BLM8205
品牌
BELLING
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
2个N沟道 漏源电压(Vdss)：19.5V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：27mΩ@4.5V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250μA N沟道，19.5V,4A
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | Belling |
| 功率耗散: | 1.25W |
| 连续漏极电流Id@25℃: | 4A |
| 包装: | Tape/reel |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 3.02 x 1.70mm |
| 封装/外壳: | SOT23-6L |
| 元件生命周期: | Active |
| 栅极源极击穿电压: | ±8V |
| 输入电容Ciss: | 800pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 充电电量: | 11nC |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 21mΩ |
| 栅极电荷(Qg)(Max): | 11nC |
| 最小包装: | 3000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 19.5V |
| 高度: | 1.25mm |
| 晶体管类型: | 2个N沟道(双) |
| 引脚数: | 6Pin |