BELLING
商品列表
BL6212CP
供应商: Sense Electronic Company Limited
供应商: Sense Electronic Company Limited
BLM8205
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 2个N沟道 漏源电压(Vdss)：19.5V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：27mΩ@4.5V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250μA N沟道，19.5V,4A
安装类型: SMT 品牌: Belling 功率耗散: 1.25W 连续漏极电流Id@25℃: 4A 包装: Tape/reel 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 封装/外壳: SOT23-6L 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±8V 输入电容Ciss: 800pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 11nC 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 21mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 11nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 19.5V 高度: 1.25mm 晶体管类型: 2个N沟道(双) 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 2个N沟道 漏源电压(Vdss)：19.5V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：27mΩ@4.5V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250μA N沟道，19.5V,4A
安装类型: SMT 品牌: Belling 功率耗散: 1.25W 连续漏极电流Id@25℃: 4A 包装: Tape/reel 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 封装/外壳: SOT23-6L 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±8V 输入电容Ciss: 800pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 11nC 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 21mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 11nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 19.5V 高度: 1.25mm 晶体管类型: 2个N沟道(双) 引脚数: 6Pin
BLM2305
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道增强型功率MOSFET SOT23 VDS=20V ID=4.1A VGS=±12V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 原始制造商: Shanghai Belling Co., Ltd. 连续漏极电流Id@25℃: 4.1A 包装: Tape/reel 漏源击穿电压BVDSS: 20V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 190pF 输入电容Ciss: 740pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 58mΩ 漏源电压(Vdss): 20V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 应用: Industrial
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道增强型功率MOSFET SOT23 VDS=20V ID=4.1A VGS=±12V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 原始制造商: Shanghai Belling Co., Ltd. 连续漏极电流Id@25℃: 4.1A 包装: Tape/reel 漏源击穿电压BVDSS: 20V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 190pF 输入电容Ciss: 740pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 58mΩ 漏源电压(Vdss): 20V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 应用: Industrial
