UMW1N60G

品牌
UMW
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N-CHANNEL POWER MOSFET

物料参数

安装类型:SMT
阈值电压:4V@250µA
原始制造商:UMW
包装:Tape/reel
连续漏极电流:1A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:6.50 x 3.50mm
封装/外壳:SOT-223-3
漏极电流:1A
反向传输电容Crss:5.4pF
栅极源极击穿电压:±30V
工作温度:+150℃
充电电量:4.8nC
配置:单路
原产国家:China Taiwan
输入电容:150pF
漏源电压(Vdss):600V
认证信息:RoHS
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
1+¥0.4018
包装:1 库存:305