HUAYI

HY3810P
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：346W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.5mΩ@10V,90A

HYG025N06LS1P
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

HYG065N15NS1B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：165A 功率(Pd)：375W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.2mΩ@10V,100A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.2V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：96nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：6.646nF@75V 反向传输电容(Crss@Vds)：88pF@75V 工作温度：+175℃@(Tj)

HY1920W
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：375W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@10V,40A N沟道 200V 90A

HY4504B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：250A 功率(Pd)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>288</SPAN>W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3mΩ@10V,125A

HY3208AP
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：227W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7mΩ@10V,60A

HY3704P
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：176A 功率(Pd)：192W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.6mΩ@10V,88A N沟道

HY1603D
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

HY4903B6
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

HYG065N07NS1P
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：70V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.5mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：52nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：2.99nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：26pF@25V 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)