FDS4435BZ
品牌
ON
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOSFETs SOIC8_150MIL P沟道 VDDS=30V ID=8.8A
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 击穿电压: | 30V |
| 阈值电压: | 3V@250µA |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 8.8A |
| 封装/外壳: | SOIC8_150MIL |
| 元件生命周期: | Active |
| 漏极电流: | 8.8A |
| 栅极源极击穿电压: | ±25V |
| 反向传输电容Crss: | 230pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 充电电量: | 16nC |
| 配置: | 单路 |
| FET功能: | - |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 认证信息: | RoHS |
| 栅极电荷(Qg): | 40nC@10V |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | P沟道 |