ANBON
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2N7002EW
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:60V 电流:340mA 类型:N沟道 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@1mA 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):340mA 功率(Pd):200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.3Ω@4.5V,200mA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:60V 电流:340mA 类型:N沟道 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@1mA 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):340mA 功率(Pd):200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.3Ω@4.5V,200mA
AD2N60S
供应商: Anychip Mall
供应商: Anychip Mall
2N7002E
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:60V 电流:300mA 类型:N沟道 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):300mA 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3Ω@10V,500mA N沟道,60V,0.3A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:60V 电流:300mA 类型:N沟道 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):300mA 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3Ω@10V,500mA N沟道,60V,0.3A
BSS138
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):300mA 功率(Pd):225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):300mA 功率(Pd):225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA