SINOIC
商品列表
SED3022M
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):36W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,15A N沟道 VDS = 30V RDS(ON) = 20mΩ@VGS=10V
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):36W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,15A N沟道 VDS = 30V RDS(ON) = 20mΩ@VGS=10V
SE40160A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):160A 功率(Pd):100W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,16A N沟道,40V
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):160A 功率(Pd):100W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,16A N沟道,40V
SED3081M
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:30V 电流:80A 停产 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):80A 功率(Pd):83W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 停产
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:30V 电流:80A 停产 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):80A 功率(Pd):83W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 停产
SED4060G
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):60A 功率(Pd):65W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.5mΩ@10V,20A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):60A 功率(Pd):65W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.5mΩ@10V,20A
SE100130GA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):100A 功率(Pd):176W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):100A 功率(Pd):176W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA