: 5V 引脚数: 3Pin
UMW1N60G
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N-CHANNEL POWER MOSFET
安装类型: SMT 品牌: UMW 功率耗散: - 阈值电压: 4V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 1A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.50 x 3.50mm 封装/外壳: SOT-223-3 漏极电流: 1A 栅极源极击穿电压: ±30V 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 8.5Ω 漏源电压(Vdss): 600V 认证信息: RoHS 高度: 1.60mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 4Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N-CHANNEL POWER MOSFET
安装类型: SMT 品牌: UMW 功率耗散: - 阈值电压: 4V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 1A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.50 x 3.50mm 封装/外壳: SOT-223-3 漏极电流: 1A 栅极源极击穿电压: ±30V 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 8.5Ω 漏源电压(Vdss): 600V 认证信息: RoHS 高度: 1.60mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 4Pin
UMWHT7850-A
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: VIN=12V Vo=5V Io=250mA PD=400mW
安装类型: SMT 输出配置: Positive 品牌: UMW 拓扑结构: 升压 原始制造商: Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd. 输入电压: 12V 存储温度: -50~+125℃ 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.45mm 输出类型: 固定 封装/外壳: SOT89-3 元件生命周期: Active 负荷调节: 45mV 工作温度: -25℃~+70℃ 原产国家: China 输出电流: 450mA 静态电流: 2μA 输出电压精度: ±3% 输出电压: 5V 类型: 稳压器/监控器 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: VIN=12V Vo=5V Io=250mA PD=400mW
安装类型: SMT 输出配置: Positive 品牌: UMW 拓扑结构: 升压 原始制造商: Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd. 输入电压: 12V 存储温度: -50~+125℃ 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.45mm 输出类型: 固定 封装/外壳: SOT89-3 元件生命周期: Active 负荷调节: 45mV 工作温度: -25℃~+70℃ 原产国家: China 输出电流: 450mA 静态电流: 2μA 输出电压精度: ±3% 输出电压: 5V 类型: 稳压器/监控器 引脚数: 3Pin
UMWMMBT4401
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 IC=600mA Vce=400mW SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: UMW 功率耗散: 300mW 集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO: 40V 集电极-基极电压（VCBO）: 60V 原始制造商: Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 40V Vce饱和压降: 400mV 极性: NPN 跃迁频率: 250MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 40V 高度: 1.15mm DC电流增益(hFE): 100~300 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 IC=600mA Vce=400mW SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: UMW 功率耗散: 300mW 集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO: 40V 集电极-基极电压（VCBO）: 60V 原始制造商: Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 40V Vce饱和压降: 400mV 极性: NPN 跃迁频率: 250MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 40V 高度: 1.15mm DC电流增益(hFE): 100~300 引脚数: 3Pin
UMWAO3404A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道MOSFET
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: UMW 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.9V@250µA 原始制造商: UMW 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5.8mA 封装/外壳: SOT-23 漏极电流: 5.8A 反向传输电容Crss: 77pF 工作温度: +150℃ 充电电量: 13.88nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道MOSFET
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: UMW 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.9V@250µA 原始制造商: UMW 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5.8mA 封装/外壳: SOT-23 漏极电流: 5.8A 反向传输电容Crss: 77pF 工作温度: +150℃ 充电电量: 13.88nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道