SINOIC

SE2302U
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

SE6020DB
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：45W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：30mΩ@10V,20A N沟道 60V 20A

SE10060A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：170W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：17mΩ@10V,40A N沟道

SE20P03
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：19A 功率(Pd)：30W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：50mΩ@10V,10A

SE30100B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

SED4060GM
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：65W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9.5mΩ@10V,20A

SEBLC08C
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 反向关断电压（典型值）：8V 击穿电压（最小值）：8.6V 峰值脉冲电流（10/1000us）：- 极性：Bidirectional / Unidirectional 箝位电压：-

SE100150G
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：150A 功率(Pd)：300W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.81mΩ@10V,100A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA

SED2145
供应商: Anychip Mall
分类: SED2145
描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：-12V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：18.9mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.4W 类型：P沟道

SEMF05LC
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: 反向截止电压(Vrwm)：5V 击穿电压(VBR)：6.47V