WNM2024-3/TR

品牌
WILLSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=3.3A

物料参数

安装类型:SMT
品牌:Willsemi
功率耗散:600mW
额定功率:600mW
包装:Tape/reel
连续漏极电流Id@25℃:3.3A
极性:N-沟道
长x宽/尺寸:2.90 x 1.30mm
封装/外壳:SOT23
输入电容Ciss:1.025nF
栅极源极击穿电压:±8V
工作温度:+150℃(TJ)
充电电量:12nC
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):36mΩ
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):12nC
高度:1.15mm
晶体管类型:N沟道