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BZX84C12LT1
供应商: Anychip Mall
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BSS138
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel SOT23-3 Vdss=50V Vgss=±20V Pd=360mW
安装类型: SMT 阈值电压: 1.3V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 220mA 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 制造商标准提前期: 8 周 反向传输电容Crss: 6pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 1.7nC 配置: 单路 系列: - FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 50V 栅极电荷(Qg): 2.4nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel SOT23-3 Vdss=50V Vgss=±20V Pd=360mW
安装类型: SMT 阈值电压: 1.3V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 220mA 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 制造商标准提前期: 8 周 反向传输电容Crss: 6pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 1.7nC 配置: 单路 系列: - FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 50V 栅极电荷(Qg): 2.4nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
BSS123
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: SOT23-3 360mW
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 功率耗散: 360mW 阈值电压: 2V@1mA 原始制造商: ON Semiconductor Inc. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 170mA 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 3.4pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 1.8nC 配置: 单路 系列: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 6欧姆@170mA，10V FET功能: - 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 2.5nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: SOT23-3 360mW
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 功率耗散: 360mW 阈值电压: 2V@1mA 原始制造商: ON Semiconductor Inc. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 170mA 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 3.4pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 1.8nC 配置: 单路 系列: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 6欧姆@170mA，10V FET功能: - 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 2.5nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
SS24FL
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 整流二极管 VRRM=40V If=2A VF=550mV SOD123FL
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 品牌: Onsemi 原始制造商: ON Semiconductor Inc. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 550mV 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.95mm 封装/外壳: SOD-123FL-2 反向漏电流IR: 100µA 速度: 快速恢复=200mA（Io） 二极管类型: 肖特基 反向峰值电压（最大值）: 40V 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 2A 最小包装: 3000pcs 工作温度-结: -55°C~125°C 反向恢复时间(trr): 9.495ns 高度: 1.08mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 整流二极管 VRRM=40V If=2A VF=550mV SOD123FL
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 品牌: Onsemi 原始制造商: ON Semiconductor Inc. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 550mV 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.95mm 封装/外壳: SOD-123FL-2 反向漏电流IR: 100µA 速度: 快速恢复=200mA（Io） 二极管类型: 肖特基 反向峰值电压（最大值）: 40V 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 2A 最小包装: 3000pcs 工作温度-结: -55°C~125°C 反向恢复时间(trr): 9.495ns 高度: 1.08mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
ES1D
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: SMA 920mV 1A 1.47W
湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 正向电流: 1A 品牌: Onsemi 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 920mV 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 反向漏电流IR: 5µA@200V 工作温度: -50℃~+150℃(TJ) 速度: 快速恢复=200mA（Io） 二极管类型: 标准 反向耐压VR: 200V 平均整流电流: 1A 最小包装: 7500pcs 工作温度-结: -55°C~150°C 功率耗散（最大值）: 1.47W 反向恢复时间(trr): 15ns 正向压降VF Max: 920mV 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: SMA 920mV 1A 1.47W
湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 正向电流: 1A 品牌: Onsemi 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 920mV 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 反向漏电流IR: 5µA@200V 工作温度: -50℃~+150℃(TJ) 速度: 快速恢复=200mA（Io） 二极管类型: 标准 反向耐压VR: 200V 平均整流电流: 1A 最小包装: 7500pcs 工作温度-结: -55°C~150°C 功率耗散（最大值）: 1.47W 反向恢复时间(trr): 15ns 正向压降VF Max: 920mV 零件状态: Active
MMSZ5226BT1G
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: Zener Diode 3.3V 500mW ±5% Surface Mount SOD-123
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 是否无铅: Yes 稳压值Vz: 3.3V 精度: ±5% 包装: 剪切带（CT） ,带卷（TR） 正向压降VF: 900mV 长x宽/尺寸: 2.69 x 1.60mm 反向漏电流IR: 25µA 封装/外壳: SOD-123 制造商标准提前期: 5 周 工作温度: -55℃~+150℃ 系列: - 动态电阻（最大值）: 28Ohm 功率耗散（最大值）: 500mW 零件状态: 在售 高度: 1.12mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: Zener Diode 3.3V 500mW ±5% Surface Mount SOD-123
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 是否无铅: Yes 稳压值Vz: 3.3V 精度: ±5% 包装: 剪切带（CT） ,带卷（TR） 正向压降VF: 900mV 长x宽/尺寸: 2.69 x 1.60mm 反向漏电流IR: 25µA 封装/外壳: SOD-123 制造商标准提前期: 5 周 工作温度: -55℃~+150℃ 系列: - 动态电阻（最大值）: 28Ohm 功率耗散（最大值）: 500mW 零件状态: 在售 高度: 1.12mm 引脚数: 2Pin
FDS4435BZ
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs SOIC8_150MIL P沟道 VDDS=30V ID=8.8A
安装类型: SMT 技术: MOSFET (Metal Oxide) 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 8.8A 封装/外壳: SOIC8_150MIL 元件生命周期: Active 漏极电流: 8.8A 栅极源极击穿电压: ±25V 反向传输电容Crss: 230pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 16nC 配置: 单路 FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 40nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs SOIC8_150MIL P沟道 VDDS=30V ID=8.8A
安装类型: SMT 技术: MOSFET (Metal Oxide) 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 8.8A 封装/外壳: SOIC8_150MIL 元件生命周期: Active 漏极电流: 8.8A 栅极源极击穿电压: ±25V 反向传输电容Crss: 230pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 16nC 配置: 单路 FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 40nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
NCP361SNT1G
供应商: Anychip Mall
分类: 过压/过流保护芯片
描述: 带内部PMOS FET和过电流保护的USB正过电压保护控制器
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 工作电流: 20μA 电源电压: 1.2V~20V 技术（开关管）: 混合技术 原始制造商: ON Semiconductor Inc. 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.50mm 额定电流: 20μA 存储温度: -65~+150℃ 封装/外壳: TSOP5_3X1.5MM 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+85℃ 原产国家: America 认证信息: AEC-Q100 高度: 1.10mm 零件状态: Active 电路数: 1 应用: General Purpose 引脚数: 5Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 过压/过流保护芯片
描述: 带内部PMOS FET和过电流保护的USB正过电压保护控制器
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 工作电流: 20μA 电源电压: 1.2V~20V 技术（开关管）: 混合技术 原始制造商: ON Semiconductor Inc. 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.50mm 额定电流: 20μA 存储温度: -65~+150℃ 封装/外壳: TSOP5_3X1.5MM 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+85℃ 原产国家: America 认证信息: AEC-Q100 高度: 1.10mm 零件状态: Active 电路数: 1 应用: General Purpose 引脚数: 5Pin