ANBON
商品列表
SS34-B
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 单 VR=40V IR=0.5mA Io=3A SMB
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 品牌: AnBonSEMI 原始制造商: Anbon Semiconductor Co., Ltd. 包装: Bulk packing 正向压降VF: 550mV 长x宽/尺寸: 4.65 x 3.94mm 存储温度: -65~+150℃ 反向漏电流IR: 500µA 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 系列: - 原产国家: China Taiwan 反向峰值电压(最大值): 40V 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 3A 反向恢复时间(trr): - 高度: 2.45mm 应用: 通用
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 单 VR=40V IR=0.5mA Io=3A SMB
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 品牌: AnBonSEMI 原始制造商: Anbon Semiconductor Co., Ltd. 包装: Bulk packing 正向压降VF: 550mV 长x宽/尺寸: 4.65 x 3.94mm 存储温度: -65~+150℃ 反向漏电流IR: 500µA 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 系列: - 原产国家: China Taiwan 反向峰值电压(最大值): 40V 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 3A 反向恢复时间(trr): - 高度: 2.45mm 应用: 通用
2N7002T
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:60V 电流:115mA 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):115mA 功率(Pd):150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:60V 电流:115mA 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):115mA 功率(Pd):150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA