ON
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MC33172DR2G
供应商: Anychip Mall
分类: 通用放大器
描述: 运算放大器,单电源3.0 V至44 V,低功耗
电源抑制比(PSRR): 100dB 品牌: ON CMRR - 共模抑制比: 90dB 工作电流: 220µA 放大器类型: General Purpose 输入失调电压(Max): 2mV 每个通道的输出电流: 27mA 压摆率: 2.1V/μs -3db 带宽: - 包装: Tape/Reel 电源电流(静态,全通道): 220μA 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.00 x 4.00mm 输出类型: - 封装/外壳: SOIC8_150MIL 工作温度: -40~+85℃ 增益带宽积(GBP): 1.8MHz 电源电压,单/双(±): 3~44V,±1.5~±22V 通道数: 2Channel 输入偏置电流: 20nA
供应商: Anychip Mall
分类: 通用放大器
描述: 运算放大器,单电源3.0 V至44 V,低功耗
电源抑制比(PSRR): 100dB 品牌: ON CMRR - 共模抑制比: 90dB 工作电流: 220µA 放大器类型: General Purpose 输入失调电压(Max): 2mV 每个通道的输出电流: 27mA 压摆率: 2.1V/μs -3db 带宽: - 包装: Tape/Reel 电源电流(静态,全通道): 220μA 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.00 x 4.00mm 输出类型: - 封装/外壳: SOIC8_150MIL 工作温度: -40~+85℃ 增益带宽积(GBP): 1.8MHz 电源电压,单/双(±): 3~44V,±1.5~±22V 通道数: 2Channel 输入偏置电流: 20nA
BAS21HT1G
供应商: Anychip Mall
分类: DIMM连接器
描述: SOD323 200mA 200mW
安装类型: SMT 最大耗散功率: 200mW Vr - 反向电压: 250V 包装: Tape/Reel 反向耐压VR(max): 250V 正向压降VF: 1.25V 封装/外壳: SOD323 反向漏电流IR: 100nA 工作温度: -55℃~150℃ 组态: Single 原产国家: America 供应商器件封装: SOD-323 平均整流电流IF: 0.2A 速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 二极管类型: 标准 反向峰值电压(最大值): 250V 湿气敏感性等级(MSL): 1(无限) 工作温度-结: -55°C~150°C 反向恢复时间(trr): 50ns 正向压降VF Max: 1V
供应商: Anychip Mall
分类: DIMM连接器
描述: SOD323 200mA 200mW
安装类型: SMT 最大耗散功率: 200mW Vr - 反向电压: 250V 包装: Tape/Reel 反向耐压VR(max): 250V 正向压降VF: 1.25V 封装/外壳: SOD323 反向漏电流IR: 100nA 工作温度: -55℃~150℃ 组态: Single 原产国家: America 供应商器件封装: SOD-323 平均整流电流IF: 0.2A 速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 二极管类型: 标准 反向峰值电压(最大值): 250V 湿气敏感性等级(MSL): 1(无限) 工作温度-结: -55°C~150°C 反向恢复时间(trr): 50ns 正向压降VF Max: 1V
BSS138LT1G
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: SOT23 225mW
安装类型: SMT 栅源电压 Vgss: ±20V 阈值电压Vgs(th): 1.5V@1mA 连续漏极电流Id@25℃: 200mA 包装: Tape/reel 电流-连续漏极(Id)(25°C时): 200mA(Ta) FET类型: N沟道 封装/外壳: SOT23 反向传输电容Crss: 3.5pF 工作温度: -55°C~150°C(TJ) 配置: 单路 供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236) 漏源电压(Vdss): 50V 功率耗散(最大值): 225mW(Ta) 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: SOT23 225mW
安装类型: SMT 栅源电压 Vgss: ±20V 阈值电压Vgs(th): 1.5V@1mA 连续漏极电流Id@25℃: 200mA 包装: Tape/reel 电流-连续漏极(Id)(25°C时): 200mA(Ta) FET类型: N沟道 封装/外壳: SOT23 反向传输电容Crss: 3.5pF 工作温度: -55°C~150°C(TJ) 配置: 单路 供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236) 漏源电压(Vdss): 50V 功率耗散(最大值): 225mW(Ta) 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道