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NTS4001NT1G
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=270mA RDS(ON)=1.5Ω@4V SC70
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 是否无铅: Yes 功率耗散: 330mW 阈值电压: 1.5V@100µA 原始制造商: ON Semiconductor 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 270mA 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 2.5V，4V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.10 x 1.24mm 封装/外壳: SOT-323(SC70) 漏极电流: 270mA 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 0.9nC 配置: 单路 FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 1.3nC@5V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=270mA RDS(ON)=1.5Ω@4V SC70
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 是否无铅: Yes 功率耗散: 330mW 阈值电压: 1.5V@100µA 原始制造商: ON Semiconductor 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 270mA 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 2.5V，4V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.10 x 1.24mm 封装/外壳: SOT-323(SC70) 漏极电流: 270mA 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 0.9nC 配置: 单路 FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 1.3nC@5V 晶体管类型: N沟道